多工作模式的高速比较器制造技术

本发明专利技术提供一种多工作模式的高速比较器，包括前置放大级电路，前置放大级电路用于放大第一、二输入信号，以及输出第一、二输出信号；至少两种工作模式的工作电路，每个工作电路的输入端用于接收第一、二输出信号，每个工作电路的输出端加到集成运放的同相输出端形成正反馈路径，每个工作电路的输出端反馈于第一、二输出信号；对应每种工作电路的隔离开关，不同的隔离开关设置于每个正反馈路径，其中一种工作模式的工作电路工作时，其正反馈路径中的隔离开关闭合，其余的隔离开关断开，使得非工作模式的其余正反馈路径隔离。本发明专利技术通过隔离开关开关对未开启模式的冗余的正反馈路径进行隔离，可以减小未开启模式相关MOS管的栅电容对当前工作模式响应时间的影响。容对当前工作模式响应时间的影响。容对当前工作模式响应时间的影响。

【技术实现步骤摘要】
多工作模式的高速比较器


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种多工作模式的高速比较器。

技术介绍

[0002]比较器是现代电子系统中的重要组成部分，是模拟信号与数字信号的基本转换单元，可以作为1位模数转换器。其大多工作在开环状态，通常还会采用内部正反馈的形式获得更大的增益或迟滞的效果。
[0003]比较器广泛应用于模拟信号到数字信号的转换过程中，比如应用于ADC(模拟数字转换器)中具有固定基准电压的单门限比较器和复杂干扰环境中具有两个比较基准的双门限比较器。可以在比较器中集成多个应用于不同场景的工作模式，让比较器应用于以上不同的环境中，但是这会大大地影响比较器的响应速度，因此模式的设置会限制比较器的响应速度。
[0004]例如图1是钳位推挽输出比较器的结构，其中NM10～NM13是正反馈路径上的NMOS管，设有两个工作模式Mode1和Mode2。
[0005]正常工作时只有Mode1或Mode2工作，另一个模式冗余。这个冗余的模式会在第一级输出节点A、B上增加栅电容，降低响应速度。在模拟电路中,器件尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多工作模式的高速比较器，其特征在于，至少包括：前置放大级电路，所述前置放大级电路用于放大所述第一、二输入信号，以及输出第一、二输出信号；至少两种工作模式的工作电路，每个所述工作电路的输入端用于接收所述第一、二输出信号，每个所述工作电路的输出端加到集成运放的同相输出端形成正反馈路径，每个所述工作电路的输出端反馈于所述第一、二输出信号；对应每种所述工作电路的隔离开关，不同的所述隔离开关设置于每个所述正反馈路径，其中一种工作模式的所述工作电路工作时，其所述正反馈路径中的所述隔离开关闭合，其余的所述隔离开关断开，使得非工作模式的其余所述正反馈路径隔离。2.根据权利要求1所述的多工作模式的高速比较器，其特征在于：所述前置放大级电路为差动放大电路。3.根据权利要求1所述的多工作模式的高速比较器，其特征在于：所述工作电路至少包括第一工作模式、第二工作模式。4.根据权利要求1所述的多工作模式的高速比较器，其特征在于：所述隔离开关包括NMOS、PMOS、传输门开关、栅压自举开关。5.根据权利要求1所述的多工作模式的高速比较器，其特征在于：所述高速比较器为P型差分对。6.根据权利要求5所述的多工作模式的高速比较器，其特征在于：所述前置放大级电路包括第一PMOS、第二PMOS、第三PMOS、第四NMOS和第五NMOS；所述第一工作模式的所述工作电路包括第六NMOS、第十NMOS、第七NMOS和第十一NMOS；其对应的所述隔离开关包括第一开关和第二开关；所述第二工作模式的所述工作电路包括第八NMOS、第十二NMOS、第九NMOS和第十三NMOS；其对应的所述隔离开关包括第三开关和第四开关；其中，所述第一PMOS的源极接电源电压，第一PMOS的栅极接偏置电压，第二PMOS的栅极接第一输入信号，第三PMOS的栅极接第二输入信号，第一PMOS的漏极分别与第二PMOS,第三PMOS的源极连接，第二PMOS的漏极与第四NMOS的漏极连接，第三PMOS的漏极与第五NMOS漏极连接；所述第六NMOS的漏极与第十NMOS的源极连接，第八NMOS的漏极与第十二NMOS的源极连接，第九NMOS的漏极与第十三NMOS的源极连接，第七NMOS的漏极与第十一NMOS的源极连接；所述第十NMOS的漏极与第十二NMOS的漏极耦接到第三PMOS的漏极与第五NMOS的漏极间；所述第十一NMOS的漏极与第十三NMOS的...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢雨桥，张志军，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：