形成金属硅化物的工艺参数的检测方法技术

本发明专利技术涉及一种形成金属硅化物的工艺参数的检测方法，该方法包括：提供硅衬底，于硅衬底上形成金属层，并检测金属层的电阻值；执行第一次退火工艺，以使金属层与部分硅衬底反应形成金属硅化物层，金属硅化物层包括第一金属硅化物层和第二金属硅化物层；检测金属硅化物层的电阻值，并基于金属硅化物层的电阻值和金属层的电阻值，得到第一次退火工艺的退火温度；执行第二次退火工艺，以使第一金属硅化物层全部转化为第二金属硅化物层；量测第二次退火工艺后第二金属硅化物层的厚度，并基于第二次退火工艺后第二金属硅化物层的厚度，得到第一次退火工艺前金属层的厚度。本发明专利技术能够简化检测金属硅化物的工艺参数的过程，提高检测效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
形成金属硅化物的工艺参数的检测方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种形成金属硅化物的工艺参数的检测方法。

技术介绍

[0002]金属硅化物制程广泛应用于半导体工艺制程（譬如28nm~65nm工艺制程）中，金属硅化物用于减少金属互连结构（Contact）与栅极/多晶硅之间的接触电阻值。
[0003]在金属硅化物的制程中，需要经过两次退火工艺以得到所需的金属硅化物。而退火工艺前金属层（譬如，镍层）的厚度以及第一次退火工艺的退火温度决定了最后会有多少金属参与了金属硅化物反应，这将直接影响最终形成的金属硅化物的阻值；即退火工艺前金属层的厚度和第一次退火工艺的温度是最为关键的参数，如何检测退火工艺前金属层的厚度以及第一次退火工艺是否在所需区间成为了保证金属硅化物工艺稳定的关键。
[0004]然而，目前的检测方法中，需要使用不同的设备分别对金属层的厚度和第一次退火工艺的退火温度进行各自检测，且金属层厚度的检测需要在执行退火工艺前进行，这样会造成检测过程复杂，效率低，检测成本较高等问题。
[0005]因此，如何简本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成金属硅化物的工艺参数的检测方法，其特征在于，包括：提供硅衬底：于所述硅衬底上形成金属层，并检测所述金属层的电阻值；执行第一次退火工艺，以使所述金属层与部分所述硅衬底反应形成金属硅化物层，所述金属硅化物层包括第一金属硅化物层和第二金属硅化物层；检测所述金属硅化物层的电阻值，并基于所述金属硅化物层的电阻值和所述金属层的电阻值，得到所述第一次退火工艺的退火温度；执行第二次退火工艺，以使所述第一金属硅化物层全部转化为第二金属硅化物层；量测所述第二次退火工艺后所述第二金属硅化物层的厚度，并基于所述第二次退火工艺后第二金属硅化物层的厚度，得到所述第一次退火工艺前金属层的厚度。2.根据权利要求1所述的形成金属硅化物的工艺参数的检测方法，其特征在于，所述第一金属硅化物层包括硅化二镍层，所述第二金属硅化物层包括硅化镍层。3.根据权利要求1所述的形成金属硅化物的工艺参数的检测方法，其特征在于，基于所述金属硅化物层的电阻值和所述金属层的电阻值，得到所述第一次退火工艺的退火温度，包括：基于阻值温度变化曲线、执行第一次退火工艺前金属层的电阻值及第一次退火工艺后形成的金属硅化物层的电阻值，得到所述第一次退火工艺的退火温度。4.根据权利要求3所述的形成金属硅化物的工艺参数的检测方法，其特征在于，所述阻值温度变化曲线的获取方法，包括：提供参考硅衬底；于所述参考硅衬底上形成预设厚度的参考金属层；执行退火工艺，以使所述参考金属层与部分所述参考硅衬底反应形成参考金属硅化物层，所述参考金属硅化物层包括第一参考金属硅化物层和第二参考金属硅化物层；退火过程中，检测不同退火温度条件下所述参考金属硅化物层的电阻值，以得到所述参考金属硅化物层的电阻值随退火温度的阻值温度变化曲线。5.根据权利要求1所述的形成金属硅化物的工艺参数的检测方法，其特征在于，基于所述第二次退火工艺后第二金属硅化物层的厚度，得到所述第一次退火工艺前金属层的厚度，包括：基于厚度线性关系和所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成龙，赵丽丹，
申请(专利权)人：广州粤芯半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：