SPI闪存存储器装置中的延迟减少制造方法及图纸

本发明专利技术涉及SPI闪存存储器装置中的延迟减少。一种方法可以包括以下步骤：在存储器装置中从主机装置接收读请求，该主机装置通过接口联接至存储器装置；对从接口接收到的读请求的地址进行解码；对读请求的命令进行解码，以确定读请求是否针对对齐地址操作；当读请求被确定为针对对齐地址操作时，不管所解码的地址的实际对齐如何，保持所解码的地址而不进行修改；以及通过使用所解码的地址，在存储器装置上按照对齐地址操作执行读请求。上按照对齐地址操作执行读请求。上按照对齐地址操作执行读请求。

【技术实现步骤摘要】
SPI闪存存储器装置中的延迟减少


[0001]本专利技术总体上涉及半导体器件领域。更具体地，本专利技术的实施方式涉及存储器装置，包括易失性存储器装置和非易失性存储器装置(诸如闪存存储器装置)两者。

技术介绍

[0002]非易失性存储器(NVM)越来越多地出现在诸如固态硬盘驱动器、可移除数字图片卡、汽车电子设备、家用电器等的应用中。闪存存储器是当今使用的主要NVM技术。然而，闪存存储器具有限制，诸如相对高的功率以及相对低的操作速度。微处理器性能对存储器延迟非常敏感。许多非易失性存储器装置具有与微处理器相比相对慢的访问时间(access time)或延迟。另外，微处理器/主机与存储器之间的各种通信协议的许多实现方式(诸如串行外围接口(SPI))可以增加比存储器阵列本身所需的甚至更多的延迟。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个方面提供了一种方法，所述方法包括以下步骤：a)在存储器装置中从主机装置接收读请求，所述主机装置通过接口联接至所述存储器装置；b)对从所述接口接收到的所述读请求的地址进行解码；c)对所述读请求的命令进行解码，以确定所述读请求是否针对对齐地址操作；d)当所述读请求被确定为针对所述对齐地址操作时，不管所解码的地址的实际对齐如何，保持所解码的地址而不进行修改；以及e)通过使用所解码的地址，在所述存储器装置上按照所述对齐地址操作执行所述读请求。
[0004]本专利技术的另一方面提供了一种存储器装置，所述存储器装置被配置为：a)通过接口从主机装置接收读请求；b)对所述读请求的地址进行解码；c)对所述读请求的命令进行解码，以确定所述读请求是否针对对齐地址操作；d)当所述读请求被确定为针对所述对齐地址操作时，不管所解码的地址的实际对齐如何，保持所解码的地址而不进行修改；以及e)通过使用所解码的地址，在所述存储器装置上按照所述对齐地址操作执行所述读请求。
附图说明
[0005]图1是根据本专利技术实施方式的示例主机和存储器装置布置的示意性框图。
[0006]图2是根据本专利技术实施方式的示例存储器控制器系统的示意性框图。
[0007]图3是根据本专利技术实施方式的示例存储器装置的示意性框图。
[0008]图4是根据本专利技术实施方式的具有读请求修改控制的示例存储器装置的示意性框图。
[0009]图5是根据本专利技术实施方式的示例读访问的时序图。
[0010]图6是根据本专利技术实施方式的示例对齐地址读访问的时序图。
[0011]图7是根据本专利技术实施方式的示例未对齐地址读访问的时序图。
[0012]图8是根据本专利技术实施方式的示例DWA读访问的时序图。
[0013]图9是根据本专利技术实施方式的另一示例DWA读访问的时序图。
[0014]图10是根据本专利技术实施方式的用于字访问的示例DWA读访问的时序图。
[0015]图11是根据本专利技术实施方式的用于字节访问的示例DWA读访问的时序图。
[0016]图12是根据本专利技术实施方式的用于字访问的示例经修改的DWA读访问的时序图。
[0017]图13是根据本专利技术实施方式的用于字节访问的示例经修改的DWA读访问的时序图。
[0018]图14是根据本专利技术实施方式的用于双字访问的示例经修改的DWA读访问的时序图。
[0019]图15是根据本专利技术实施方式的对读请求进行控制的示例方法的流程图。
具体实施方式
[0020]现在将详细参考本专利技术的特定实施方式，其示例在附图中例示。虽然将结合优选实施方式描述本专利技术，但是将理解，所述优选实施方式并不旨在将本专利技术限制于这些实施方式。相反，本专利技术旨在覆盖可以包括在由所附权利要求限定的本专利技术的精神和范围内的另选例、修改例和等同例。此外，在本专利技术的以下详细描述中，阐述了许多具体细节，以便提供对本专利技术的透彻理解。然而，对于本领域技术人员显而易见的是，本专利技术可以在不具有这些具体细节的情况下实施。在其它情况下，没有详细描述公知的方法、过程、处理、部件、结构和电路，以免不必要地模糊本专利技术的各方面。
[0021]下面的详细描述的一些部分是从针对计算机、处理器、控制器、装置和/或存储器内的数据流、信号或波形的操作的处理、过程、逻辑块、功能块、进程、示意性符号和/或其它符号表示的方面呈现的。这些描述和表示通常被数据处理领域的技术人员用来有效地将其工作的实质传达给本领域的其他技术人员。通常，尽管不是必须的，但被操纵的量采取能够在计算机或数据处理系统中存储、传输、组合、比较和以其它方式操纵的电、磁、光或量子信号的形式。主要出于通用的原因，将这些信号称为比特、波、波形、流、值、元件、符号、字符、项、数字等有时被证明是方便的。
