浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片技术

本申请涉及半导体技术领域，特别是一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片，以解决相关技术中自然氧化物层无法去除完全，从而不利于后续线性氧化物层的生长，进而不利于浅沟槽隔离结构对有源区进行隔离的问题。一种浅沟槽隔离结构制备方法，包括：在硅片上形成浅沟槽结构，浅沟槽结构的表面形成有自然氧化物层；采用SiCoNi刻蚀工艺，将自然氧化物层去除，并在去除自然氧化物层的硅片表面形成保护层，保护层的材料包括：六氟硅酸氨；将保护层去除，并在去除保护层的硅片表面形成线性氧化物层。氧化物层。氧化物层。

【技术实现步骤摘要】
浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片


[0001]本申请涉及半导体
，特别是一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片。

技术介绍

[0002]浅沟槽隔离技术（Shallow Trench Isolation，STI）是在衬底上制作晶体管有源区之间的隔离区的一种工艺，能有效保证n型和p型掺杂区域彻底隔断。具体的，浅沟槽隔离技术是在n型和p型掺杂区域中先将Si刻蚀掉，形成一个浅沟槽，然后在浅沟槽中填入绝缘的物质，达到隔离的目的。浅沟槽隔离技术相比传统的本征氧化隔离技术，可以减少电极间的漏电流，承受更大的击穿电压。
[0003]在STI的隔离工艺中，是靠填充在有源区之间的氧化硅介质层来实现的。所以，氧化硅介质层的填充是STI隔离的关键工艺。在采用HDPCVD（High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，高密度等离子体化学气相沉积）或HARP（Highaspectratioprocess，高深宽比工艺）沉积氧化硅，对浅沟槽进行填充之前，先利用热氧化在刻蚀后的浅沟槽表面生长一层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽隔离结构制备方法，其特征在于，包括：在硅片上形成浅沟槽结构，所述浅沟槽结构的表面形成有自然氧化物层；采用SiCoNi刻蚀工艺，将所述自然氧化物层去除，并在去除所述自然氧化物层的硅片表面形成保护层，所述保护层的材料包括：六氟硅酸氨；将所述保护层去除，并在去除所述保护层的硅片表面形成线性氧化物层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用SiCoNi刻蚀工艺，将所述自然氧化物层去除，并在去除所述自然氧化物层的硅片表面形成保护层，包括：将形成有所述自然氧化物层的硅片放置于第一反应腔中；向所述第一反应腔内通入NH3、NF3和等离子体气源；使所述NH3和NF3在等离子体的激发下，与所述自然氧化物层发生反应，将所述自然氧化物层转换成所述保护层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述NH3的流量为70~100sccm，所述NF3的流量为14~30sccm。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将所述保护层去除和在去除所述保护层的硅片表面形成线性氧化物层发生在同一反应腔内。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将所述保护层去除，包括：将形成有所述保护层的硅片放置于第二反应腔中；对所述第二反应腔抽真空，至所述第二反应腔内的真空度为6.8~7.2Torr；对所述第二反应腔进行加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄琼阳，卢金德，贾晓峰，陈献龙，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：