半导体制造工艺中用于形成微细硅图案的新型蚀刻方法技术

本发明专利技术的目的是提供一种用于在半导体制造工艺中体现大纵横比的微细硅图案的工艺，涉及一种处理得在有机碳膜层选择地附着耐氟酸性物质后，使用含氟酸水溶液，以湿式蚀刻形成图案的新型湿式蚀刻方法，本发明专利技术的以湿式蚀刻形成图案的方法在形成CD小的图案时，不对数μm深度的蚀刻对象物的活性区域造成损伤地进行蚀刻，从而表现出提供微细图案形成方法的效果。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体制造工艺中用于形成微细硅图案的新型蚀刻方法
本专利技术涉及一种在半导体制造工艺中，为了形成微细硅或硅化合物图案，在有机碳膜图案上以选择性附着的方式涂覆耐氟酸性物质后，使用含氟酸水溶液，以湿式蚀刻形成图案的新型湿式蚀刻方法。
技术介绍
最近，随着半导体设备的小型化及集成化，要求体现微细图案，作为形成这种微细图案的方法，通过开发曝光装备或导入追加工艺的光刻胶图案的微细化是高效的。在制造半导体的工艺中，过去利用365nm波长的i-线(i-line)光源，在半导体基板形成图案，但为了形成更加微细的图案，需要更小波段的光源。实际上，以KrF(248nm)为开端，开发了利用ArF(198nm)、EUV(extremeultraviolet-极紫外，13.5nm)光源的光刻(lithography)、ArF光刻的重叠曝光(双重图案化光刻)技术，从而现在已经商用化或正在商用化当中，并利用这些技术可以体现更微细的图案。为了体现大纵横比(aspectratio)大的硅微细化图案，如果使用如同以往厚的厚度(>500nm)的光刻胶，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成硅或硅化合物图案的方法，在半导体制造工艺中的硅或硅化合物层的蚀刻工艺中，包括：/ni)在蚀刻对象物依次层叠有机膜和无机膜，涂覆用于形成图案的光刻胶后，经过曝光与显影而形成光刻胶图案的步骤；/nii)利用上述步骤中形成的光刻胶图案，用能进行蚀刻的气体实施干式蚀刻而剩留蚀刻对象物紧接着的上面的有机碳膜的步骤；/niii)在剩留的有机碳膜图案上涂覆耐氟酸性物质的步骤；及/niv)用含有氟酸的水溶液进行湿式蚀刻的步骤。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180123 KR 10-2018-00082631.一种形成硅或硅化合物图案的方法，在半导体制造工艺中的硅或硅化合物层的蚀刻工艺中，包括：
i)在蚀刻对象物依次层叠有机膜和无机膜，涂覆用于形成图案的光刻胶后，经过曝光与显影而形成光刻胶图案的步骤；
ii)利用上述步骤中形成的光刻胶图案，用能进行蚀刻的气体实施干式蚀刻而剩留蚀刻对象物紧接着的上面的有机碳膜的步骤；
iii)在剩留的有机碳膜图案上涂覆耐氟酸性物质的步骤；及
iv)用含有氟酸的水溶液进行湿式蚀刻的步骤。


2.根据权利要求1所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，
在蚀刻对象物层叠有机膜和无机膜的方法为进行涂覆或者以化学或物理方式沉积的方法。


3.根据权利要求2所述的形成硅或硅化合物图案的方法，其特征在于，
层叠于蚀刻对象物的有机碳膜的含碳量为30％至100％。


4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李秀珍，金起洪，李昇勋，
申请(专利权)人：荣昌化学制品株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR