半导体器件的制造方法及半导体器件技术

本申请公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件。其中，该半导体器件的制造方法包括提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成第一氧化层；对半导体衬底进行掺杂氧化，以在半导体衬底和第一氧化层之间生成掺杂氧化层；在掺杂氧化层和半导体衬底之间形成第二氧化层。本方案可以控制氮元素在栅氧化层中的分布。本方案可以控制氮元素在栅氧化层中的分布。本方案可以控制氮元素在栅氧化层中的分布。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法及半导体器件


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体的制造方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]随着集成电路的发展，金属氧化物半导体场效晶体管(Metal
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Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOS)器件广泛应用于平板显示驱动、电源管理、功率器件等领域。而栅氧化层是MOS器件中至关重要的一道氧化层，其质量的好坏对于MOS器件的开关速度、功耗效率以及可靠性有着重大的影响。
[0003]随着半导体不断的发展，传统单纯的二氧化硅栅氧化层已经不能满足超大规模集成电路的要求。从而出现了在二氧化硅中进行氮的掺杂的技术，这种技术可以有效降低栅氧化层的等效电学厚度以及同等偏压下的漏电流的水平，且在二氧化硅中掺氮可以有效减少栅氧化层中的缺陷密度，提高杂质扩散的势垒。
[0004]然而，目前掺氮栅氧化层的生长工艺难以控制氮元素在栅氧化层中的分布，容易对半导体器件中的其他膜层造成影响，从而导致半导体器件容易出现各种缺陷。可见，目前的栅氧化层存在可靠性较低的问题。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种半导体器件的制造方法及半导体，可以控制氮元素在栅氧化层中的分布。
[0006]第一方面，本申请提供一种导体器件的制造方法，包括：
[0007]提供一半导体衬底；
[0008]在所述半导体衬底上形成第一氧化层；
[0009]对所述半导体衬底进行掺杂氧化，以在所述半导体衬底和所述第一氧化层之间生成掺杂氧化层；
[0010]在所述掺杂氧化层和所述半导体衬底之间形成第二氧化层。
[0011]在本申请提供的半导体器件的制造方法中，在所述提供一半导体衬底之后，所述在所述半导体衬底上形成第一氧化层之前，还包括：
[0012]采用湿法清洗工艺对所述半导体衬底进行清洗。
[0013]在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述对所述半导体衬底进行掺杂氧化，以在所述半导体衬底和所述第一氧化层之间生成掺杂氧化层，包括：
[0014]向炉管通入具有目标元素的掺杂气体，并通过掺杂氧化工艺对所述半导体衬底进行掺杂氧化，以在所述半导体衬底和所述第一氧化层之间生成掺杂氧化层。
[0015]在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述掺杂气体包括氮氧化物。
[0016]在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述掺杂气体包括N2O和/或NO。
[0017]在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述掺杂氧化工艺的时长为0.1min～100min。
[0018]在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述第一氧化层的厚度为
[0019]在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述第二氧化层的厚度为
[0020]在本申请提供的半导体器件的制造方法中，所述半导体衬底的材料为硅。
[0021]第二方面，本申请提供了一种半导体器件，采用上述半导体器件的制造方法制成，所述半导体器件包括：
[0022]半导体衬底；
[0023]栅氧化层，所述栅氧化层设置于所述半导体衬底上，所述栅氧化层包括第一氧化层、掺杂氧化层和第二氧化层，所述掺杂氧化层位于所述第一氧化层和所述第二氧化层之间，所述第二氧化层位于靠近所述半导体衬底的一侧，所述掺杂氧化层中掺杂有目标元素。
[0024]综上，本申请提供的导体器件的制造方法包括提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一氧化层；对所述半导体衬底进行掺杂氧化，以在所述半导体衬底和所述第一氧化层之间生成掺杂氧化层；在所述掺杂氧化层和所述半导体衬底之间形成第二氧化层。本方案可以控制氮元素在栅氧化层中的分布。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1是本申请提供的半导体器件的制造方法的流程示意图。
[0027]图2
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图4是本申请提供的半导体器件的中间件的结构示意图。
[0028]图5是本申请实施例提供的半导体器件的结构示意图。
具体实施方式
[0029]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0030]需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。
[0031]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0032]在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或者“单元”的后缀仅
为了有利于本申请的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”、“部件”或者“单元”可以混合地使用。
[0033]以下对本申请涉及的实施例进行具体描述，需要说明的是，在本申请中对实施例的描述顺序不作为对实施例优先顺序的限定。
[0034]以下将通过具体实施例对本申请所示的技术方案进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优先顺序的限定。
[0035]请参阅图1，图1是本申请提供的半导体器件的制造方法的流程示意图。该半导体器件的制造流程如图2
‑
图5所示，该半导体器件的制造方法具体可以如下：
[0036]101、提供一半导体衬底10。
[0037]在一些实施例中，半导体衬底10的材料可以是锗硅衬底、
Ⅲ‑Ⅴ
族元素化合物衬底、碳化硅衬底或其叠层结构，或绝缘体上硅结构，也可以是金刚石衬底或本领域技术人员公知的其他半导体材料衬底，例如，可以在单晶硅中注入P元素形成N型导电的半导体衬底，也可以在单晶硅中注入B元素形成P型导电的半导体衬底。在本实施例中，该半导体衬底10为硅片(wafer)。也即，该半导体衬底10的材料为硅。
[0038]102、在半导体衬底10上形成第一氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一氧化层；对所述半导体衬底进行掺杂氧化，以在所述半导体衬底和所述第一氧化层之间生成掺杂氧化层；在所述掺杂氧化层和所述半导体衬底之间形成第二氧化层。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述提供一半导体衬底之后，所述在所述半导体衬底上形成第一氧化层之前，还包括：采用湿法清洗工艺对所述半导体衬底进行清洗。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对所述半导体衬底进行掺杂氧化，以在所述半导体衬底和所述第一氧化层之间生成掺杂氧化层，包括：向炉管通入具有目标元素的掺杂气体，并通过掺杂氧化工艺对所述半导体衬底进行掺杂氧化，以在所述半导体衬底和所述第一氧化层之间生成掺杂氧化层。4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述掺杂气体包括氮氧化物。5.如权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：付志强，施剑华，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：