供液装置及半导体处理机台制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种供液装置及半导体处理机台。所述供液装置包括：第一储液槽，用于容纳第一处理液，所述第一储液槽包括槽体进口、槽体出口和槽体回流口，所述槽体出口用于将所述第一储液槽中的所述第一处理液传输至晶圆处理腔室，所述槽体回流口用于接收所述晶圆处理腔室排出的残液；监控结构，连接所述第一储液槽，用于判断所述第一储液槽内的所述第一处理液的实际浓度是否低于第一预设值，若是，则通过所述槽体进口向所述第一储液槽补充预设浓度的第一处理液，所述预设浓度高于所述实际浓度。本实用新型专利技术提高了半导体处理机台的产能，并减少了所述第一处理液的损耗。处理液的损耗。处理液的损耗。

【技术实现步骤摘要】
供液装置及半导体处理机台


[0001]本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种供液装置及半导体处理机台。

技术介绍

[0002]随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。
[0003]其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度、高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。
[0004]光刻是3D NAND存储器等半导体结构制造过程中的重要步骤之一。而光刻过程中经常需要使用化学处理液来去除光阻层，并在半导体处理机台内进行，供液装置用于向半导体处理机台提供化学处理液。为了确保半导体制程的顺利进行，经常需要停机对供液装置内的化学处理液进行更换。更换化学处理液的时间通常较长，从而降低了半导体处理机台的产能，延长了半导体结构的生产周期。
[0005]因此，如何提高半导体处理机台的产能，缩短半导体结构的生产周期，是当前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0006]本技术提供一种供液装置及半导体处理机台，用于解决由于现有的供液装置更换处理液的时间较长的问题，以提高具有所述供液装置的半导体机台的产能。
[0007]为了解决上述问题，本技术提供了一种供液装置，包括：
[0008]第一储液槽，用于容纳第一处理液，所述第一储液槽包括槽体进口、槽体出口和槽体回流口，所述槽体出口用于将所述第一储液槽中的所述第一处理液传输至晶圆处理腔室，所述槽体回流口用于接收所述晶圆处理腔室排出的残液；
[0009]监控结构，连接所述第一储液槽，用于判断所述第一储液槽内的所述第一处理液的实际浓度是否低于第一预设值，若是，则通过所述槽体进口向所述第一储液槽补充预设浓度的第一处理液，所述预设浓度高于所述实际浓度。
[0010]可选的，还包括：
[0011]循环管路，所述循环管路包括沿所述第一处理液的流动方向排布的第一端口、第二端口、第三端口和第四端口，所述第一端口用于与所述槽体出口连通，所述第二端口用于与所述晶圆处理腔室的腔室进口连通，所述第三端口用于与所述晶圆处理腔室的腔室出口连通，所述第四端口用于与所述槽体回流口连通。
[0012]可选的，所述监控结构包括：
[0013]浓度计，设置于所述循环管路中，用于测量所述第一处理液的实际浓度。
[0014]可选的，所述浓度计设置于所述循环管路的所述第一端口与所述第二端口之间，用于测量自所述槽体出口流出的所述第一处理液的浓度。
[0015]可选的，还包括：
[0016]加热器，设置于所述循环管路的所述第一端口与所述第二端口之间，用于对所述第一处理液加热。
[0017]可选的，所述浓度计设置于所述加热器与所述第一端口之间的所述循环管路中。
[0018]可选的，还包括：
[0019]第一阀门，位于所述槽体进口处，用于控制所述槽体进口的开闭。
[0020]可选的，所述监控结构还包括：
[0021]控制器，连接所述浓度计和所述第一阀门，用于判断所述浓度计测量得到的所述第一处理液的所述实际浓度是否低于所述第一预设值，若是，则控制所述第一阀门开启。
[0022]可选的，所述控制器还用于判断所述浓度计测量得到的所述第一处理液的实际浓度是否高于第二预设值，若是，则控制所述第一阀门关闭，所述第二预设值大于所述第一预设值。
[0023]可选的，所述第一储液槽还包括排放口，所述排放口用于将所述第一储液槽中的所述第一处理液排出至外界。
[0024]可选的，还包括：
[0025]第二阀门，位于所述排放口处，用于控制所述排放口是否开启。
[0026]可选的，所述控制器连接所述第二阀门，用于判断所述浓度计测量得到的所述第一处理液的所述实际浓度是否低于所述第一预设值，若是，则控制所述第二阀门开启。
