【技术实现步骤摘要】
本技术属于存储芯片，特别涉及一种用于存储芯片的基准电压测量装置及存储芯片。
技术介绍
1、存储芯片通过基准电压模块生产基准电压，该基准电压会随着存储芯片的生产工艺的拉偏而变化，因此在存储芯片生产完成后，现有技术需要在测试阶段将基准电压重新调整至目标值（trimming）。现有的基准电压测量装置通过模拟测量的方法测量基准电压，具体地，现有的基准电压测量装置测量基准电压的具体流程为：先将基准电压模块产生的基准电压经过一个特殊测试模式开关传输到存储芯片的一个引脚上，再使用高精度的模拟测量单元进行测量，并将基准电压的实际测量值与目标值进行比较和根据比较结果对基准电压进行调整。由于现有的基准电压测量装置需要将基准电压通过特殊测试模式开关传输至存储芯片的一个引脚上，因此现有的基准电压测量装置需要通过esd（静电释放）特殊设计和版图设计对该引脚进行特殊处理，从而导致现有的基准电压测量装置存在由于需要对存储芯片的引脚进行特殊处理而导致设计复杂和测试成本上升的问题。而由于现有的基准电压测量装置需要使用高精度的模拟测量单元对传输至存储芯片的引脚上的基准电压进行测量，而模拟测量单元的精度越高，模拟测量单元的价格越昂贵，因此现有的基准电压测量装置还存在由于需要使用高精度的模拟测量单元而导致测试成本上升的问题。
2、因此，现有技术有待改进和发展。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供了一种用于存储芯片的基准电压测量装置及存储芯片，能够有效地解决由于需要对存储芯片的引脚进行特殊处理而导致设计复杂
2、第一方面，本申请提供一种用于存储芯片的基准电压测量装置，用于测量存储芯片的基准电压，存储芯片包括基准电压模块，用于存储芯片的基准电压测量装置包括：
3、基于多个第一电阻串联的电阻组，其一端与电源电压连接；
4、多个比较器，至少两个第一电阻的电流输出端分别与一个比较器的第一输入端连接，比较器的第二输入端与基准电压模块连接；
5、第二电阻，其一端与电阻组的另一端连接，其另一端通过测试模式开关接地，其阻值大于或等于第一电阻的阻值；
6、控制器，与比较器的输出端连接，用于根据比较器的输出测量基准电压。
7、本申请提供的一种用于存储芯片的基准电压测量装置，通过电阻分压的方式测量基准电压，由于该装置无需将基准电压传输至存储芯片的引脚上，因此该装置无需通过esd特殊设计和版图设计对存储芯片的引脚进行特殊处理，从而有效地解决由于需要对存储芯片的引脚进行特殊处理而导致设计复杂和测试成本上升的问题，而由于该装置通过多个串联设置的第一电阻和多个比较器就能够实现基准电压的测量，因此该装置无需使用高精度的模拟测量单元对基准电压进行测量，从而有效地解决由于在测量基准电压时需要使用高精度的模拟测量单元而导致测试成本上升的问题。
8、进一步地，第一输入端为比较器的正相输入端，第二输入端为比较器的反相输入端。
9、进一步地，基准电压的目标值为0.9v-1.1v，电源电压为1.5v，第一电阻的数量为8个，比较器的数量为8个，所有第一电阻的电流输出端均与一个比较器的第一输入端连接，第二电阻的阻值为第一电阻的阻值的7倍。
10、进一步地，第一电阻的电流输出端通过电路开关与比较器的第一输入端连接。
11、由于该技术方案的第一电阻的电流输出端通过电路开关与比较器的输入端连接，即该技术方案的比较器可以与不同的第一电阻连接，因此在测量基准电压时，该技术方案可以先将一部分的分压值与基准电压进行比较，再将剩余部分的分压值与基准电压进行比较，从而有效地减少测量基准电压所需要的比较器的数量，进而有效地避免出现由于需要设置过多的比较器而导致存储芯片的面积增大的情况和进一步地降低基准电压的测试成本。
12、进一步地，基准电压的目标值为0.9v-1.1v，电源电压为1.5v，第一电阻的数量为8个，比较器的数量为4个，其中4个第一电阻的电流输出端通过电路开关分别与4个比较器的第一输入端连接，第二电阻的阻值为第一电阻的阻值的7倍。
13、进一步地，第一电阻的数量为6-10个。
14、进一步地，比较器的数量为6-10个。
15、进一步地，测试模式开关包括mos管，mos管的漏极与第二电阻的一端连接，mos管的源极接地，mos管的栅极与测试信号连接。
16、进一步地，mos管为nmos管。
17、第二方面，本技术提供的一种存储芯片，该存储芯片包括如上述第一方面提供的一种用于存储芯片的基准电压测量装置。
18、本申请提供的一种存储芯片，通过电阻分压的方式测量基准电压，由于该存储芯片无需将基准电压传输至存储芯片的引脚上，因此该存储芯片无需通过esd特殊设计和版图设计对存储芯片的引脚进行特殊处理，从而有效地解决由于需要对存储芯片的引脚进行特殊处理而导致设计复杂和测试成本上升的问题，而由于该存储芯片通过多个串联设置的第一电阻和多个比较器就能够实现基准电压的测量，因此该存储芯片无需使用高精度的模拟测量单元对基准电压进行测量，从而有效地解决由于在测量基准电压时需要使用高精度的模拟测量单元而导致测试成本上升的问题。
