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广州粤芯半导体技术有限公司专利技术
广州粤芯半导体技术有限公司共有496项专利
水平置物装置制造方法及图纸
本申请公开了一种水平置物装置,该水平置物装置包括底座和支撑杆,其中,所述支撑杆用于放置半导体设备的部件,所述支撑杆的数量为至少三个,至少三个所述支撑杆包括第一子支撑杆和第二子支撑杆,所述第一子支撑杆和所述第二子支撑杆连接,所述第一子支撑...
一种防静电光罩制造技术
本申请提出了一种防静电光罩,包括:透明基板;光罩图形,设置于所述透明基板上,且外围设置有第一导电边框;第二导电边框,间隔设置于所述第一导电边框的外围,所述第二导电边框和所述第一导电边框之间暴露所述透明基板以形成净空区;金属框,形成于所述...
低缺陷掺杂多晶硅及其制备方法技术
本申请涉及一种低缺陷掺杂多晶硅及其制备方法,其制备方法包括:保护气体氛围下,将多晶硅在硅烷和掺杂气体的混合气体下进行预沉积,制备掺杂多晶硅预成品;提高沉积压力,将掺杂多晶硅预成品在硅烷和掺杂气体的混合气体下进行主沉积;预沉积有多次,每次...
一种LDMOS器件结构制造技术
本发明提供一种LDMOS器件结构,包括半导体层、源极区域、漏极区域、栅介质层、栅极层、硅化物阻挡层及分裂型接触场板,其中,栅介质层位于半导体层上并设置于源、漏极区域之间;栅极层位于栅介质层上并沿朝向漏极区域的方向延伸至栅介质层的上表面;...
一种光阻剂吸管及光阻瓶制造技术
本申请公开了一种光阻剂吸管及光阻瓶,光阻剂吸管用于安装到光阻瓶上以吸取内部的光阻剂,包括:软管,所述软管位于所述光阻瓶内部的管体长度大于所述光阻瓶的深度;重力球,包括通过所述重力球的球心的通孔,所述通孔包括第一端和第二端,所述软管与所述...
半导体结构及其制备方法技术
本申请涉及一种半导体结构及其制备方法,所述半导体结构包括:衬底、栅极结构、顶部金属层及第一金属层。其中,栅极结构位于衬底的顶面;顶部金属层位于栅极结构沿第一方向远离衬底的一侧,顶部金属层包括若干沿第二方向间隔排列的顶部金属线;第一金属层...
连接状态检测方法、装置、计算机设备及可读存储介质制造方法及图纸
本申请公开了一种连接状态检测方法、装置、计算机设备及可读存储介质,所述连接状态检测方法包括:获取检测平台中每个待检测机台的机台信息;基于所述机台信息构建所述检测平台对应的检测路径图;响应于针对所述检测平台的触发操作,根据所述触发操作对所...
具有双应力衬垫结构的CMOS器件的制造方法技术
本发明提供一种具有双应力衬垫结构的CMOS器件的制造方法,所述制造方法中使用光刻胶剥离方法替代干法刻蚀或者湿法刻蚀工艺,分别于PMOS器件上形成一层压应力氮化硅层,于NMOS器件上形成一层拉应力氮化硅层,避免由刻蚀过度导致的间隔绝缘膜损...
半导体结构及其制备方法技术
本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括:衬底,衬底内设有多个沿第一方向延伸且沿第二方向排布的第一有源区,以及沿第二方向延伸的第二有源区;第一方向与第二方向相交;第一多晶硅结构,位于各第一有源区上,且沿第二方向延伸,第一...
浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法技术
本申请涉及一种浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构的制备方法。浅沟槽隔离结构的制备方法,包括:提供基底;于所述基底内形成浅沟槽;于所述浅沟槽的侧壁及底部形成侧壁氧化层;对所述侧壁氧化层进行离子注入,以形成隔离阻挡层;于所述浅沟槽内形成填...
半导体结构的制备方法技术
本发明提供了一种半导体结构的制备方法,应用于半导体技术领域。而在本发明提出了一种半导体结构的制备方法中,首先通过增加形成在半导体衬底表面上的图形化的光刻胶层的厚度的方式,来有效的抵挡本发明所提出的干刻和湿刻相结合的混合刻蚀方式的消耗,其...
一种用于半导体设备的隔绝维护装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种用于半导体设备的隔绝维护装置,该隔绝维护装置包括透明上层盖、侧壁结构以及手套。其中,透明上层盖的表面上设置有至少一个开孔。沿透明上层盖的边缘向下延伸形成侧壁结构,该侧壁结构与透明上层盖形成一半开放式腔体,该半开放式腔...
半导体光刻方法、系统、设备和计算机可读存储介质技术方案
本申请涉及半导体光刻方法、系统、设备和计算机可读存储介质,该半导体光刻方法在得到初次工艺处理后的晶圆的基础上,对旋涂碳涂层进行清洗,对清洗后的晶圆的基底进行表面预处理,即对清洗后的基底通入氢气和氮气的混合气体,并保持预设通入时长,氢气和...
数据库的监控方法、系统和设备技术方案
本申请公开一种数据库的监控方法、系统和设备。其中数据库的监控方法包括:配置监控工具、监控目标、监控范围和监控执行条件;在达到所述监控执行条件时,采用所述监控工具按照所述监控目标和监控范围从目标数据库运行的至少一个任务中获取监控结果;推送...
半导体器件的制造方法及半导体器件技术
本申请公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件。其中,该半导体器件的制造方法包括提供一半导体衬底;在半导体衬底上形成第一氧化层;对半导体衬底进行掺杂氧化,以在半导体衬底和第一氧化层之间生成掺杂氧化层;在掺杂氧化层和半导体衬底之间形成第...
半导体器件的制备方法技术
本发明提供了一种半导体器件的制备方法,将氢钝化工艺调整到在顶层金属互联层上形成第一钝化层之后,在进行氢钝化工艺时,顶层金属互联层被第一钝化层覆盖,第一钝化层可以在氢钝化工艺的升降温过程中充分抑制顶层金属互联层因热膨胀系数差导致应力失配进...
一种尾排管路结构及离子注入设备制造技术
本实用新型提供一种尾排管路结构及离子注入设备,所述尾排管路结构至少包括:三通接头、尾排管、开关阀门。本实用新型通过三通接头和开关阀门的配合设计,使装置能够实现尾排管的快速替换,省去了需要进行尾气排放的装置在替换过程中需要进行的破真空操作...
一种辅助安装CKD主阀的工具制造技术
本实用新型涉及辅助工具技术领域,且公开了一种辅助安装CKD主阀的工具,包括夹持装置和组合传动装置,所述组合传动装置的背面安装有齿轮传动装置,所述齿轮传动装置的底端表面焊接有承载平台,所述承载平台的左端安装有摇手,所述承载平台内部安装有升...
研磨头安装辅助装置制造方法及图纸
本申请公开一种研磨头安装辅助装置,包括:夹持件、对准卡块、导向件、限位件。夹持件包括两个转动连接的夹板,夹板内表面具有卡槽,用于夹持连接法兰的边缘,卡槽夹持连接法兰时,连接法兰的连接面朝向第一方向;对准卡块,和卡槽相对,用于在卡槽夹持有...
取环装置及晶圆切环设备制造方法及图纸
本申请公开一种取环装置及晶圆切环设备,其中取环装置包括:转盘、至少三个夹持部,设置于所述转盘下方,用于将晶圆环从晶圆边缘分离并抬起;所述夹持部包括辊轴、第一支撑板和拨动块;所述辊轴下端连接至所述第一支撑板;所述拨动块,固定设置于所述辊轴...
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