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本申请涉及半导体技术领域，特别是一种浅沟槽隔离结构及其制备方法、半导体结构和芯片，以解决相关技术中自然氧化物层无法去除完全，从而不利于后续线性氧化物层的生长，进而不利于浅沟槽隔离结构对有源区进行隔离的问题。一种浅沟槽隔离结构制备方法，包括：...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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