本发明专利技术涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种片选使能控制装置、读取装置、擦写装置及快闪存储器，其中，该片选使能控制装置包括：第一地址接收端；第一累加器，与第一地址接收端连接；第一选择器，与第一地址接收端及第一累加器连接；第一判断模块，与第一选择器连接；该片选使能控制装置能根据外部输入的操作命令携带的地址信息判断该地址信息所在的存储芯片，并基于判断结果打开对应存储芯片的片选使能信号，使得对于同一个操作命令而言，同一时间有且仅有最多一个存储芯片能根据对应打开的片选使能信号来执行操作，避免多个存储芯片因识别地址错误同时进行读取而导致芯片损坏，以及因识别地址错误同时进行擦写而导致数据丢失。丢失。丢失。
【技术实现步骤摘要】
片选使能控制装置、读取装置、擦写装置及快闪存储器
[0001]本申请涉及存储芯片
，具体而言，涉及一种片选使能控制装置、读取装置、擦写装置及快闪存储器。
技术介绍
[0002]串行接口Nor Flash存储器是常用的一种数据存储元器件，当需要大容量而且小封装尺寸时，一般会采用多颗Flash芯片进行层叠封装来扩大容量，比如两颗256M大小的芯片可以变成512M的Flash封装片。采用立体的叠封方案可以减少封装面积，来适应小型化的需求。
[0003]为了解决叠封时准确访问不同芯片的问题，现有的快闪存储器一般采用无感扩容的方式进行Nor Flash的叠封以形成封装片，整个封装片从外部查看与大容量的芯片没有差别，且只有一个片选信号输入端，且适用功能也与一般的扩容芯片无异。
[0004]现有无感扩容的多个存储芯片一般采用同时连接外部片选信号，并各自根据片选信号和接收地址分析获取外部输入的操作命令的对象，即各自分析外部输入的地址信息是否属于自身地址的有效范围以触发相应命令执行；然而，若无感扩容的多个存储芯片收到外部输入的地址信息的过程中出现外部干扰，会导致各个存储芯片将地址信息识别为自身地址的有效范围，从而导致原本针对一个存储芯片执行的操作变成针对多个存储芯片执行的操作，其中，读取操作为向外部IO输出数据的过程，因上述原因引起的多个存储芯片同时进行读操作会导致存储芯片产生大电流而损坏芯片，擦写操作为修改存储芯片内存储数据的过程，因上述原因引起的多个存储芯片同时进行擦写操作则会将数据丢失。
[0005]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
[0006]本申请的目的在于提供一种片选使能控制装置、读取装置、擦写装置及快闪存储器，避免多个存储芯片因识别地址错误同时进行读取而导致芯片损坏，以及因识别地址错误同时进行擦写而导致数据丢失。
[0007]第一方面，本申请提供了一种片选使能控制装置，应用于无感扩容叠封的Nor Flash中，所述无感扩容叠封的Nor Flash包括多个叠封设置的存储芯片，所述片选使能控制装置安装在任一所述存储芯片中，所述片选使能控制装置包括：第一地址接收端，用于接收外部输入的地址信息；第一累加器，与所述第一地址接收端连接，用于暂存所述第一地址接收端接收的所述地址信息；第一选择器，与所述第一地址接收端及所述第一累加器连接，用于保持输送所述地址信息；第一判断模块，与所述第一选择器连接，用于接收所述第一选择器输送的所述地址信息，并根据所述地址信息所在存储芯片的地址范围单独打开对应存储芯片的片选使能
信号。
[0008]本申请片选使能控制装置，应用于无感扩容叠封的Nor Flash中，能根据外部输入的操作命令携带的地址信息判断该地址信息所在的存储芯片，并基于判断结果打开对应存储芯片的片选使能信号，使得对于同一个操作命令而言，同一时间有且仅有最多一个存储芯片能根据对应打开的片选使能信号来执行操作。
[0009]所述的片选使能控制装置，其中，所述第一选择器基于外部输入状态选择输送来自第一地址接收端的地址信息或来自第一累加器的地址信息。
[0010]第二方面，本申请还提供了一种读取装置，应用于无感扩容叠封的Nor Flash中，所述无感扩容叠封的Nor Flash包括多个叠封设置的存储芯片，所述读取装置安装在每个存储芯片中，所述读取装置包括：读取开关，其两端分别连接其所在存储芯片的存储器和外部IO设备；识别模块，用于判断外部输入的地址信息是否属于其所在的存储芯片的地址范围；第一与门，其一输入端与所述识别模块连接，其另一输入端用于接收对应存储芯片的片选使能信号，其输出端与读取开关连接，用于控制所述读取开关导通及关断，所述片选使能信号基于第一方面提供的片选使能控制装置控制打开及关闭。
[0011]本申请的读取装置通过片选使能信号和识别模块进行双重验证，能更有效地避免多个存储芯片因识别地址错误同时进行读取而导致芯片损坏。
[0012]所述的读取装置，其中，所述识别模块包括：第二地址接收端，用于接收外部输入的地址信息；第二累加器，与所述第二地址接收端连接，用于暂存所述第二地址接收端接收的所述地址信息；第二选择器，与所述第二地址接收端及所述第二累加器连接，用于保持输送所述地址信息；第二判断模块，与所述第二选择器连接，用于接收所述第二选择器输送的所述地址信息，并判断所述地址信息是否属于其所在的存储芯片的地址范围以输出1或0。
[0013]第三方面，本申请还提供了一种擦写装置，应用于无感扩容叠封的Nor Flash中，所述无感扩容叠封的Nor Flash包括多个叠封设置的存储芯片，所述擦写装置安装在每个存储芯片中，所述擦写装置包括：擦写命令模块，用于接收外部输入的编程命令和外部输入的擦除命令；第二与门，其一输入端与所述擦写命令模块连接，其另一输入端用于接收对应存储芯片的片选使能信号，所述片选使能信号基于第一方面提供的片选使能控制装置控制打开及关闭；第三选择器，其控制端与所述第二与门输出端连接，其一输入端输入高电平信号；D触发器，其D触发端与所述第三选择器的输出端连接，其CP端用于接收外部输入的片选信号；擦写电路，用于对其所在存储芯片的存储器进行擦除或编程操作，其开关端与D触发端的Q端及第三选择器的另一输入端连接。
[0014]本申请的擦写装置通过片选使能信号、擦写命令模块、片选信号进行三重验证，能
更有效地避免多个存储芯片因识别地址错误同时进行擦写而导致数据丢失。
[0015]所述的擦写装置，其中，所述第二与门通过第三与门与所述第三选择器连接，其中，第三与门的一输入端与第二与门的输出端连接，第三与门的输出端与第三选择器的控制端连接，所述第三与门的另一输入端与写使能位连接。
[0016]所述的擦写装置，其中，所述擦写命令模块包括第一或门，所述第一或门两个输入端分别用于接收外部输入的编程命令和外部输入的擦除命令，所述第一或门的输出端与所述第二与门的一输入端连接。
[0017]第四方面，本申请还提供了一种快闪存储器，所述快闪存储器为无感扩容叠封的Nor Flash，所述无感扩容叠封的Nor Flash包括多个叠封设置的存储芯片，每个存储芯片的CS#端、SCLK端、SI端、SO端、IO1端和IO2端均分别相互连接；其中一个存储芯片内设有第一方面提供的片选使能控制装置，所述片选使能控制装置的第一判断模块与所有存储芯片连接。
[0018]本申请中，安装有片选使能控制装置的存储芯片可以视为主芯片，其余的存储芯片可以视为副芯片，主芯片根据外部输入的地址信息打开对应的片选使能信号发送给相应的存储芯片以作为执行相应操作命令的验证手段，防止多个存储芯片因误识别地址而同时执行相应操作命令。
[0019]所述的快闪存储器，其中，每个所述存储芯片内均设有第二方面提供的读取装置。
[0020]所述的快闪存储器，其中，每个所述存储芯片内均设有第三方面提供的擦写装置。
[0021]由上可知，本申请提供了一种本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种片选使能控制装置，应用于无感扩容叠封的Nor Flash中，所述无感扩容叠封的Nor Flash包括多个叠封设置的存储芯片，其特征在于，所述片选使能控制装置安装在任一所述存储芯片中，所述片选使能控制装置包括：第一地址接收端，用于接收外部输入的地址信息；第一累加器，与所述第一地址接收端连接，用于暂存所述第一地址接收端接收的所述地址信息；第一选择器，与所述第一地址接收端及所述第一累加器连接，用于保持输送所述地址信息；第一判断模块，与所述第一选择器连接，用于接收所述第一选择器输送的所述地址信息，并根据所述地址信息所在存储芯片的地址范围单独打开对应存储芯片的片选使能信号。2.根据权利要求1所述的片选使能控制装置，其特征在于，所述第一选择器基于外部输入状态选择输送来自第一地址接收端的地址信息或来自第一累加器的地址信息。3.一种读取装置，应用于无感扩容叠封的Nor Flash中，所述无感扩容叠封的Nor Flash包括多个叠封设置的存储芯片，其特征在于，所述读取装置安装在每个存储芯片中，所述读取装置包括：读取开关，其两端分别连接其所在存储芯片的存储器和外部IO设备；识别模块，用于判断外部输入的地址信息是否属于其所在的存储芯片的地址范围；第一与门，其一输入端与所述识别模块连接，其另一输入端用于接收对应存储芯片的片选使能信号，其输出端与读取开关连接，用于控制所述读取开关导通及关断，所述片选使能信号基于如权利要求1或2所述的片选使能控制装置控制打开及关闭。4.根据权利要求3所述的读取装置，其特征在于，所述识别模块包括：第二地址接收端，用于接收外部输入的地址信息；第二累加器，与所述第二地址接收端连接，用于暂存所述第二地址接收端接收的所述地址信息；第二选择器，与所述第二地址接收端及所述第二累加器连接，用于保持输送所述地址信息；第二判断模块，与所述第二选择器连接，用于接收所述第二选择器输送的所述地址信息，并判断所述地址信息是否属于其所在的存储芯片的地址范围以输出1或0。5.一种擦写装置，应用...
【专利技术属性】
技术研发人员：黎永健，彭永林，李文菊，饶锦航，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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