本发明专利技术公开了一种延迟偏置电压建立的方法、偏置电路、比较器和集成电路，涉及半导体集成电路技术领域。该方法应用在偏置电路中，所述偏置电路包括第一供电模块和与所述第一供电模块连接的偏置模块，所述方法用于延迟偏置电压的建立，包括以下步骤：当偏置使能信号由低电平转为高电平时，令所述第一供电模块接地放电，在延时后令所述第一供电模块复原；该方法在偏置使能开启时,通过令第一供电模块短暂接地，延迟了偏置电压的建立，从而可以使比较器输入的偏置电压值更准确。器输入的偏置电压值更准确。器输入的偏置电压值更准确。
【技术实现步骤摘要】
延迟偏置电压建立的方法、偏置电路、比较器和集成电路
[0001]本申请涉及半导体集成电路
，具体而言，涉及一种延迟偏置电压建立的方法、偏置电路、比较器和集成电路。
技术介绍
[0002]请参考图5，图5是一种现有技术的偏置电路的偏置电压与供电模块的输出电压的波形图和偏置使能信号的时序图。现有技术的为比较器提供偏置电压的偏置电路，在偏置使能信号由低电平转为高电平时直接使供电模块连接偏置电路，由于偏置电路内其他节点的分压，供电模块的输出电压值会从供电电压值逐渐下降到某个稳定的值；而偏置电压会在供电模块的输出电压建立后到逐渐下降到某个稳定值的过程中的某个时刻建立，则偏置电压值会瞬时上升到该时刻供电模块的输出电压值，然后与供电模块的输出电压值一同逐渐下降到某个稳定的值。若偏置电压建立早于比较器的输入的建立，比较器会输入错误的值，这种情况不是我们希望的。
技术实现思路
[0003]本申请的目的在于提供一种延迟偏置电压建立的方法、偏置电路、比较器和集成电路，在偏置使能开启时，通过令第一供电模块短暂接地，延迟了偏置电压的建立，从而可以使比较器输入的偏置电压值更准确。
[0004]第一方面，本申请提供了一种延迟偏置电压建立的方法，应用在偏置电路中，所述偏置电路包括第一供电模块和与所述第一供电模块连接的偏置模块，用于延迟偏置电压的建立，所述方法包括以下步骤：当偏置使能信号由低电平转为高电平时，令所述第一供电模块接地放电，在延时后令所述第一供电模块复原。
[0005]由上可知，本申请提供了一种延迟偏置电压建立的方法，该方法在偏置使能开启时,通过令第一供电模块短暂接地，延迟了偏置电压的建立，从而可以使比较器输入的偏置电压值更准确。
[0006]第二方面，本申请还提供了一种偏置电路，包括启动模块和偏置模块;所述启动模块包括第一延时模块和短暂接地模块,所述短暂接地模块包括第一延时模块、第一与门和NMOS开关管;偏置使能信号的反相信号通过第一延时模块连接所述第一与门的一输入端，所述第一与门的另一输入端连接所述偏置使能信号，所述NMOS开关管的漏极连接所述偏置模块的输入端，并连接所述第一供电模块，其栅极连接所述第一与门的输出端，且其源极接地；或所述短暂接地模块包括第二延时模块、第一或门和PMOS开关管；所述偏置使能信号通过所述第二延时模块连接所述第一或门的一输入端，所述第一或门的另一输入端连接所述反相信号，所述PMOS开关管的源极连接所述偏置模块的输入端，并连接所述第一供电模块，其栅极连接所述第一或门的输出端，且其漏极接地。
[0007]本申请的一种偏置电路，在偏置使能开启时，通过令第一供电模块短暂接地，延迟了偏置电压的建立，从而可以使比较器输入的偏置电压值更准确。
[0008]可选地，本申请所述的偏置电路中，所述第一延时模块包括第一电容，所述第一电容的一端连接供电电压，另一端连接所述第一与门的一输入端。
[0009]在该偏置电路中，本方案通过使用第一电容作为延时模块，可以在偏置使能开启时短暂导通NMOS开关管，使第一供电模块短暂接地，延迟了偏置电压的建立，从而可以使比较器输入的偏置电压值更准确。
[0010]可选地，本申请所述的偏置电路中，所述第二延时模块包括第二电容，所述第二电容的一端接地，另一端连接所述第一或门的一输入端。
[0011]在该偏置电路中，本方案通过使用第二电容作为延时模块，可以在偏置使能开启时短暂导通PMOS开关管，使第一供电模块短暂接地，延迟了偏置电压的建立，从而可以使比较器输入的偏置电压值更准确。
[0012]可选地，本申请所述的偏置电路中，所述偏置模块包括第二供电模块、第一mos管、第二mos管、第三mos管、第四mos管、第五mos管、第六mos管、第七mos管、第八mos管、第九mos管、第十mos管；所述第一mos管的漏极连接所述第二供电模块，其栅极连接所述偏置使能信号，且其源极连接所述所述第四mos管的漏极和栅极、所述第五mos管的栅极、所述第六mos管的栅极和所述第七mos管的漏极；所述第二mos管的栅极连接所述偏置使能信号，其漏极为所述偏置模块的输入端，且其源极连接所述第五mos管的漏极、所述第八mos管的栅极、所述第九mos管的栅极和所述第十mos管的漏极；所述第三mos管的源极连接所述供电电压，其栅极与其漏极连接在一起并连接所述第六mos管的漏极；所述第四mos管的源极连接所述第七mos管的源极、所述第八mos管的源极、所述第九mos管的源极和所述第十mos管的源极；所述第五mos管的源极连接所述第八mos管的漏极；所述第六mos管的源极连接所述第九mos管的漏极；所述第七mos管的栅极连接所述反相信号；所述第十mos管的栅极连接所述反相信号。
