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本发明涉及一种形成金属硅化物的工艺参数的检测方法，该方法包括：提供硅衬底，于硅衬底上形成金属层，并检测金属层的电阻值；执行第一次退火工艺，以使金属层与部分硅衬底反应形成金属硅化物层，金属硅化物层包括第一金属硅化物层和第二金属硅化物层；检测金...
该专利属于广州粤芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州粤芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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