光刻补偿方法、装置、计算机设备、存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种光刻补偿方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个所述曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，所述刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离；分别根据各个所述曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。采用本方法能够改善图形倾斜造成影响。本方法能够改善图形倾斜造成影响。本方法能够改善图形倾斜造成影响。

【技术实现步骤摘要】
光刻补偿方法、装置、计算机设备、存储介质


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种光刻补偿方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体结构。DRAM由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。
[0003]随着半导体技术的发展，存储单元的尺寸逐渐缩小，套刻误差(overlay，简称OVL)窗口(window)也变得越来越小，DRAM变得越来越难做，尤其是晶圆边缘(wafer edge)的OVL更难控制。
[0004]然而，蚀刻(etch，简称EH)设备(tool)的边缘环形区域(edge ring)的等离子体(plasma)的喷射方向会受到耗材寿命的影响，很容易造成晶圆边缘(wafer edge)出现图形倾斜(pattern slant)。而且随着蚀刻时间越久，晶圆边缘的图形倾斜越严重，影响到晶圆的良率。

技术实现思路

[0005]基于此，有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻补偿方法，其特征在于，所述方法包括：获取至少一个曝光区域的图形偏移量，每个所述曝光区域的图形偏移量是根据目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量确定的，所述刻蚀倾斜量用于表征刻蚀孔底部和顶部的相对移动距离；分别根据各个所述曝光区域的图形偏移量，对待刻蚀晶圆中对应区域的曝光位置进行补偿。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取至少一个曝光区域的图形偏移量，包括：获取每个所述曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量；分别根据各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定所述曝光区域的图形偏移量。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分别根据各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定所述曝光区域的图形偏移量，包括：分别将各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量乘以设定比例，得到各个所述曝光区域的图形偏移量。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述设定比例为50％～80％。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述分别根据各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，确定所述曝光区域的图形偏移量，还包括：获取所述目标晶圆中依次层叠两层之间的套刻误差，所述目标晶圆中依次层叠两层中的上层为刻蚀层；若目标曝光区域的图形偏移量大于所述套刻误差，则采用所述套刻误差更新所述目标曝光区域的图形偏移量，所述目标曝光区域为各个所述曝光区域中的任意一个。6.根据权利要求2
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5任一项所述的方法，其特征在于，所述获取每个所述曝光区域在目标晶圆中对应区域的刻蚀倾斜量，包括：测量各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内多个刻蚀孔的倾斜量；分别根据各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量，确定各个所述曝光区域的刻蚀倾斜量。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述分别根据各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量，确定各个所述曝光区域的刻蚀倾斜量，包括：计算各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的平均值，得到各个所述曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，获取各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜量的中位值，得到各个所述曝光区域的刻蚀倾斜量；或者，将与各个所述曝光区域在所述目标晶圆中对应区域内各个刻蚀孔的倾斜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：