本发明的目的在于提供一种相比于现有的I

本发明涉及一种极紫外光刻用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。所述工艺液体组合物由0.00001至0.01重量％的氟系表面活性剂，0.00001至小于0.001重量％的由化学式(1)表示的图案增强剂，0.00001至0.01重量％的选...

本发明涉及一种能够调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。所述蚀刻用组合物包括无机酸、氧化剂、由化学式1表示的添加剂、及余量的水，其表现出以下显著效果：根据半导体制造工艺的各种湿式蚀刻工艺，能够显著快的维持氮化钛膜...

本申请发明涉及一种在光致抗蚀剂图案工艺中改善光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷的工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。其中，所述光致抗蚀剂图案具有对光致抗蚀剂表面的水的接触角为75

本申请发明涉及一种在光致抗蚀剂图案工艺中改善光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷及减少缺陷数的工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。其中，所述光致抗蚀剂图案具有对光致抗蚀剂表面的水的接触角为70

为了提供在半导体光刻工艺中有用的具有高厚度的硬掩膜组合物，本发明提供一种旋涂式硬掩膜组合物及对其组合物通过旋涂涂覆在被蚀刻层上部进行涂覆的工艺及进行烘烤工艺而形成硬掩膜层的图案化方法。根据本发明的硬掩膜，由优异的溶解度特性而具有表现出高...

本发明为用于在半导体制造工艺中形成蚀刻图案的方法，其在蚀刻工艺前，将通常在晶片上形成光刻胶膜/反射防止膜/SiON膜/有机硬掩膜的4层的以往方法，改变为只形成由光刻胶膜/多功能有机无机掩膜构成的2个层而体现相同的蚀刻图案的创新性方法，与...

本发明涉及一种CMP用浆料组合物及使用其的研磨方法，更具体地，通过去除作为研磨材料的硅溶胶的ζ电位(Zeta potential)和金属杂质提高氧化硅膜的研磨性能并最小化刮伤缺陷，可以通过调节添加剂和研磨材料的含量来自由地调节对氧化硅膜...

本发明涉及在半导体器件制造中使用的半导体晶片清洗用组合物及利用其的半导体晶片清洗方法，本发明的半导体晶片清洗用组合物由以化学式1及化学式2形成的表面活性剂、无机酸或有机酸、余量的水组成，本发明的半导体晶片清洗方法是使半导体晶片浸渍于清洗...

本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻组合物。所述蚀刻组合物由无机酸、环氧(Epoxy)系硅化合物及水组成，本发明的蚀刻组成物具有能够最小化下部金属膜质的损伤和氧化硅膜的蚀刻，并能够选择性地去除氮化硅膜的效果。选择性地去除氮化硅膜的效果。

本发明的目的在于提供一种在半导体制造工艺中用于实现纵横比大的微细硅图案的工艺，涉及一种为了形成微细硅图案，且为了清除残留在图案下部的有机碳膜不纯物质及由烟气产生的不纯物质而进行清洗工程，以形成所希望的图案而不发生图案被升起的新的清洗方法...

本申请发明涉及一种用于对使用于极紫外光曝光光源的包括聚羟基苯乙烯(polyhydroxystyrene)的光致抗蚀剂图案进行坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体，更详细地，涉及一种用于光致抗蚀剂图案的坍塌程度改善及缺陷数减少的工艺液体组合...

本发明涉及一种在有机‑无机杂化光刻胶的薄膜形成工艺、显影工艺、剥离工艺中使用的有机‑无机杂化光刻胶工艺液体组合物及其处理方法。工艺液体组合物由：化学式1的化合物，以及酮类、酯类、醚类、添加剂或它们的混合物组成。工艺液体组合物不仅对有机物...

本发明涉及一种通过添加能够提高用于形成半导体图案的透过率的树脂而表现与以往的KrF正性光刻胶相比垂直的(Vertical)轮廓的KrF光源用光刻胶组合物。作为一种图形轮廓改善用化学增幅型正性光刻胶组合物，其特征在于，相比于组合物总重量，...

本发明涉及一种用于减少由极紫外光曝光光源所限定的包括聚羟基苯乙烯(polyhydroxystyrene)的光致抗蚀剂图案的微桥缺陷改善用工艺液体组合物及利用其的图案形成方法，其中，所述工艺液体组合物包括：0.0001至1重量％的碱性物质...

本发明涉及一种用于减少由极紫外光曝光光源所限定的包括聚羟基苯乙烯(polyhydroxystyrene)的光致抗蚀剂图案的坍塌的工艺液体组合物及利用其的图案形成方法，其中，所述工艺液体组合物包括：0.0001至1重量％的HLB值为9至1...

本发明的目的在于提供一种半导体制造工艺中的EUV(Extreme Ultraviolet，极紫外)光源用光刻胶显影液组合物，且涉及一种将包括2～10重量％的四乙基氢氧化铵(TEAH)的水溶液作为特征的EUV光源用微细图案形成用光刻胶显影...

本发明的目的是提供一种用于在半导体制造工艺中体现大纵横比的微细硅图案的工艺，涉及一种处理得在有机碳膜层选择地附着耐氟酸性物质后，使用含氟酸水溶液，以湿式蚀刻形成图案的新型湿式蚀刻方法，本发明的以湿式蚀刻形成图案的方法在形成CD小的图案时...

本发明公开了一种光刻用清洁组合物以及采用该组合物的形成光刻胶图案的方法。所述清洁组合物是形成高纵横比的光刻胶图案所必需的，该清洁组合物包含水和由下面化学式1表示的化合物：[化学式1]

本发明涉及切割油组合物，用于提供一种分层、分散性、粘度、锯切后晶锭清洗时间、锯切后晶片弯曲程度相比于以往切割油组合物显著优异的切割油组合物，本发明的切割油组合物首先是高度氢化处理的以化学式1至化学式3表示的矿物油和增粘剂为膨润土(Ben...