本申请涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种用于存储芯片的基准电压测量装置及存储芯片，该装置包括：基于多个第一电阻串联的电阻组，其一端与电源电压连接；多个比较器，至少两个第一电阻的电流输出端分别与一个比较器的第一输入端连接，比较器的第二输...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种Flash良率改良方法、编程方法及相关设备，其中，Flash良率改良方法包括步骤：在晶圆测试阶段的测试模式下，对芯片进行全片编程，以获取异常页；基于异常页建立坏页表，以使NAND Flash在执...

本申请涉及电荷泵技术领域，具体公开了一种振荡器使能电路、振荡器电路及电荷泵电路，该振荡器使能电路包括：过冲检测模块，其输入端与所述信号输入端电性连接，用于检测电荷泵电路输出是否过冲；逻辑模块，其包括两个输入端和一个输出端，其两个输入端分...

本申请涉及SPI NAND技术领域，具体提供了一种用于SPI NAND的寿命记录方法、芯片及设备，该方法包括以下步骤：间歇性地检测更新使能是否打开，所述更新使能在所述SPI NAND开始执行擦除操作时触发打开；在检测到所述更新使能打开时...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种擦除干扰检测方法、修复方法、装置、芯片及电子设备，其中，检测方法包括步骤：在芯片完成上电后的首次擦除操作中，基于全地址检测进行擦除干扰检测；在芯片完成上电后的非首次擦除操作中，基于随机检测或轮询...

本申请涉及存储芯片技术领域，具体提供了一种存储芯片编程方法、擦除方法、存储芯片及电子设备，该编程方法包括以下步骤：基于预设的编程电压和预设的编程次数对存储芯片中的目标区域进行全区编程，所述目标区域为所述存储芯片中全区域需要执行所述编程操...

本发明公开了一种延迟偏置电压建立的方法、偏置电路、比较器和集成电路，涉及半导体集成电路技术领域。该方法应用在偏置电路中，所述偏置电路包括第一供电模块和与所述第一供电模块连接的偏置模块，所述方法用于延迟偏置电压的建立，包括以下步骤：当偏置...

本发明公开了一种芯片崩边检测电路及存储芯片，涉及半导体集成电路技术领域。该电路用于检测芯片是否崩边，所述芯片崩边检测电路包括:崩边检测线、供电模块、切换模块、锁存模块和识别模块；所述切换模块的第一端通过所述崩边检测线连接所述供电模块，其...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种flash的冗余替换方法、装置、寄存器和存储芯片，其中，方法包括步骤：依地址顺序同时选中存储区的存储单元和冗余区的冗余单元进行检测，并分别生成存储单元检测结果和冗余单元检测结果；在存储单元检测结...

本发明公开了一种小容量存储阵列的擦除方法和解码电路，涉及半导体集成电路技术领域。该方法用于擦除存储阵列，所述方法包括以下步骤：当存储阵列处于擦除步骤时，检测冗余保护使能是否开启；若是，则建立映射关系，所述映射关系用于将对冗余存储单元的字...

本发明公开了一种振荡器电路及存储芯片，涉及半导体集成电路技术领域，其中所述的振荡器电路包括互补信号生成模块；所述互补信号生成模块包括第一非门、第二非门、第一或门和第二或门，所述第一非门的输入端连接RS锁存器的输出端，所述第二非门的输入端...

本发明涉及闪存芯片技术领域，具体公开了一种电压配置的随机化验证方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：随机化生成目标电压配置组，目标电压配置组包括多个对应于不同操作命令的电压配置信息；根据目标电压配置组获取目标操作电压组...

本申请涉及时钟输出技术领域，具体提供了一种时钟输出方法、电路及芯片，该方法包括步骤：获取第一时钟周期数量，第一时钟周期数量为内部晶振时钟在满足第一条件时连续产生的时钟周期数量，第一条件包括内部晶振模块的使能开关打开；在第一时钟周期数量大...

本发明涉及存储芯片技术领域，具体公开了一种NOR FLASH的复位方法、装置、存储芯片及设备，其中，方法包括以下步骤：S1、在基于CS通信口发送时钟信号时，基于SI通信口采集脉冲序列，并统计时钟信号的周期个数；S2、在周期个数比复位序列...

本申请涉及LED显示技术领域，具体提供了一种LED显示系统、装置及方法，其包括：第一显示信息发送模块；基于硬件构建的第一级缓存，与第一显示信息发送模块电性连接，用于缓存第一显示信息发送模块发送的第一显示信息；传输设备，其一端与第一级缓存...

本发明涉及闪存芯片技术领域，具体公开了一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取第一阈值电压差和第二阈值电压差；根据第一阈值电压差和第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值；...

本申请提供了一种Flash芯片封装结构。该Flash芯片封装结构包括：矩形非层叠的Flash裸片，重布线层，若干个焊盘以及矩形包封外壳。从该Flash芯片封装结构的俯视角度上看，所述Flash裸片的面积达所述包封外壳俯视面面积的60％以...

本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种无感扩容的Nor Flash、感知电路及电子设备，其中，感知电路包括：多个分别与不同副芯片连接的开漏pad；上拉电阻，其第一端与所有开漏pad的输出端连接，其第二端连接供电电压；晶体管，其第一端...

本实用新型涉及电荷泵技术领域，提供了一种用于振荡器的反相器电路、振荡器及电荷泵电路，该反相器电路包括：反相器模块，包括信号输入端、第一偏置电压输入端、第二偏置电压输入端和信号输出端；高阻节点去除模块，其两端分别接地和与所述信号输出端连接...

本实用新型涉及集成电路技术领域，具体公开了一种低噪声的有源滤波电路、带隙基准电路及电源管理芯片，其中，该低噪声的有源滤波电路包括：第一MOS管、第二MOS管、恒流电源、滤波电容、带隙基准输入端及滤波电压输出端；该低噪声的有源滤波电路基于...