本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；形成图形化的氮化硅层，通过干法刻蚀形成浅沟槽；在浅沟槽中形成二氧化硅隔离结构，其上表面与半导体衬底上表面的高度差形成第一阶梯高度；通过第一氮化硅湿法刻蚀去除部分氮...

本发明提供一种外延工艺的监控方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有外延层，外延层上形成有第一氧化层；执行预处理工艺，去除第一氧化层，并形成覆盖外延层的第二氧化层，所述第二氧化层较所述第一氧化层的厚度均匀且致密；利用电阻率测试设备对所述衬底...

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。其中，该半导体器件包括基底、栅极结构和场板阵列。其中，基底内设置有沟道区、源极区、漏极区、漂移区、第一浅槽隔离结构和第二浅槽隔离结构，源极区位于沟道区内，漏极区和第一浅槽隔离结构位于漂移区内，第一...

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基底、场板和多晶硅层。其中，基底内设置有沟槽栅极；场板设置于基底上，场板包括相对于沟槽栅极对称设置的第一子场板和第二子场板；多晶硅层包括第一子多晶硅层和第二子多晶硅层，第一子多晶硅...

本发明提供一种多晶硅干法刻蚀的方法及半导体结构的制备方法，多晶硅干法刻蚀的方法包括：提供半导体基底；于半导体基底表面形成多晶硅层；于多晶硅层表面形成光阻层，并对光阻层进行图形化，以使光阻层形成打开区与阻止区，且打开区贯穿光阻层；基于打开...

本发明提供一种纳米管的制备方法，包括：制备二氧化硅纳米线；以二氧化硅纳米线作为牺牲模板在其表面生长MoS2，形成MoS2包裹二氧化硅纳米线的核壳结构纳米线；去除二氧化硅纳米线，形成中空的MoS2纳米管。本发明以二氧化硅纳米线作为牺牲模板...

本实用新型提供一种活动夹具，包括旋转夹具、抓取手臂和至少三个活动支撑脚，所述活动支撑脚的形状与所述抓取手臂的抓取端适配；其中，所述抓取手臂被配置为：将所述活动支撑脚固定在所述旋转夹具上以及将所述活动支撑脚从所述旋转夹具上分离；所述旋转夹...

本发明提供一种外延层的制备方法以及含外延层的半导体，制备方法包括：提供一衬底；在外延腔室的内壁形成硅膜层，所述硅膜层不掺杂；在所述外延腔室内生长位于所述衬底上的第一外延层，所述第一外延层不掺杂或者低掺杂；在所述外延腔室内生长位于所述第一...

本发明提供了一种SRAM字线电压的调节电路，包括：第一n输入与非门，输入端接收字线译码电路的行译码信号；第一PMOS管，源极接入电源电压，第一n输入与非门的输出信号经过两级反相器后输入第一PMOS管的栅极；第二n输入与非门，输入端接收行...

本实用新型涉及一种离子源灯丝安装工具，所述离子源灯丝安装工具包括：量具，所述量具包括连接件与测量件，所述连接件与所述测量件呈夹角连接，所述测量件的厚度d1的范围为:0.5mm～0.7mm。在离子源灯丝与反射板进行安装时，先将离子源灯丝预...

本实用新型提供一种化学机械研磨机台滚轮更换装置，包括：支撑主体，支撑主体设置有阻挡部；连接结构，包括调节螺栓和连接块，连接块上设置有通孔；恒力夹结构，恒力夹结构包括第一夹臂、第二夹臂和活动部，第一夹臂和第二夹臂与连接块固定连接；恒力输出...

本实用新型提供一种保压舱及气密性测试装置，所述保压舱包括舱体、自检密封盖、耳式支座及若干个紧固件；其中，所述舱体的顶部设置有开口，侧壁设置有至少一个通气接口；所述自检密封盖贴合设置于所述开口处；所述耳式支座设置于所述舱体靠近所述开口处的...

本发明提供一种半导体工艺方法，包括步骤：提供衬底，于衬底上形成负性光刻胶层；对负性光刻胶层进行曝光；于碱性氛围下对曝光后的负性光刻胶层进行后烘，在完成后烘的过程中利用碱性氛围中的碱性介质中和负性光刻胶层顶部的部分光致酸，以使得负性光刻胶...

本申请公开了一种晶圆清洗方法及清洗设备，晶圆清洗方法包括：采用第一清洗液对晶圆进行第一清洗，其中，所述第一清洗液为硫酸与双氧水的混合水溶液；采用第二清洗液对所述晶圆进行第二清洗，其中，所述第二清洗液为氨水与双氧水的混合水溶液；采用第三清...

本申请涉及一种反相器及其制备方法，所述结构包括：衬底；第一掺杂结构，包括依次层叠在所述衬底的第一表面上的第一漏极、第一沟道和第一源极；第二掺杂结构，包括依次层叠在所述衬底的第一表面上的第二漏极、第二沟道和第二源极；栅极结构，设置在所述衬...

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括：衬底，包括相对的正面和背面；第一半导体器件层，位于衬底的正面；第一焊盘，位于衬底的正面，与第一半导体器件层具有间距；第一导电层，与第一半导体器件层及第一焊盘均相连接，以将第一半导...

本实用新型提供一种灯丝夹具，用于定位灯丝杆以及电极杆，其包括：承台；承台具有凹槽以及至少两个第一定位槽，第一定位槽的轴向为第一方向，与第一方向成角度相交的方向为第二方向，与第一方向以及第二方向成角度相交的方向为第三方向；至少两个第一定位...

本发明提供一种闪存结构及其制作方法，该制作方法在刻蚀源线区域的逻辑多晶硅层、隔离层及浮栅多晶硅层时，依次采用了第一刻蚀条件、第二刻蚀条件及第三刻蚀条件，可以避免位于相邻两个浮栅多晶硅层之间的间隙中的逻辑多晶硅层早于所述浮栅多晶硅层被消耗...

本申请涉及一种掩膜结构的制备方法、掩膜结构、半导体结构的制备方法。掩膜结构的制备方法包括：提供待刻蚀材料层；于待刻蚀材料层上形成第一掩膜层及第二掩膜层，第一掩膜层及第二掩膜层内具有第一初始开口；于第一初始开口内形成第三掩膜层，第三掩膜层...

本发明提供了一种半导体结构的清洗方法以及半导体结构的制造方法，包括：将晶圆置于单片清洗机的吸盘上，晶圆上形成有金属互连结构，金属互连结构至少包括顶层金属层，所述顶层金属层的表面形成有残留物；执行第一清洗工艺，将第一清洗溶液喷吹至所述晶圆...