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本发明公开一种晶片处理方法，包含提供晶片，晶片具有第一位置及第二位置，第一位置以参考方向朝向第二位置；涂布光致抗蚀剂液于晶片上；进行加热制作工艺，加热涂布有光致抗蚀剂液的晶片，以在晶片上形成光致抗蚀剂层；其中，进行加热制作工艺时，晶片的温度...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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