多尺度物理蚀刻建模及其方法技术

披露了用于模拟等离子体蚀刻过程的系统和方法。根据某些实施例，用于模拟等离子体蚀刻过程的方法可以包括：基于多个第一参数，以第一尺度预测等离子体的粒子的第一特性；基于由多个第二参数引起的对所述第一特性的修改，以第二尺度预测所述粒子的第二特性；以及基于所述粒子的所述第一特性和所述第二特性来模拟特征的蚀刻特性。多尺度物理蚀刻模型或多尺度数据驱动模型可以用于模拟所述等离子体蚀刻过程。刻过程。刻过程。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多尺度物理蚀刻建模及其方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月29日递交的欧洲申请20193506.1的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。


[0003]本文中所提供的实施例披露了对半导体制造过程进行建模和模拟的方法，并且更具体地，披露了用于多尺度物理蚀刻建模和模拟以减轻量测和半导体处理技术中的过程不对称性的方法。

技术介绍

[0004]虽然可以使用湿式化学蚀刻技术制造前几代集成电路，但在不使用等离子体过程以获得必要图案转印保真度的情况下，无法进行现今和未来的复杂芯片设计。等离子体设备和等离子体处理在诸如3D
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FLASH、或1
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兆位动态随机存取存储器(DRAM)之类的三维器件的制造中起至关重要的作用。诸如栅电极或互连通孔之类的特征具有与薄膜厚度相当的宽度，因此，为了以高保真度转印图案，蚀刻必须是各向异性的，即，垂直于表面比平行于表面快得多。
[0005]虽然等离子体蚀刻在产生具有高纵横比的图案时是所需的，但其可能造成跨越芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非暂时性计算机可读介质，所述非暂时性计算机可读介质上具有指令，所述指令在由一个或更多个处理器执行时使所述处理器执行预测特征的图像的方法，所述方法包括：采集所述特征的第一图像；基于来自所述第一图像的图案信息来识别所述特征；预测所述特征的待使用等离子体蚀刻过程被蚀刻的蚀刻轮廓，所述预测包括：基于多个第一参数，以第一尺度预测等离子体的粒子的第一特性；和基于由多个第二参数引起的对所述第一特性的修改，以第二尺度预测所述粒子的第二特性；以及产生包括所述特征的所预测的蚀刻轮廓的第二图像。2.根据权利要求1所述的介质，其中，所述方法还包括从用户定义的数据库采集所述第一图像，其中所述用户定义的数据库包括图形数据库系统。3.根据权利要求1所述的介质，其中，所述图案信息包括图案
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周边信息，其中识别所述特征包括比较所述图案
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周边信息与来自使用机器学习网络所训练的图像的经训练的特征。4.根据权利要求1所述的介质，其中，所述第一图像包括所述特征的显影后图像。5.根据权利要求1所述的介质，其中，所述第一尺度包括晶片尺度，并且所述第二尺度包括管芯尺度。6.根据权利要求5所述的介质，其中，预测所述蚀刻轮廓还包括：基于所述多个第一参数，以所述晶片尺度预测所述等离子体的鞘层轮廓。7.根据权利要求6所述的介质，其中，预测所述第一特性包括确定所预测的鞘层轮廓的梯度，并且其中所述第一特性包括被引向晶片的所述粒子的入射角、轨迹、或能量。8.根据权利要求7所述的介质，其中，所述多个第一参数包括被配置成执行所述等离子体蚀刻过程的等离子体反应器的几何形状、用于所述等离子体蚀刻过程的过程条件、或所述晶片上的部位。9.根据权利要求7所述的介质，其中，预测所述第二特性包括以所述管芯尺度预测对所述粒子的所述入射角、所述轨迹、或所述能量的修改。10.根据权利要求9所述的介质，其中，预测所述第二特性还包括：存取管芯的布局，所述布局包括图案
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周边密度图；和基于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：