【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】极紫外光刻用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法
[0001]本专利技术涉及一种在使用极紫外光作为曝光光源的光刻中,用于光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷改善的工艺液体组合物及利用其的光致抗蚀剂图案形成方法。
技术介绍
[0002]通常,半导体是由以193nm、248nm或365nm等波长段的紫外线作为曝光光源的光刻工艺制造,各公司为了减少关键线宽(以下称为CD:Critical Dimension)而展开的竞争激烈。
[0003]因此,为了形成更加微细的图案,需要更小波长段的光源。目前,利用极紫外光(EUV,extreme ultra violet,波长为13.5nm)光源的光刻技术被广泛利用,通过利用其可以实现更加微细的波长。
[0004]然而,极紫外线用光致抗蚀剂的蚀刻(etching)耐性仍然未得到改善,因此持续需要具有大纵横比的光致抗蚀剂图案,因此在显影中容易产生图案裂痕缺陷,从而在制备工艺中发生工艺余裕(process margin)大幅减少的问题。
[0005]因此,需要开发出一种能够用于改善微细图案形成中所产生的裂痕缺陷程度的技术。为了改善图案裂痕缺陷程度,最好的办法是提高光致抗蚀剂的性能,但是不容忽视目前很难新开发出满足所有性能的光致抗蚀剂的事实。
[0006]即使保留新开发出光致抗蚀剂的必要性,现在还不断进行着通过其他方法改善图案裂痕程度的努力。
技术实现思路
[0007]要解决的技术问题
[0008]本申请专利技术的目的在于开发一种工艺液体组合物及利 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种极紫外光刻用工艺液体组合物,其特征在于,所述工艺液体组合物由0.00001至0.01重量%的氟系表面活性剂,0.00001至小于0.001重量%的作为化学式(1)的化合物或它们的混合物的图案增强剂,0.00001至0.01重量%的选自由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它们的混合物所组成的组的物质,及余量的水组成,在上述化学式(1)中,X、Y为氟或C1~C5烷基,X和Y形成单键,l是1~5,m是0~5,n为0~2。2.根据权利要求1所述的极紫外光刻用工艺液体组合物,其特征在于,所述工艺液体组合物由0.0001至0.01重量%的氟系表面活性剂,0.00001至0.005重量%的作为化学式(1)的化合物或它们的混合物的图案增强剂,0.00001至0.01重量%的选自由三元醇衍生物、四元醇衍生物或它们的混合物所组成的组的物质,及余量的水组成。3.根据权利要求1所述的极紫外光刻用工艺液体组合物,其特征在于,所述氟系表面活性剂选自由氟代丙烯羧酸酯、氟代烷基醚、氟代亚烷基醚、氟代烷基硫酸酯、氟代烷基磷酸酯、氟代丙烯酸共聚物、氟代共聚物、全氟酸、全氟羧酸盐、全氟磺酸盐或它们的混合物所组成的组。4.根据权利要求1所述的极紫外光刻用工艺液体组合物,其特征在于,作为所述化学式(1)的化合物或它们的混合物的图案增强剂选自由双(1,1,2,2,3,3,3
‑
七氟
‑1‑
丙磺酰基)亚胺、双(1,1,2,2,3,3,4,4,4
‑
九氟
‑1‑
丁磺酰基)亚胺、1,1,2,2,3,3
‑
六氟丙烷
‑
1,3
‑
二磺酰亚胺、双(三氟甲磺酰)亚胺或它们的混合物所组成的组。5.根据权利要求1所述的极紫外光刻用工艺液体组合物,其特征在于,所述三元醇衍生物及所述四元醇衍生物物质选自,作为由C3~C10组成的三元醇衍生物物质的1,2,3
‑
丙三醇、1,2,4
‑
丁三醇、1,1,4
‑
丁三醇、1,3,5
‑
戊三醇、1,2,5
‑
戊三醇、2,3,4
‑
戊三醇、1,2,3
‑
己三醇、1,2,6
‑
己三醇、1,3,4
‑
己三醇、1,4,5
‑
己三醇、2,3,4
‑
己三醇、1,2,3
‑
庚三醇、1,2,4
‑
庚三醇、1,2,6
‑
庚三醇、1,3,5
‑
庚三醇、1,4,7
‑
庚三醇、2,3,4
‑
庚三醇、2,4,6
‑
庚三醇、1,2,8
‑
辛三醇、1,3,5
‑
辛三醇、1,4,7
‑
辛三醇、丁烷
‑
1,1,1
‑
三醇、2
‑
甲基
‑
1,2,3
‑
丙三醇、5
‑
甲基己烷
‑
1,2,3
‑
三醇、2,6
‑
二甲
基
‑3‑
庚烯
【专利技术属性】
技术研发人员:李秀珍,金起洪,李昇勋,李昇炫,
申请(专利权)人:荣昌化学制品株式会社,
类型:发明
国别省市:
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