[0027]可选的，所述监控结构还包括：
[0028]计时器，连接所述控制器，用于判断所述第二阀门的开启时间是否达到预设时间，若是，则通过所述控制器关闭所述第二阀门、并开启所述第一阀门。
[0029]可选的，还包括：
[0030]第二储液槽，用于容纳第二处理液，所述第二处理液与所述第一处理液混合后传输至所述晶圆处理腔室。
[0031]为了解决上述问题，本技术还提供了一种半导体处理机台，包括：
[0032]晶圆处理腔室，用于对晶圆进行处理；
[0033]如上述任一项所述的供液装置，用于向所述晶圆处理腔室传输第一处理液并回收所述晶圆处理腔室排出的残液。
[0034]本技术提供的供液装置及半导体处理机台，通过在供液装置中设置监控结构，所述监控结构在判断所述第一储液槽内的所述第一处理液的实际浓度低于第一预设值时，通过所述槽体进口向所述第一储液槽补充预设浓度的第一处理液，所述预设浓度高于所述实际浓度，即通过所述监控结构的实时反馈调节使得所述第一储液槽中的所述第一处理液的实际浓度能够维持在所述第一预设值以上，节省了更换所述第一储液槽中的所述第一处理液的时间，确保了所述半导体处理机台内的半导体处理制程持续、稳定的进行，间接提高了半导体处理机台的产能，并减少了所述第一处理液的损耗。
附图说明
[0035]附图1是本技术具体实施方式中供液装置的结构示意图。
具体实施方式
[0036]下面结合附图对本技术提供的供液装置及半导体处理机台的具体实施方式做详细说明。
[0037]光刻是半导体制程中的重要步骤。在光刻过程中，需要在晶圆表面形成图案化的光阻层，然后将光阻层中的图案向下转移，之后需要去除光阻层。当前去除光阻层主要是采用由供液装置提供的H2SO5溶液，且光阻层去除工艺结束之后产生的废液再回流至所述供液装置，实现循环使用。H2SO5溶液由供液装置内的SPM溶液(即H2O2溶液与H2SO4溶液的混合溶液)反应得到。但是，H2O2溶液会分解产生H2O，H2O2溶液与H2SO4溶液反应生成H2SO5溶液的过程中也会产生水，这就会导致回流至所述供液装置中的H2SO4溶液浓度降低，进而导致所述供液装置内的H2SO4溶液浓度降低。为了确保光阻层去除工艺的顺利进行，执行若干次(例如6次)光阻层去除工艺之后，需要更换所述供液装置中的H2SO4溶液。当前换酸的工艺时将所述供液装置内的H2SO4溶液全部排空之后再注入新的H2SO4溶液。整个换酸过程耗时较长，降低了机台产率。而且，由于需要将所述供液装置内的H2SO4溶液全部排空之后再注入新的H2SO4溶液，从而造成了资源的浪费，也增大了半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种供液装置，其特征在于，包括：第一储液槽，用于容纳第一处理液，所述第一储液槽包括槽体进口、槽体出口和槽体回流口，所述槽体出口用于将所述第一储液槽中的所述第一处理液传输至晶圆处理腔室，所述槽体回流口用于接收所述晶圆处理腔室排出的残液；监控结构，连接所述第一储液槽，用于判断所述第一储液槽内的所述第一处理液的实际浓度是否低于第一预设值，若是，则通过所述槽体进口向所述第一储液槽补充预设浓度的第一处理液，所述预设浓度高于所述实际浓度。2.根据权利要求1所述的供液装置，其特征在于，还包括：循环管路，所述循环管路包括沿所述第一处理液的流动方向排布的第一端口、第二端口、第三端口和第四端口，所述第一端口用于与所述槽体出口连通，所述第二端口用于与所述晶圆处理腔室的腔室进口连通，所述第三端口用于与所述晶圆处理腔室的腔室出口连通，所述第四端口用于与所述槽体回流口连通。3.根据权利要求2所述的供液装置，其特征在于，所述监控结构包括：浓度计，设置于所述循环管路中，用于测量所述第一处理液的实际浓度。4.根据权利要求3所述的供液装置，其特征在于，所述浓度计设置于所述循环管路的所述第一端口与所述第二端口之间，用于测量自所述槽体出口流出的所述第一处理液的浓度。5.根据权利要求4所述的供液装置，其特征在于，还包括：加热器，设置于所述循环管路的所述第一端口与所述第二端口之间，用于对所述第一处理液加热。6.根据权利要求5所述的供液装置，其特征在于，所述浓度计设置于所述加热器与所述第一端口之间的所述循环管路中。7.根据权利要求3所述的供液装置，其特征在于，还包括：第一阀门，位于所述槽体进口处，用于控制所述槽体进口的开闭。8.根据权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵健材，李君，顾立勋，夏余平，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：