本申请提供一种双晶体管或非型闪存存储结构，包括衬底、P型阱、第一N型阱、第二N型阱、第三N型阱、有源层、多晶硅栅极结构和位线结构，衬底具有深N阱；P型阱设置于深N阱上；第一N型阱、第二N型阱以及第三N型阱间隔设置于P型阱内，且与深N型阱...

本申请提出了一种闪存器件及其制作方法、电子设备。该闪存器件包括半导体衬底和多个存储单元；在半导体衬底上形成有隔离区和存储阵列区；多个存储单元形成于存储阵列区，每个存储单元连接一条源线和一条位线；在相邻两个隔离区之间，同一行存储单元连接同...

本申请提供一种半导体器件，埋层、外延层和绝缘部依次层叠设置于衬底上；第一导体测试部、第二导体测试部以及第三导体测试部均位于绝缘部的两侧，第一导体测试部位于外延层以及埋层中且延伸入衬底内，第一导体测试部与外延层以及埋层绝缘；第二导体测试部...

本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件，包括集成衬底，集成衬底上设有浅隔离层，浅隔离层将集成衬底划分为若干个N+衬底或P+衬底，在集成衬底上且对称于浅隔离层设有多晶硅栅，多晶硅栅与集成衬底间设有栅极氧化物，在集成衬底内且位于多晶...

本发明涉及一种半导体器件、堆叠式复合沟槽结构的制作方法。上述堆叠式复合沟槽结构的制作方法将堆叠式复合沟槽结构按照多级沟槽结构逐级进行制作，在第一级沟槽结构制作时，先在基底上制作沟槽，在沟槽中填充形成半导体层，随后各级沟槽结构制作时，先在...

本发明涉及一种扩散阻挡层及其制备方法、集成电路Cu互连结构，扩散阻挡层的材料包括高熵合金及其氮化物，实现扩散阻挡层结构热力学和机械的稳定性，抵抗长期服役过程中的晶格缺陷所造成的扩散阻挡失效的问题，提高集成电路中Cu互连结构的可靠性。扩散...

本申请涉及一种电容结构及其制备方法、半导体结构。电容结构包括：第一极板；介质叠层，包括依次层叠设置的第一介质层、第二介质层及第三介质层，所述第一介质层位于所述第一极板的表面；其中，所述第一介质层的折射率与所述第三介质层的折射率均低于所述...

本申请公开了一种双栅氧氧化工艺的方法及装置。该方法包括以下步骤：在对晶圆进行双栅氧氧化工艺的显影流程时，按预设方式将二氧化碳气体通入到去离子水中，得到碳酸化去离子水；通过碳酸化去离子水对晶圆进行双栅氧氧化工艺的冲洗流程后，再对晶圆进行双...

本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基底；于所述基底的表面形成电极叠层，所述电极叠层包括层叠设置的第一保护层、电极层和第二保护层；采用刻蚀工艺于所述电极叠层内形成多个间隔排布的开口；采用高密度等...

本申请公开了一种金属层的形成方法，该金属层的形成方法包括提供一基底，并将基底的一面吸附于静电吸盘上，静电吸盘的加热功能处于关闭状态；通过第一金属沉积工艺在基底的另一面上形成第一金属层；开启静电吸盘的加热功能；在第一金属层上多次交替进行第...

本申请涉及闪速存储器及控制方法、可读存储介质，闪速存储器包括存储阵列、源端电压设置单元、阱电压设置单元、字线选通单元、位线选通单元、数据读出单元、电压调节单元以及电荷泵单元，在对存储阵列进行数据写入、读取及擦除时，电压调节单元生成正向电...

本发明提供一种金属钨膜及其制备方法，其制备方法包括：提供半导体衬底；于半导体衬底上沉积钨成核层；于钨成核层上沉积钨体沉积层；钨成核层与钨体沉积层的总厚度小于预设厚度，重复进行沉积钨成核层及钨体沉积层至少一次形成多层结构，直至得到预设厚度...

本公开涉及一种压力校准方法、设备、装置及介质，用于校准研磨机台不同研磨区域的研磨压力，压力校准方法包括：获取不同研磨区域的初始压力值；根据初始压力值及与其对应研磨区域的研磨头尺寸的关联关系确定不同研磨区域的初始校准压力值；根据初始校准压...

本发明涉及一种对准标记组件和晶圆对准标记检测装置，其中对准标记组件包括衬底和薄膜，衬底包括平行设置的第一对标区域和第二对标区域，第一对标区域上开设有呈第一周期排布的第一凹槽，第二对标区域上开设有呈第二周期排布的第二凹槽。由于第一凹槽的宽...

本公开涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底、栅导电层、栅介质层、源极结构漏级结构以及有源层；栅导电层形成于衬底的顶面；栅介质层，形成于衬底的顶面且覆盖栅导电层的外表面；其中，栅介质层的凸起部分沿第一方向的相对两侧形成有源极...

本发明提供了一种检测金属底部内切缺陷的测试结构，至少包括：第一金属层，第一金属层包括若干间隔排布的第一金属线；第二金属层，第二金属层包括若干间隔排布的第二金属线，第二金属线错位设置于第一金属线的上方，第二金属线四个边角的底部均设有通孔，...

本发明提供一种测量薄片晶圆翘曲的方法，包括：提供量测机台，量测机台包括承载装置和测量装置，承载装置具有基准位和至少一个晶圆放置位，基准位处放置有基准片，基准片与所有晶圆放置位之间的间距固定，测量装置设置于承载装置的外侧；将薄片晶圆分别放...

本申请涉及半导体技术领域，特别是一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片，以解决相关技术中自然氧化物层无法去除完全，从而不利于后续线性氧化物层的生长，进而不利于浅沟槽隔离结构对有源区进行隔离的问题。一种浅沟槽隔离结构制备方法，包...

本申请涉及半导体制造量测技术领域，公开了一种半导体纳米通孔制作量测方法，包括：提供一个衬底，在衬底上形成底层基础区，底层基础区包括互连铜线和用于隔离互连铜线的介电层；在底层基础区上依次沉积扩散阻挡层、低K介质层和硬掩膜层；刻蚀硬掩膜层和...

本申请提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括衬底、场板介质层以及场板电极，场板介质层设置于衬底的一侧，场板介质层远离衬底的一面具有凹槽；场板电极设置于场板介质层上，并填充于凹槽中，且凹槽位于场板电极的中间区域。通过此设计，使得在漏端...