【技术实现步骤摘要】
一种存储器及使用方法
[0001]本申请涉及半导体器件领域,尤其涉及一种存储器及使用方法。
技术介绍
[0002]在低带宽写入和高带宽读出的应用场景下,使用普通的读写存储器会使读端口成为瓶颈,难以满足密集的读操作。因此,通常会通过增加存储器数据输出的数据带宽来应对,例如,使用1写2读的寄存器堆(register file)所组成的8T存储器(Static Random
‑
Access Memory,SRAM);或者,通过加快读取的频率来应对,例如,使用高速的单端口SRAM。
[0003]然而,使用8TSRAM会增大面积,且必须避开一边写入另一边同时读出的问题,因此会使得带宽降低;使用高速的单端口SRAM虽然可以保持面积不变,但是因为不能同时读写,不仅会使带宽受限,还会因为读取频率的加快使功耗大增。
技术实现思路
[0004]针对上述技术问题,本申请人创造性地提供了一种存储器及使用方法。
[0005]根据本申请实施例的第一方面,提供一种存储器,其特征在于,存储器包括:存储单元阵 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器,其特征在于,所述存储器包括:存储单元阵列;位于所述存储单元阵列一侧的地址译码器、集成有第一灵敏放大器和写驱动电路的输入输出端口;位于所述存储单元阵列另一侧的至少一个第二灵敏放大器和至少一个读驱动电路;其中,所述存储单元阵列中每一存储单元中的每条位线都一对一连接有一个所述第二灵敏放大器,所述第二灵敏放大器的另一端与所述读驱动电路连接。2.根据权利要求1所述的存储器,所述第二灵敏放大器与所述读驱动电路的连接为一对一的连接。3.根据权利要求1所述的存储器,所述第二灵敏放大器包括低功耗灵敏放大器。4.根据权利要求3所述的存储器,所述第二灵敏放大器包括锁存型灵敏放大器。5.根据权利要求4所述的存储器,在所述位线和所述第二灵敏放大器之间,还设置有:隔离装置,所述隔离装置具有可以用于连接或断开所述第二灵敏放大器与所述位线之间的开关。6.根据权利要求1所述的存储器,所述存储单元阵列包括两维矩阵结构。7.一...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈瑞隆,柯志斌,李淡,黄天辉,
申请(专利权)人:厦门半导体工业技术研发有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。