[0022]特定实施方式可以涉及存储器装置，该存储器装置包括易失性存储器，诸如SRAM和DRAM，并且包括非易失性存储器(NVM)，诸如闪存存储器装置，和/或电阻性切换存储器(例如，导电桥接随机存取存储器[CBRAM]、电阻性RAM[ReRAM]等)。特定实施方式可以包括对可以在一个或更多个电阻和/或电容性状态之间写(编程/擦除)的闪存存储器和/或电阻性切换存储器进行操作的结构和方法。在一个特定示例中，CBRAM存储元件可以被配置为使得当跨CBRAM存储元件的电极施加大于阈值电压的正向或反向偏压时，CBRAM存储元件的电特性(例如，电阻)可以改变。在任何情况下，某些实施方式适合于任何类型的存储器装置，具体是NVM装置，诸如闪存存储器装置，并且在一些情况下可以包括电阻性切换存储器装置。
[0023]现在参考图1，图1示出了根据本专利技术实施方式的示例存储器装置和主机布置100。在该示例中，主机102可以经由串行接口与存储器装置104接口连接。例如，主机102可以是任何合适的控制器(例如，CPU、MCU、通用处理器、GPU、DSP等)，并且存储器装置104可以是任何类型的存储器装置(例如，SRAM、DRAM、EEPROM、闪存、CBRAM、磁RAM、ReRAM等)。因此，存储器装置104可以按照各种存储器技术实现，诸如非易失性类型。在一些情况下，存储器装置104可以是串行闪存存储器，其可以按照更传统的非易失性存储器实现，或按照CBRAM/
ReRAM电阻性切换存储器实现。
[0024]可以包括诸如串行外围接口(SPI)中的各种接口信号，以用于主机102与存储器装置104之间的通信。例如，串行时钟(SCK)可以向装置104提供时钟，并且可以用于控制到装置的数据流。存储器装置104可以在SCK的上升沿时锁存命令、地址和输入数据(例如，经由I/O引脚)，而输出数据(例如，经由I/O引脚)可以通过SCK或数据选通脉冲(data strobe)(DS)从存储器装置104时钟输出。芯片选择(CS)(其可以是低电平有效的)可以用于诸如从共享共用总线或电路板的多个这样的存储器装置中选择存储器装置104，或以其它方式作为访问所述装置的方式。当芯片选择信号被解除断言(de
‑
asserted)(例如，处于高电平)时，存储器装置10本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，所述方法包括以下步骤：a)在存储器装置中从主机装置接收读请求，所述主机装置通过接口联接至所述存储器装置；b)对从所述接口接收到的所述读请求的地址进行解码；c)对所述读请求的命令进行解码，以确定所述读请求是否针对对齐地址操作；d)当所述读请求被确定为针对所述对齐地址操作时，不管所解码的地址的实际对齐如何，保持所解码的地址而不进行修改；以及e)通过使用所解码的地址，在所述存储器装置上按照所述对齐地址操作执行所述读请求。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对齐地址操作是双字对齐DWA读操作。3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括以下步骤：a)访问所述存储器装置上的配置位；以及b)仅当所述配置位处于第一状态并且所述读请求被确定为针对所述对齐地址操作时，才执行所述保持步骤和所述执行步骤。4.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括以下步骤：a)当所述配置位处于第二状态并且所述读请求针对所述对齐地址操作时，从所解码的地址清除预定数量的最低有效位LSB，以形成经修改的地址；以及b)当所述配置位处于所述第二状态时，通过使用所述经修改的地址，在所述存储器装置上按照所述对齐地址操作执行所述读请求。5.根据权利要求1所述的方法，其中：a)所述存储器装置包括非易失性存储器；并且b)所述接口包括串行接口。6.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述读请求的所述命令进行解码以确定所述读请求是否针对所述对齐地址操作的步骤包括：将操作码与预定操作码进行匹配。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对齐地址操作的读延迟小于不具有地址限制的操作的读延迟。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对齐地址操作是单字节读操作。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对齐地址操作是单对齐字读操作。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述主机装置被配置为确保针对包括所述对齐地址操作的直接存储器访问DMA对齐了起始地址。11.一种存储器装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：对话半导体美国公司，
类型：发明
国别省市：