SRAM字线电压产生电路及调节电路制造技术

本发明专利技术提供了一种SRAM字线电压的调节电路，包括：第一n输入与非门，输入端接收字线译码电路的行译码信号；第一PMOS管，源极接入电源电压，第一n输入与非门的输出信号经过两级反相器后输入第一PMOS管的栅极；第二n输入与非门，输入端接收行译码信号；或非门，输入端接第二n输入与非门的输出信号和读写控制信号；第二PMOS管，源极和漏极短接并接入第一PMOS管的漏极，并在此输出字线译码电路的调节信号，或非门的输出信号经过一级反相器后输入第二PMOS管的栅极。本发明专利技术不需要外接控制信号就可以控制SRAM字线电压，减少电路的控制难度，同时，使用第二PMOS管进行充电，可以省去电容，从而减少占用面积。而减少占用面积。而减少占用面积。

【技术实现步骤摘要】
SRAM字线电压产生电路及调节电路


[0001]本专利技术涉及电路
，尤其是涉及一种SRAM字线电压产生电路及调节电路。

技术介绍

[0002]随着工艺节点和供电电压的不断降低，器件的阈值电压也不断降低，导致SRAM存储单元的鲁棒性也随之不断降低。存储单元工作时的读写能力被破坏，读操作时，半选单元的读破坏频发，造成读取错误数据。写操作时，写能力越来越差，极易造成SRAM写入错误数据。
[0003]字线欠压(WLUD)技术常用于读辅助电路，字线过压(WLOD)技术常用于写辅助电路。
[0004]然而，现有技术SRAM存储单元的辅助电路需要外接控制信号，对输入信号时序要求严格，由此增加电路控制难度，并且SRAM存储单元的辅助电路采用的电容占用了较大面积。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种SRAM字线电压产生电路及调节电路，不需要外接控制信号，减少电路的控制难度，同时，还可以省去电容，从而减少调节电路占用的面积。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种SRAM字线电压的调本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SRAM字线电压的调节电路，其特征在于，包括：第一n输入与非门，输入端接收字线译码电路的行译码信号；第一PMOS管，源极接入电源电压，所述第一n输入与非门的输出信号经过两级反相器后输入第一PMOS管的栅极；第二n输入与非门，输入端接收行译码信号，其中n为正整数；或非门，输入端接所述第二n输入与非门的输出信号和读写控制信号；第二PMOS管，源极和漏极短接并接入所述第一PMOS管的漏极，并在此输出字线译码电路的调节信号，所述或非门的输出信号经过一级反相器后输入第二PMOS管的栅极。2.如权利要求1所述的调节电路，其特征在于，所述第一n输入与非门的输出信号经过第一反相器和第二反相器后输入第一PMOS管的栅极，所述第一n输入与非门的输出信号输入所述第一反相器的输出端，所述第一反相器的输出信号输入所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出信号输入所述第一PMOS管的栅极。3.如权利要求1所述的调节电路，其特征在于，所述或非门的输出信号经过第三反相器后输入第二PMOS管的栅极，所述或非门的输出信号输入所述第三反相器的输入端，所述第三反相器的输出信号输出第二PMOS管的栅极。4.如权利要求1所述的调节电路，其特征在于，所述第一n输入与非门和第二n输入与非门均...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖剑峰，赵斌，蒋德舟，张茂杰，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：