极紫外光源用光敏性光刻胶微细图案形成用显影液组合物制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种半导体制造工艺中的EUV(Extreme Ultraviolet，极紫外)光源用光刻胶显影液组合物，且涉及一种将包括2～10重量％的四乙基氢氧化铵(TEAH)的水溶液作为特征的EUV光源用微细图案形成用光刻胶显影液组合物及使用利用该组合物的EUV光源在半导体基板形成图案的光刻工艺。在对光刻胶进行显影时具有不仅能够降低Eop而缩短工艺时间，不造成图案塌陷，而且能够形成均匀轮廓的图案的效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】极紫外光源用光敏性光刻胶微细图案形成用显影液组合物
本专利技术涉及一种半导体制造工艺中用于EUV(ExtremeUltraviolet，极紫外)光源的显影液组合物，更详细地，涉及显影时降低Eop(EnergyofOptimum，最佳能量)且图案的轮廓不会被坍塌的、能够更均匀地形成图案的微细图案形成用光刻胶显影液组合物及利用该组合物的光刻工艺。
技术介绍
最近，随着半导体设备的小型化及集成化，要求实现微细图案。形成这种微细图案的方法包括曝光装备的开发、额外工艺的导入或通过改善工艺的光刻胶图案微细化。在制造半导体中，过去利用365nm波长的i-线(i-line)光源在半导体基板形成图案，但为了形成更加微细的图案，需要更小波段范围的光源。实际上，以KrF(248nm)为开端，开发了利用ArF(198nm)、EUV(extremeultraviolet-极紫外，13.5nm)光源的光刻(lithography)和ArF光刻的重叠曝光(双重图案化光刻)技术，从而现在已经成为商用化或正在商用化当中，并利用这些技术可以实现更微细的波长。...

【技术保护点】
1.一种EUV光源用光刻胶显影液组合物，其特征在于，包括：/n四乙基氢氧化铵水溶液，以便在利用EUV光源而在半导体基板形成图案的光刻工艺中对光刻胶进行显影。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180123 KR 10-2018-00082731.一种EUV光源用光刻胶显影液组合物，其特征在于，包括：
四乙基氢氧化铵水溶液，以便在利用EUV光源而在半导体基板形成图案的光刻工艺中对光刻胶进行显影。


2.根据权利要求1所述的EUV光源用光刻胶显影液组合物，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秀珍，金起洪，李昇勋，
申请(专利权)人：荣昌化学制品株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR