多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法制造方法及图纸

本发明专利技术的一个方式的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，具备：射束形成机构，形成多带电粒子束；块区域生成电路，从将在多带电粒子束的各射束与相邻的其他多个射束之间被包围的各小区域组合而成的上述多带电粒子束的照射区域生成多个块区域；以及描绘机构，使用多带电粒子束，以通过多重描绘的任一个描绘处理至少进行各块区域的照射的方式、且以上述多重描绘的各描绘处理使用多个块区域中的一个而在各描绘处理中通过该块区域的照射不重复地覆盖试样的描绘区域的方式进行描绘，由此进行多重描绘。多重描绘。多重描绘。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法


[0001]本申请是如下申请：以2020年8月6日向日本提出的JP2020
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134199(申请号)为基础申请，主张该基础申请的优选权。JP2020
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134199所记载的内容被并入到在本申请中。
[0002]本专利技术的一个方式涉及多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法，例如涉及缩小校正因多射束描绘而引起的图案的位置偏移的校正量的范围的方法。

技术介绍

[0003]担负半导体设备的微细化的进展的光刻技术是在半导体制造工序中唯一生成图案的极其重要的工艺。近年来，随着LSI的高集成化，半导体设备所要求的电路线宽逐年微细化。此处，电子线(电子束)描绘技术在本质上具有优异的析像度，使用电子线向掩模坯描绘掩模图案。
[0004]例如，有使用了多射束的描绘装置。与用一个电子束描绘的情况相比，通过使用多射束，能够一次照射较多的射束，因此能够大幅度提高处理量。在这种多射束方式的描绘装置中，例如，使从电子枪发射的电子束通过具有多个孔的掩模而形成多射束，分别进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多带电粒子束描绘装置，其特征在于，具备：射束形成机构，形成多带电粒子束；块区域生成电路，从将在上述多带电粒子束的各射束与相邻的其他多个射束之间被包围的各小区域组合而成的上述多带电粒子束的照射区域生成多个块区域；以及描绘机构，使用上述多带电粒子束，以通过多重描绘的任一个描绘处理至少进行各块区域的照射的方式、且以上述多重描绘的各描绘处理使用多个块区域中的一个而在各描绘处理中通过该块区域的照射不重复地覆盖试样的描绘区域的方式进行描绘，由此进行上述多重描绘。2.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，上述多带电粒子束描绘装置还具备校正量运算电路，该校正量运算电路针对上述多个块区域的每个块区域，对各射束的校正量进行运算，该校正量用于校正在通过该块区域的照射以不重复地覆盖上述试样的描绘区域的方式进行描绘的情况下的、由负责该块区域内的射束照射的多个射束描绘的图案的位置偏移，上述描绘机构使用针对每个块区域利用上述校正量校正后的上述多带电粒子束，以通过多重描绘的任一个描绘处理至少进行各块区域的照射的方式、且以上述多重描绘的各描绘处理使用多个块区域中的一个而在各描绘处理中通过该块区域的照射不重复地覆盖试样的描绘区域的方式进行描绘，由此进行上述多重描绘。3.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，上述照射区域是由将上述多带电粒子束的第1方向的射束数乘以上述第1方向的射束间间距而得的值设为第1方向尺寸的边、以及将与上述第1方向正交的第2方向的射束数乘以上述第2方向的射束间间距而得的值设为第2方向尺寸的边包围的矩形区域。4.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于，上述多带电粒子束描绘装置还具备位映射分配处理部，该位映射分配处理部针对每个上述块区域，分配配置有用于在描绘区域描绘的图案的、基准位置不同的多个位映射数据。5.根据权利要求1所述的多带电粒子束描绘装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤靖雄，川名亮，速水雅生，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：