闪速存储器、闪速存储器的控制方法和可读存储介质技术

本申请涉及闪速存储器及控制方法、可读存储介质，闪速存储器包括存储阵列、源端电压设置单元、阱电压设置单元、字线选通单元、位线选通单元、数据读出单元、电压调节单元以及电荷泵单元，在对存储阵列进行数据写入、读取及擦除时，电压调节单元生成正向电压信号和负向电压信号并进行输出，由于电压信号均呈阶梯状变化，使得加在存储单元中的栅氧层的电场缓慢变化，从总体上起到了保护栅极的作用的同时，降低了原有的快速变化的电场对栅极的损害，进而有助于提高了闪速存储器在进行大规模数据的写入、读取或擦除时的效率。读取或擦除时的效率。读取或擦除时的效率。

【技术实现步骤摘要】
闪速存储器、闪速存储器的控制方法和可读存储介质


[0001]本申请涉及存储器领域，具体涉及一种闪速存储器、闪速存储器的控制方法和可读存储介质。

技术介绍

[0002]目前，对于存储领域而言，闪速存储器运用日益广泛，然而，目前的闪速存储器在进行大规模数据的写入、读取或擦除时，随着时间的进展，数据的写入、读取或擦除的效率往往会逐渐下降。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种闪速存储器，能够克服闪速存储器在进行大规模数据的写入、读取或擦除时的效率往往会逐渐下降的缺点。
[0004]一种闪速存储器，包括存储阵列、源端电压设置单元、阱电压设置单元、字线选通单元、位线选通单元、数据读出单元、电压调节单元以及电荷泵单元，存储阵列包括P行Q列个存储单元，各个存储单元均采用开关管，同一行中各个存储单元的栅极连接同一字线，同一列中各个存储单元的漏极连接同一位线，相邻两列存储单元的源极连接同一源线，各源线连接同一信号，其中，P和Q均为正整数；源端电压设置单元连接存储阵列的源线，用于设置存储阵列中各存储单元的源端电压；阱电压设置单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪速存储器，其特征在于，包括存储阵列、源端电压设置单元、阱电压设置单元、字线选通单元、位线选通单元、数据读出单元、电压调节单元以及电荷泵单元，所述存储阵列包括P行Q列个存储单元，各个所述存储单元均采用开关管，同一行中各个所述存储单元的栅极连接同一字线，同一列中各个所述存储单元的漏极连接同一位线，相邻两列存储单元的源极连接同一源线，各源线连接同一信号，其中，P和Q均为正整数；所述源端电压设置单元连接所述存储阵列的源线，用于设置所述存储阵列中各存储单元的源端电压；所述阱电压设置单元连接所述存储阵列中各存储单元的阱电极，用于设置各存储单元的阱电压；所述字线选通单元连接所述存储阵列的各条字线，用于选通所述存储阵列的字线；所述位线选通单元连接所述存储阵列的各条位线，用于选通所述存储阵列的位线；所述数据读出单元连接所述位线选通单元的输出端，读出所述位线选通单元输出的数据；所述源端电压设置单元、所述阱电压设置单元、所述字线选通单元、所述位线选通单元及所述数据读出单元的输入端均与所述电荷泵单元的输出端电性连接；所述电压调节单元的输出端与所述电荷泵单元的输入端电性连接；在对所述存储阵列进行数据写入、读取及擦除时，所述电压调节单元用于生成正向电压信号和负向电压信号并进行输出，所述正向电压信号和所述负向电压信号均呈阶梯状变化。2.根据权利要求1所述的闪速存储器，其特征在于，所述电压调节单元包括可变电压器、多个开关选择电路和多个电压输出电路，各个所述开关选择电路的输入端均与所述可变电压器的输出端相连，各个所述开关选择电路的输出端均接入到对应的电压输出电路中，所述可变电压器用于将输入电压调节为交流电压输出值。3.根据权利要求2所述的闪速存储器，其特征在于，所述电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈安星，张有志，周盼盼，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：