本实用新型涉及一种原子力显微镜的校准标片，原子力显微镜的校准标片包括本体。本体设有第一表面。第一表面上设置有至少一个标准单元，标准单元为第一表面朝向本体的内侧方向凹设形成的凹部，台阶面在环绕凹部的中心轴线上的各个部位宽度保持一致。在对原...

本实用新型公开一种烟气出口启闭装置及无尘室消防排烟系统，其中，烟气出口启闭装置包括可枢转地设在消防排烟系统的管道的出口端上的盖板；设在管道和盖板两者中的至少一个上的密封件；以及至少设在管道的出口端上的、能够在接收到第一信号时对盖板施加不...

本实用新型涉及一种离子源辅助安装工具，离子源辅助安装工具包括灯丝定位件和安装部，灯丝定位件与安装部连接，并凸出于安装部；安装部具有第一定位结构，第一定位结构用于与离子源的第二定位结构配合，用于限定离子源的支撑部的位置；灯丝定位件被配置为...

本发明提供一种半导体器件的形成方法，涉及半导体制造领域，并通过在形成图形化的光刻胶层之前，增加了通过离子注入工艺对所述氧化硅层注入非电性元素，改变了所述氧化硅层表面的富氧状况，达到了对氧化硅层的材料改性的效果，增加了所述光刻胶层与所述氧...

本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：第一金属层、绝缘层、导电柱、第二金属层，绝缘层设置于第一金属层和第二金属层之间；导电柱贯穿绝缘层，且导电柱的两端分别嵌入至第一金属层和第二金属层之内。本发明通过后段工艺中金属层间的导...

本申请公开了一种晶圆接受测试结构及其测试方法，该晶圆接受测试结构包括基底和金属互连层，其中，金属互连层设置于基底上，金属互连层包括至少两个由下至上依次层叠设置的金属互连结构，金属互连结构包括介质层、连接插塞和金属层，连接插塞位于介质层内...

本申请涉及缺陷扫描检测方法、装置、扫描设备和可读存储介质，该缺陷扫描检测方法应用于待测晶圆，缺陷扫描检测方法包括：提供扫描机台，在所述扫描机台导入待检测晶圆的版图文件，根据第一预定义尺寸，将所述待检测晶圆划分为多个晶粒整合区域，每个晶粒...

本申请涉及一种探针卡监控系统及方法。探针卡监控系统包括：探针机，用于承载探针卡并带动待测样品移动，并记录探针卡的第一扎针次数；测试机，其中，测试机包括：测试机机头，用于在与探针卡接触连接时，获取探针卡的特征信息；第一主控装置，分别与测试...

本实用新型涉及一种预防性维护管道污染的保护机构以及基板处理装置，预防性维护管道污染的保护机构包括封堵部与手持部，封堵部设有相对的两端，封堵部的直径从其中一端至另一端呈逐渐增大趋势。当对反应腔室腔盖进行预防性维护处理时，作业人员可以直接拿...

本申请涉及一种存储盘主备切换方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：连接存储盘，并为所述存储盘创建挂载点；获取虚拟地址状态以及挂载点状态；根据所述虚拟IP地址状态以及所述挂载点状态，对所述存储盘进行动态调整，以使...

本发明涉及一种半导体测试结构及半导体测试方法。半导体测试结构包括：测试单元，测试单元包括：第一传输晶体管、第二传输晶体管、第三传输晶体管、第四传输晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一测试焊盘、第二...

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件基底、栅极结构和介质层。其中，基底内设置有沟道区、源区、漏区、漂移区和第一浅槽隔离结构，源区位于沟道区内，漏区位于漂移区内，漂移区位于沟道区和第一浅槽隔离结构之间；栅极结构覆盖于部分沟...

本实用新型公开了一种温度检测装置及离子注入机台，该温度检测装置包括机械手臂、驱动装置及温度探头。其中，机械手臂固定安装于离子注入机台的反应腔室内，驱动装置与机械手臂驱动连接，温度探头安装于机械手臂的端部，且与反应腔室内的晶圆吸盘相对设置...

本发明提供了一种晶圆平整度的监控方法，包括：提取晶圆在光刻工艺中产生的第一数据文件和第二数据文件，第一数据文件包括所有晶圆的所有晶圆层的外观扫描数据以及光刻设备的参数数据，第二数据文件包括光刻条件、晶圆信息和晶圆上的芯片坐标；将LOT相...

本发明涉及一种形成金属硅化物的工艺参数的检测方法，该方法包括：提供硅衬底，于硅衬底上形成金属层，并检测金属层的电阻值；执行第一次退火工艺，以使金属层与部分硅衬底反应形成金属硅化物层，金属硅化物层包括第一金属硅化物层和第二金属硅化物层；检...

本发明提供了一种沟槽的形成方法，包括提供一衬底，衬底上依次形成有氧化层、多晶硅层及图形化的掩模层，图形化的掩模层的开口率小于1%；执行第一干法蚀刻工艺，蚀刻去除60%~80%厚度的多晶硅层，其蚀刻气体包括氯气及不含溴的卤素气体；以及，执...

本申请公开了一种物料监测方法、装置、计算机设备及可读存储介质，所述物料监测方法包括：确定候选物料的库存信息；基于所述库存信息，计算所述候选物料对应的历史消耗速度；获取目标产品，并根据所述目标产品的产品信息，构建所述目标产品的投片计划；基...

本发明属于半导体离子注入技术领域，公开了一种离子注入机台注入角度监控方法，包括：选取第一硅晶圆进行湿法清洗，并检测清洗后的第一硅晶圆的表面缺陷点是否合格；将表面缺陷点合格的第一硅晶圆进行外延成长后得到第二硅晶圆；测试第二硅晶圆的晶格损伤...

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括以下步骤。提供衬底，衬底上设置有多个间隔分布的导电结构以及覆盖导电结构侧壁的第一侧墙。刻蚀第一侧墙以调整第一侧墙的形貌，得到第二侧墙；其中，第二侧墙的顶部具有台阶，第二侧墙的...

本申请公开了一种晶圆检测方法、装置、计算机设备及可读存储介质，所述晶圆检测方法包括：获取参考晶圆；对所述参考晶圆的厚度数据进行检测，得到参考厚度信息；验证所述参考厚度信息的数据合理性；将数据合理性通过的参考晶圆对应的光谱存储至预设光谱模...