19、由上可知，本技术提供的一种用于存储芯片的基准电压测量装置及存储芯片，通过电阻分压的方式测量基准电压，由于该装置无需将基准电压传输至存储芯片的引脚上，因此该装置无需通过esd特殊设计和版图设计对存储芯片的引脚进行特殊处理，从而有效地解决由于需要对存储芯片的引脚进行特殊处理而导致设计复杂和测试成本上升的问题，而由于该装置通过多个串联设置的第一电阻和多个比较器就能够实现基准电压的测量，因此该装置无需使用高精度的模拟测量单元对基准电压进行测量，从而有效地解决由于在测量基准电压时需要使用高精度的模拟测量单元而导致测试成本上升的问题。
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1.一种用于存储芯片的基准电压测量装置，用于测量存储芯片的基准电压，所述存储芯片包括基准电压模块，其特征在于，所述用于存储芯片的基准电压测量装置包括：
2.根据权利要求1所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述第一输入端为所述比较器的正相输入端，所述第二输入端为所述比较器的反相输入端。
3.根据权利要求1所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述基准电压的目标值为0.9V-1.1V，所述电源电压为1.5V，所述第一电阻的数量为8个，所述比较器的数量为8个，所有所述第一电阻的电流输出端均与一个所述比较器的第一输入端连接，所述第二电阻的阻值为所述第一电阻的阻值的7倍。
4.根据权利要求1所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述第一电阻的电流输出端通过电路开关与所述比较器的第一输入端连接。
5.根据权利要求4所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述基准电压的目标值为0.9V-1.1V，所述电源电压为1.5V，所述第一电阻的数量为8个，所述比较器的数量为4个，其中4个所述第一电阻的电流输
6.根据权利要求1所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述第一电阻的数量为6-10个。
7.根据权利要求1所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述比较器的数量为6-10个。
8.根据权利要求1所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述测试模式开关包括MOS管，所述MOS管的漏极与所述第二电阻的一端连接，所述MOS管的源极接地，所述MOS管的栅极与测试信号连接。
9.根据权利要求8所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述MOS管为NMOS管。
10.一种存储芯片，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的用于存储芯片的基准电压测量装置。
...【技术特征摘要】
1.一种用于存储芯片的基准电压测量装置，用于测量存储芯片的基准电压，所述存储芯片包括基准电压模块，其特征在于，所述用于存储芯片的基准电压测量装置包括：
2.根据权利要求1所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述第一输入端为所述比较器的正相输入端，所述第二输入端为所述比较器的反相输入端。
3.根据权利要求1所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述基准电压的目标值为0.9v-1.1v，所述电源电压为1.5v，所述第一电阻的数量为8个，所述比较器的数量为8个，所有所述第一电阻的电流输出端均与一个所述比较器的第一输入端连接，所述第二电阻的阻值为所述第一电阻的阻值的7倍。
4.根据权利要求1所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述第一电阻的电流输出端通过电路开关与所述比较器的第一输入端连接。
5.根据权利要求4所述的用于存储芯片的基准电压测量装置，其特征在于，所述基准电压的目标值为0.9...
【专利技术属性】
技术研发人员：温靖康，鲍奇兵，高益，王振彪，吴彤彤，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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