微影方法技术

本揭露是关于一种微影方法，其包括在基板上方形成抗蚀剂层。抗蚀剂层曝露于辐射。使用移除所曝露的抗蚀剂层的曝露部分的显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。使用碱性水冲洗溶液冲洗图案化的抗蚀剂层。

Micrography method

【技术实现步骤摘要】
微影方法
本揭露涉及一种用于正色调显影的微影方法。
技术介绍
微影术广泛地用于集成电路(IC)制造中，其中各种IC图案转移至工件以形成IC元件。微影术制程可包括在工件上方形成抗蚀剂层，将抗蚀剂层曝露于图案化辐射，及显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化的抗蚀剂层。随着IC技术不断向更小的技术节点发展，抗蚀剂图案的结构完整性变得更脆弱，因为抗蚀剂图案更易于变形、破裂及/或剥落。多个因素影响此等参数，其中有用于所曝露抗蚀剂层上的显影剂及冲洗溶液的选择。移除抗蚀剂层的曝露部分的正色调显影(Positivetonedevelopment，PTD)及移除抗蚀剂层的未曝露部分的负色调显影(Negativetonedevelopment，NTD)常常使用不同的显影剂及冲洗溶液。现有的PTD制程及NTD制程导致各种抗蚀剂结构问题。因此，虽然现有的微影技术大体已满足其预期的目的，但它们并非在各方面都完全令人满意。
技术实现思路
本揭露提供一种微影方法，包括在基板上方形成抗蚀剂层；抗蚀剂层曝露于辐射；使用显影剂显影所曝露的抗蚀剂层，进而形成图案化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微影方法，其特征在于，包含：/n在一基板上方形成一抗蚀剂层；/n将该抗蚀剂层曝露于辐射；/n使用一显影剂显影所曝露的该抗蚀剂层，进而形成一图案化的抗蚀剂层；以及/n使用一碱性水冲洗溶液冲洗该图案化的抗蚀剂层。/n

【技术特征摘要】
20181121 US 62/770,677;20190115 US 16/248,6011.一种微影方法，其特征在于，包含：
在一基板上方形成一抗蚀剂层；
将该抗蚀剂层曝露于辐射；
使用一显影剂显影所曝露的该抗蚀剂层，进而形成一图案化的抗蚀剂层；以及
使用一碱性水冲洗溶液冲洗该图案化的抗蚀剂层。


2.根据权利要求1所述的微影方法，其特征在于，该碱性水冲洗溶液的一pH值低于该显影剂的一pH值。


3.根据权利要求1所述的微影方法，其特征在于，该碱性水冲洗溶液包含一碱，该碱包含氨、甲胺(Methylamine)、二甲胺(Dimethylamine)、三甲胺(Trimethylamine)、吡啶(Pyridine)、咪唑(Imidazole)、吡咯(Pyrrole)、4-甲基咪唑(4-Methylimidazole)、吡唑(Pyrazole)、吡唑啉(Pyrazoline)、吡唑啶(Pyrazolidine)、甲基乙胺(Methylethylamine)、恶唑(Oxazole)、噻唑(Thiazole)或其组合。


4.根据权利要求1所述的微影方法，其特征在于，该显影剂包含氢氧化四甲基铵(TMAH)及一碱，该碱包含氨、甲胺、二甲胺、三甲胺、吡啶...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁明晖，刘朕與，吴承翰，张庆裕，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71