一种电流比较器及其控制方法技术

本发明专利技术公开了一种电流比较器及其控制方法，涉及集成电路技术领域，电流比较器包括：第一PMOS管和第二PMOS管，第一PMOS管的栅极和第一PMOS管的漏极连接，第二PMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极连接，第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极均连接电源；第一比较开关、第二比较开关、第一存储阵列和第二存储阵列，第一比较开关的两端分别连接第一PMOS管的漏极和第一存储阵列，第二比较开关的两端分别连接第二PMOS管的漏极和第二存储阵列，对比时，闭合第一比较开关和第二比较开关，以比较第一PMOS管漏极的第一电流和第二PMOS管漏极的第二电流，得到第一电流和第二电流的对比结果。本申请简单的电路结构使电路的面积较小，相较于其他复杂的电流比较器，此电路具有较大的面积优势。势。势。

【技术实现步骤摘要】
一种电流比较器及其控制方法


[0001]本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种电流比较器及其控制方法。

技术介绍

[0002]电流比较器是基于电流感知型RRAM存内计算电路的一个重要组成部分，因此，设计此电流比较器主要是为了将其应用到基于电流感知型RRAM的存内计算电路系统中，解决存算系统中的数据读取问题。传统的电流比较器电路结构复杂，且访问效率低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种电流比较器及其控制方法，简单的电路结构使电路的面积较小，相较于其他复杂的电流比较器，此电路具有较大的面积优势。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]本专利技术实施例的一方面提供了一种电流比较器，所述电流比较器包括：第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接电源；第一比较开关、第二比较开关、第一存储阵列和第二存储阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电流比较器，其特征在于，所述电流比较器包括：第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一PMOS管的栅极和所述第一PMOS管的漏极连接，所述第二PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接电源；第一比较开关、第二比较开关、第一存储阵列和第二存储阵列，所述第一比较开关的两端分别连接所述第一PMOS管的漏极和所述第一存储阵列，所述第二比较开关的两端分别连接所述第二PMOS管的漏极和所述第二存储阵列，对比时，闭合第一比较开关和第二比较开关，以比较所述第一PMOS管漏极的第一电流和所述第二PMOS管漏极的第二电流，得到第一电流和第二电流的对比结果。2.根据权利要求1所述的电流比较器，其特征在于，所述电流比较器还包括总开关，所述总开关的输入端连接电源，所述总开关的输出端连接所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极，所述总开关的控制端用于接收第一使能信号。3.根据权利要求2所述的电流比较器，其特征在于，所述总开关采用第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极连接电源，所述第三PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极，所述第三PMOS管的栅极用于接收第一使能信号。4.根据权利要求1所述的电流比较器，其特征在于，所述电流比较器还包括第一下拉元器件和第二下拉元器件，所述第一下拉元器件的输出端连接所述第一PMOS管的漏极，所述第一下拉元器件的控制端连接所述第二PMOS管的漏极，所述第二下拉元器件的输出端连接所述第二PMOS管的漏极，所述第二下拉元器件的控制端连接所述第一PMOS管的漏极，所述第一下拉元器件的输入端和所述第二下拉元器件的输入端均接地。5.根据权利要求4所述的电流比较器，其特征在于，所述第一下拉元器件采用第一NMOS管，所述第二下拉元器件采用第二NMOS管，所述第一NMOS管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周玉梅，黎涛，游恒，乔树山，尚德龙，
申请(专利权)人：中科南京智能技术研究院，
类型：发明
国别省市：