半导体器件的制备方法以及半导体器件技术

本申请公开一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括对基板的第二表面进行预处理，使第二表面呈中性或酸性。通过对基板靠近光刻胶层的第二表面进行预处理，使基板析出的氮元素形成的氨水或氨气发生中和反应，从而使第二表面呈中性或酸性。由于第二表面呈中性或酸性，从而不会中和掉后续光刻胶层在被曝光的区域产生的氢离子，进而在显影后显影液会与氢离子反应，去除位于被曝光区域的光刻胶膜层，从而使光刻胶膜层呈现特定的图案，而不会在基板和光刻胶膜层的交界处形成残渣。板和光刻胶膜层的交界处形成残渣。板和光刻胶膜层的交界处形成残渣。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制备方法以及半导体器件


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件的制备方法以及半导体器件。

技术介绍

[0002]目前，在制作半导体器件时，通常采用曝光显影的制作工艺来形成一些特定的图案。具体地，对于光刻胶膜层来说，在被曝光的区域，光子会被光致产酸剂吸收，光致产酸剂分解释放氢离子，而使被曝光区域的光刻胶膜层呈酸性；而显影液呈碱性，在显影后显影液会与氢离子反应，去除位于被曝光区域的光刻胶膜层，从而使光刻胶膜层呈现特定的图案。
[0003]其中，随着半导体器件的发展，一些含氮元素的基板被广泛的用于半导体器件中集成电路的制造工艺中，由于氮元素相对活泼，会容易从基板析出，生成少量的氨水或氨气，而氨水或氨气呈碱性，会与被曝光区域的光刻胶膜层的氢离子发生反应，从而使被曝光区域的部分光刻胶膜层中不存在能与显影液发生反应的氢离子，进而导致被曝光区域的部分光刻胶膜层不能被显影液去除，在基板和光刻胶膜层的交界处形成残渣，而无法形成特定的光刻胶膜层图案。
[0004]因此，如何避免基板和光刻胶膜层的交界处形成残渣是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于此，本申请提供一种半导体器件的制备方法以及半导体器件，以解决现有的基板和光刻胶膜层的交界处形成残渣的问题。
[0006]本申请提供的一种半导体器件的制备方法，包括：
[0007]提供一基板，所述基板包括相对设置的第一表面以及第二表面；
[0008]对所述第二表面进行预处理，以使所述第二表面呈中性或酸性；
[0009]在所述第二表面上形成光刻胶层；
[0010]对所述光刻胶层进行曝光显影处理，以形成光刻胶图案。
[0011]其中，在一种实施方式中，所述对所述第二表面进行预处理，以使所述第二表面呈中性或酸性的步骤包括：
[0012]将预处理溶液涂敷在所述第二表面上；
[0013]通过所述预处理溶液对所述第二表面进行酸洗，以使所述第二表面呈中性或酸性。
[0014]其中，在一种实施方式中，所述预处理溶液的PH值为4
‑
6。
[0015]其中，在一种实施方式中，所述预处理溶液包括盐酸溶液、硫酸溶液以及碳酸溶液中的一种或多种的组合。
[0016]其中，在一种实施方式中，所述对所述第二表面进行预处理，以使所述第二表面呈中性或酸性的步骤包括：
[0017]将预处理气体吹送至所述第二表面；
[0018]通过所述处理气体对所述第二表面进行酸洗，以使所述第二表面呈中性或酸性。
[0019]其中，在一种实施方式中，所述预处理气体包括二氧化碳、二氧化硫以及硫化氢中的一种或多种的组合。
[0020]其中，在一种实施方式中，所述提供一基板，所述基板包括相对设置的第一面以及第二面的步骤包括：
[0021]提供一第一衬底，所述第一衬底包括相对设置的第一表面以及第三表面；
[0022]在所述第三表面上形成第二衬底，所述第二衬底包括相对设置的第二表面和第四表面，所述第二表面为所述第二衬底远离所述第一衬底的一面。
[0023]其中，在一种实施方式中，所述在所述第二表面上形成光刻胶层的步骤包括：
[0024]在所述第二表面上形成抗反射层；
[0025]在所述抗反射层远离所述基板的一面上形成光刻胶层。
[0026]其中，在一种实施方式中，所述在所述第二表面上形成抗反射层的步骤包括：
[0027]在所述第二表面上形成氧化层；
[0028]在所述氧化层远离所述基板的一面上形成抗反射层。
[0029]其中，本申请实施例还提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：
[0030]基板，所述基板包括相对设置的第一表面以及第二表面，所述第二表面呈中性或酸性；
[0031]光刻胶图案，所述光刻胶图案位于所述第二表面上，所述光刻胶图案经光刻胶层曝光显影形成。
[0032]本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括对基板的第二表面进行预处理，使第二表面呈中性或酸性。通过对基板靠近光刻胶层的第二表面进行预处理，使基板析出的氮元素形成的氨水或氨气发生中和反应，从而使第二表面呈中性或酸性。由于第二表面呈中性或酸性，从而不会中和掉后续光刻胶层在被曝光的区域产生的氢离子，进而在显影后显影液会与氢离子反应，去除位于被曝光区域的光刻胶膜层，从而使光刻胶膜层呈现特定的图案，而不会在基板和光刻胶膜层的交界处形成残渣。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1为采用现有技术的半导体器件的制备方法的制备的半导体器件的结构示意图。
[0035]图2为本申请实施例提供的半导体器件的制备方法的流程示意图。
[0036]图3为本申请实施例提供的半导体器件的制备方法的步骤101对应的结构示意图。
[0037]图4为本申请实施例提供的半导体器件的制备方法的步骤102对应的结构示意图。
[0038]图5为本申请实施例提供的半导体器件的制备方法的步骤103对应的结构示意图。
[0039]图6为本申请实施例提供的半导体器件的制备方法的步骤104对应的结构示意图。
[0040]图7为本申请实施例提供的半导体器件的制备方法的第一子流程示意图。
[0041]图8为本申请实施例提供的半导体器件的制备方法的第二子流程示意图。
[0042]图9为本申请实施例提供的半导体器件的制备方法的第三子流程示意图。
[0043]图10为本申请实施例提供的半导体器件的制备方法的第四子流程示意图。
[0044]图11为本申请实施例提供的半导体器件的制备方法的第五子流程示意图。
[0045]图12为本申请实施例提供的半导体器件的结构示意图。
具体实施方式
[0046]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0047]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0048]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板包括相对设置的第一表面以及第二表面；对所述第二表面进行预处理，以使所述第二表面呈中性或酸性；在所述第二表面上形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光显影处理，以形成光刻胶图案。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述第二表面进行预处理，以使所述第二表面呈中性或酸性的步骤包括：将预处理溶液涂敷在所述第二表面上；通过所述预处理溶液对所述第二表面进行酸洗，以使所述第二表面呈中性或酸性。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述预处理溶液的PH值为4
‑
6。4.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述预处理溶液包括盐酸溶液、硫酸溶液以及碳酸溶液中的一种或多种的组合。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述对所述第二表面进行预处理，以使所述第二表面呈中性或酸性的步骤包括：将预处理气体吹送至所述第二表面；通过所述预处理气体对所述第二表面进行酸洗，以使所述第二表面呈中性或酸性。6.根据权利要求5所述的半导体器件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴杰，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：