光刻用工艺液体组合物及使用其的图案形成方法技术

本申请发明专利技术涉及一种在光致抗蚀剂图案工艺中改善光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷及减少缺陷数的工艺液体组合物及利用其的图案形成方法。其中，所述光致抗蚀剂图案具有对光致抗蚀剂表面的水的接触角为70

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻用工艺液体组合物及使用其的图案形成方法


[0001]本申请专利技术涉及一种在光致抗蚀剂图案工艺中用于光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷改善的工艺液体组合物及利用其的光致抗蚀剂图案形成方法，其中，所述光致抗蚀剂图案具有对光致抗蚀剂表面的水的接触角为70
°
以上的疏水性。

技术介绍

[0002]通常，半导体是由以193nm、248nm或365nm等波长段的紫外线作为曝光光源的光刻工艺制造，各公司为了减少关键线宽(以下称为CD：Critical Dimension)而展开的竞争激烈。
[0003]因此，为了形成更加微细的图案，需要更小波长段的光源。目前，利用极紫外光(EUV，extreme ultra violet，波长为13.5nm)光源的光刻技术被广泛利用，通过利用其可以实现更加微细的图案。
[0004]然而，极紫外线用光致抗蚀剂的蚀刻(etching)耐性仍然未得到改善，因此持续需要具有大纵横比的光致抗蚀剂图案，因此在显影中容易产生图案裂痕缺陷，且缺陷数增加，从而在制备工艺中发生工艺余裕(process margin本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于改善光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷及减少缺陷数的工艺液体组合物，所述工艺液体组合物包含表面活性剂，其特征在于，所述工艺液体组合物在光致抗蚀剂图案工艺中用于改善光致抗蚀剂图案的剥离缺陷及减少缺陷数，其中，所述光致抗蚀剂图案具有对光致抗蚀剂表面的水的接触角为70
°
以上的疏水性，所述工艺液体组合物的表面张力为40mN/m以下，接触角为60
°
以下。2.根据权利要求1所述的用于改善光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷及减少缺陷数的工艺液体组合物，其中，所述用于改善光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷及减少缺陷数的工艺液体组合物由0.00001至0.1重量％的氟系表面活性剂、0.0001至0.1重量％的烃系阴离子表面活性剂、0.0001至0.1重量％的碱性物质以及99.7至99.99979重量％的水组成。3.根据权利要求2所述的用于改善光致抗蚀剂图案的裂痕缺陷及减少缺陷数的工艺液体组合物，其中，所述工艺液体组合物由0.0001至0.1重量％的氟系表面活性剂、0.001至0.1重量％的烃系阴离子表面活性剂、0.001至0.1重量％的碱性物质、及...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秀珍，金起洪，李昇勋，李昇炫，
申请(专利权)人：荣昌化学制品株式会社，
类型：发明
国别省市：