存储器件及其形成方法技术

提供了存储器件和形成方法。存储器件包括堆叠结构；以及多个栅极线缝隙结构，垂直延伸穿过堆叠结构以将堆叠结构划分为多个堆叠部分。多个GLS结构在堆叠结构的横向平面中沿第一方向延伸，并且沿基本上正交于第一方向的第二方向布置。每个堆叠部分在对应的相邻栅极线缝隙结构之间。多个堆叠部分中的在堆叠结构的边缘处的沿第二方向的至少一个边缘堆叠部分包括与多个堆叠部分中的沿第二方向的非边缘堆叠部分不同的配置。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体涉及存储器件领域，并且更具体地，涉及存储器件及其形成方法。

技术介绍

1、非易失性存储器件可以是nand、nor、交叉点等形式的三维(three-dimensional，3d)存储器件。非易失性存储器件可以包括以行和列布置的大量非易失存储单元。存储单元堆叠在彼此之上。每组存储单元可以共享多条存取线，诸如字线和位线。

2、为了形成3d存储器件，栅极线缝隙可以用于将要形成的存储器件垂直划分为堆叠部分。随着存储单元层的数量的增大，堆叠部分的高度不断增大。然而，由于堆叠部分的宽度不成比例地增大，引起了导致堆叠部分(例如，存储块)的高宽比高，并且因此在形成存储器件期间存在块倾斜的高风险的问题。

3、所公开的器件和方法旨在解决上述一个或多个问题以及本领域中的其他问题。

技术实现思路

1、本公开的一个方面提供了一种存储器件。存储器件包括堆叠结构和垂直延伸穿过堆叠结构以将堆叠结构划分为多个堆叠部分的多个栅极线缝隙(gate line slit，gls)结构。多个gls结构在堆叠结构的横向平面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述至少一个边缘堆叠部分至少被配置有与所述堆叠结构的所述非边缘堆叠部分不同并且由所述堆叠结构的所述边缘处的对应的相邻GLS结构限定的尺寸、形状和/或组件。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述至少一个边缘堆叠部分被配置为在所述堆叠结构的所述边缘处的所述对应的相邻GLS结构之间的在所述第二方向上的宽度大于所述堆叠结构的所述非边缘堆叠部分。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述至少一个边缘堆叠部分在所述第二方向上的所述宽度为所述堆叠结构的所述非边缘堆叠部分在所述第二方向上的宽...

【技术特征摘要】

1.一种存储器件，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述至少一个边缘堆叠部分至少被配置有与所述堆叠结构的所述非边缘堆叠部分不同并且由所述堆叠结构的所述边缘处的对应的相邻gls结构限定的尺寸、形状和/或组件。

3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述至少一个边缘堆叠部分被配置为在所述堆叠结构的所述边缘处的所述对应的相邻gls结构之间的在所述第二方向上的宽度大于所述堆叠结构的所述非边缘堆叠部分。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述至少一个边缘堆叠部分在所述第二方向上的所述宽度为所述堆叠结构的所述非边缘堆叠部分在所述第二方向上的宽度的至少1.5倍大。

5.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述至少一个边缘堆叠部分被配置为具有一个或多个凸起结构，每个凸起结构朝向所述堆叠结构的所述边缘处的相邻gls结构突出，其中，所述一个或多个凸起结构具有方波、脉冲波、正弦波、锯齿波、三角波或其组合的形状。

6.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述堆叠结构的所述边缘处的所述至少一个边缘堆叠部分还包括垂直穿过所述堆叠结构的所述至少一个边缘堆叠部分的一个或多个子gls结构。

【专利技术属性】
技术研发人员：谢炜，范冬宇，王迪，周文犀，夏志良，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：