本实用新型公开了一种测速装置，包括气体管路、压差检测仪和第一控制器，气体管路设有恒流阀，气体管路具有出气端，出气端用于朝转动的被测物体输出气体，压差检测仪用于检测气体在被测物体上的气压差，第一控制器与压差检测仪电性连接，第一控制器能够基...

本实用新型第一个方面，提供了一种机台侦测传感器的保护组件，机台侦测传感器包括一个装配端和一个检测端。机台侦测传感器的保护组件包括：安装板和保护罩。安装板能够与装配端装配。保护罩与安装板固定连接。保护罩形成有防护通孔。防护通孔的孔径沿一个...

废气输送装置，包括一个废气处理器和一个射流泵；废气处理器用于在负压状态下吸收废气；射流泵具有相互连通的一个第一端部和一个第二端部，第一端部连接机台的废气端，第二端部连接废气处理器的输入端；第二端部和第一端部之间形成有一个真空区域，第一端...

本发明提供一种离子注入工艺监控方法及其离子注入工艺，该离子注入工艺监控方法包括以下步骤：提供一待离子注入晶圆，并于晶圆的上表面依次形成保护层及光阻层，将晶圆固定于靶盘上，基于光阻层对晶圆进行离子注入；读出离子注入机台的工作日志中离子束带...

本申请公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件。其中，该半导体器件的制造方法包括提供一半导体衬底；在衬底上形成未掺杂氧化层；对未掺杂氧化层进行元素掺杂，得到具有目标元素的掺杂氧化层；在掺杂氧化层和衬底之间形成未掺杂氧化层；判断栅氧化层...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底；漂移区和沟道区位于衬底中；源区和漏区分别位于沟道区和漂移区中；场氧化层位于漂移区的部分表面上且位于源区和漏区之间；栅极多晶硅层位于源区和漏区之间的衬底上，栅极多晶硅层靠近场氧化层的侧面...

本发明涉及一种异质结构和光电器件及其制备方法。上述异质结构包括：在衬底上依次层叠设置的过渡金属硫族化合物层和PCE10层。上述异质结构通过在过渡金属硫族化合物层表面层叠PCE10层，构成异质结构，PCE10有机层与过渡金属硫族化合物层配...

本申请公开了一种导体器件的制造方法及半导体器件。其中，该半导体器件的制造方法包括提供一半导体衬底，半导体衬底表面具有待处理区域；对待处理区域表面进行湿法氧化，形成覆盖待处理区域的牺牲氧化层；采用湿法蚀刻工艺去除牺牲氧化层。本方案可以提升...

本发明提供了一种半导体结构的制备方法和具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管，应用于半导体技术领域。具体的，其在有源区和端接区各自对应的沟槽中形成第一氧化层和第一多晶硅层之后，并没有像现有技术那样直接在端接区上形成图形化的光刻胶，以对有源区中的栅极...

本发明提供一种溅射方法及半导体器件的制造方法，溅射方法包括：提供一衬底，衬底中形成有接触孔；对衬底执行除气处理，处理温度大于或等于300℃，处理时间大于或等于100秒；对衬底执行干法清洗处理，清洗功率大于或等于400瓦特；将衬底置于静电...

本申请涉及一种图像处理方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取待处理图像，其中，所述待处理图像为扫描电子显微镜图像；对所述待处理图像进行预处理，以获取所述待处理图像中各边缘区对应的特征图像；对各所述特征图像进行边缘循迹以获取...

本实用新型提供了一种干法刻蚀设备，应用于半导体工艺设备技术领域。在本实用新型提供的新型的干法刻蚀设备中，其可以对晶圆即实现刻蚀功能，又实现晶圆的量测功能；具体的，其通过在现有的干法刻蚀设备中的用于传输晶圆的大气传送模块中添加一称重单元，...

本发明提供了ETL调度平台及其部署方法、计算机可读存储介质，ETL调度平台具有至少两个相互通信的调度节点，每个调度节点均作为任意一个Carte集群的主节点，并用于配置Carte集群及配置Carte集群中的各个Carte节点，每个所述调度...

本发明提供的改善晶圆表面胶膜残留的方法包括：提供晶圆，晶圆的正面形成有金属垫、密封环和切割道，密封环环绕金属垫，切割道位于密封环远离金属垫的一侧，晶圆的正面上形成有钝化层，钝化层保形地覆盖晶圆的正面；在钝化层上形成图形化的光阻层；以图形...

本实用新型属于半导体器件领域，提供了用于晶片上试纸安置的组件包括：定位件和爪件。定位件底部具有一个中心端。中心端的端部设置有第一吸附件。爪件包括多个第二吸附件。爪件按一个滑动方向可滑动的连接在定位件上且能够从一个初始位置滑动到一个安置位...

本发明提供了一种曝光方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层，第一光刻胶层包含第一比例的光致酸产生剂；在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，第二光刻胶层包含第二比例的光致酸产生剂；在第二光刻胶层上形成第三光刻胶层，第三光刻胶层包含第三比例的光致...

用于晶圆清洗机的喷淋装置，包括一个舱体、一个导流件、多个第一导流片和一个喷淋件；舱体设有容纳腔和对接孔，对接孔连通容纳腔，并对接外置水道；导流件容纳于容纳腔；喷淋件可转动地连接舱体，喷淋件的端部容纳于容纳腔，喷淋件设有相连通的一个流道和...

湿法槽式晶圆清洗机台的取样阀安全联锁组件，包括一个连锁主体，连锁主体连接盖体朝向清洗腔的一端；连锁主体包括一个支撑杆和一个抵接板；抵接板通过支撑杆连接于盖体；支撑杆的延伸方向平行于盖体的扣合方向；且支撑杆的长度累加抵接板厚度的距离与第一...

本发明提供一种浅沟槽隔离结构与金属氧化物半导体器件的制造方法，在半导体衬底中形成浅沟槽以后，刻蚀半导体衬底上的硬掩膜层暴露于第一开口的边界区域，以增加第一开口的横向开口尺寸，从而形成第二开口，并使得硬掩膜层和缓冲层之间具有台阶，然后刻蚀...

本发明提供一种溅射方法及半导体器件的制造方法，溅射方法包括：提供一衬底，衬底中形成有开口；利用第一电压将衬底固定于溅射设备的静电卡盘上；执行溅射工艺以形成粘附层及阻挡层，在溅射工艺中利用第二电压将衬底固定于静电卡盘上，第二电压小于第一电...