[0013]在该偏置电路中，具体应用中，本方案通过使用由第二电流源和mos管组成的偏置模块，可以在偏置使能信号由低电平转为高电平时使启动模块的输出电压连接偏置模块的输入端，并在延时结束时建立偏置电压，并使与启动模块的输出电压数值相同的偏置电压逐渐上升到某个稳定值，延迟了偏置电压的建立，从而可以使比较器输入的偏置电压值更准确。
[0014]可选地，本申请所述的偏置电路中，所述第三mos管为p管；所述第一mos管、所述第二mos管、所述第四mos管、所述第五mos管、所述第六mos管、所述第七mos管、所述第八mos管、所述第九mos管和所述第十mos管为n管。
[0015]可选地，本申请所述的偏置电路中，所述第一供电模块包括连接供电电压的第一电流源，所述第二供电模块包括连接供电电压的第二电流源。可选地，本申请所述的偏置电
路中，所述第一电流源和所述第二电流源是基于芯片内部的偏置电流输出电流的电流源电路。
[0016]第三方面，本申请还提供了一种比较器，包括如上述任一所述的偏置电路。
[0017]第四方面，本申请还提供了一种集成电路，包括如上述任一所述的偏置电路或比较器。
[0018]由上可知，本申请提供了一种延迟偏置电压建立的方法、偏置电路、比较器和集成电路，其中本申请提供的方法在偏置使能开启时,通过令第一供电模块短暂接地，延迟了偏置电压的建立，从而可以使比较器输入的偏置电压值更准确。
[0019]本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0020]图1为本申请实施例提供的一种延迟偏置电压建立的方法的流程图。
[0021]图2为本申请实施例提供的一种偏置电路实施例1的电路图。
[0022]图3为本申请实施例提供的一种偏置电路实施例2的电路图。
[0023]图4是本申请实施例提供的一种偏置电路的偏置电压与第一供电模块的输出电压的波形图。
[0024]图5是一种现有技术的偏置电路的偏置电压与供电模块的输出电压的波形图和偏置使能信号的时序图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种延迟偏置电压建立的方法，应用在偏置电路中，所述偏置电路包括第一供电模块（110）和与所述第一供电模块（110）连接的偏置模块（200），其特征在于，所述方法用于延迟偏置电压的建立，包括以下步骤：当偏置使能信号由低电平转为高电平时，令所述第一供电模块（110）接地放电；在延时后令所述第一供电模块（110）复原。2.一种偏置电路，包括启动模块（100）和偏置模块（200）;其特征在于,所述启动模块（100）包括第一供电模块（110）和短暂接地模块（120）；所述短暂接地模块（120）包括第一延时模块（121）、第一与门（122）和NMOS开关管（123）；偏置使能信号的反相信号通过所述第一延时模块（121）连接所述第一与门（122）的一输入端，所述第一与门（122）的另一输入端连接所述偏置使能信号，所述NMOS开关管（123）的漏极连接所述偏置模块（200）的输入端，并连接所述第一供电模块（110），其栅极连接所述第一与门（122）的输出端，且其源极接地；或所述短暂接地模块（120）包括第二延时模块（131）、第一或门（132）和PMOS开关管（133）；所述偏置使能信号通过所述第二延时模块（131）连接所述第一或门（132）的一输入端，所述第一或门（132）的另一输入端连接所述反相信号，所述PMOS开关管（133）的源极连接所述偏置模块（200）的输入端，并连接所述第一供电模块（110），其栅极连接所述第一或门（132）的输出端，且其漏极接地。3.根据权利要求2所述的偏置电路，其特征在于，所述第一延时模块（121）包括第一电容（130），所述第一电容（130）的一端连接供电电压，另一端连接所述第一与门（122）的一输入端。4.根据权利要求2所述的偏置电路，其特征在于，所述第二延时模块（131）包括第二电容（140），所述第二电容（140）的一端接地，另一端连接所述第一或门（132）的一输入端。5.根据权利要求2所述的偏置电路，其特征在于，所述偏置模块（200）包括第二供电模块（220）、第一mos管（201）、第二mos管（202）、第三mos管（203）、第四mos管（204）、第五mos管（205）、第六mos管（206）、第七mos管（207）、第八mos管（208）、第九mos管（209）和第十mos管（2...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴彤彤，温靖康，鲍奇兵，高益，王振彪，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。