图案化方法技术

本发明专利技术公开一种图案化方法，其中该图案化方法包括下列步骤。在材料层上形成掩模层。以第一光刻制作工艺于掩模层中形成第一开孔。在第一开孔中形成第一掩模图案。以第二光刻制作工艺于掩模层中形成第二开孔。在第二开孔的内壁上形成第一间隙壁。在形成第一间隙壁之后，在第二开孔中形成第二掩模图案。第一间隙壁于第二开孔中围绕第二掩模图案。移除掩模层以及第一间隙壁。以蚀刻制作工艺将第一掩模图案以及第二掩模图案的图形转移至材料层。

【技术实现步骤摘要】
图案化方法本申请是申请号为201810243170.0、申请日为2018年3月23日、专利技术名称为“图案化方法以及图案化结构”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种图案化方法以及图案化结构，尤其是涉及一种具有多个光刻制作工艺的图案化方法以及以图案化方法所形成的图案化结构。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit，IC)是通过形成于基底或不同膜层中的图案化特征(feature)构成的元件装置以及内连线结构所建构。在IC的制作过程中，光刻(photolithography)制作工艺为一不可或缺的技术，其主要是将所设计的图案，例如电路布局图案形成于一个或多个光掩模上，然后再通过曝光(exposure)与显影(development)步骤将光掩模上的图案转移至一膜层上的光致抗蚀剂层内，以将此复杂的布局图案精确地转移至半导体芯片上。随着半导体产业的微型化发展以及半导体制作技术的进步，现有作为广用技术的曝光技术已逐渐接近其极限。因此，目前业界也开发出双重曝光光刻技术来制作更微型化的半导体元件结构。然而，同一层别本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图案化方法，其特征在于，包括：/n在一材料层上形成一掩模层；/n以一第一光刻制作工艺于该掩模层中形成一第一开孔；/n在该第一开孔中形成一第一掩模图案；/n以一第二光刻制作工艺于该掩模层中形成一第二开孔；/n在该第二开孔的内壁上形成一第一间隙壁；/n在形成该第一间隙壁之后，在该第二开孔中形成一第二掩模图案，其中该第一间隙壁于该第二开孔中围绕该第二掩模图案；/n移除该掩模层以及该第一间隙壁；以及/n以一蚀刻制作工艺将该第一掩模图案以及该第二掩模图案的图形转移至该材料层。/n

【技术特征摘要】
1.一种图案化方法，其特征在于，包括：
在一材料层上形成一掩模层；
以一第一光刻制作工艺于该掩模层中形成一第一开孔；
在该第一开孔中形成一第一掩模图案；
以一第二光刻制作工艺于该掩模层中形成一第二开孔；
在该第二开孔的内壁上形成一第一间隙壁；
在形成该第一间隙壁之后，在该第二开孔中形成一第二掩模图案，其中该第一间隙壁于该第二开孔中围绕该第二掩模图案；
移除该掩模层以及该第一间隙壁；以及
以一蚀刻制作工艺将该第一掩模图案以及该第二掩模图案的图形转移至该材料层。


2.如权利要求1所述的图案化方法，其中该第二开孔大于该第一开孔。


3.如权利要求1所述的图案化方法，其中该材料层上定义有第一区以及第二区，且该第一开孔以及该第二开孔形成于该第一区上。


4.如权利要求3所述的图案化方法，还包括：
以该第一光刻制作工艺于该掩模层中形成一第三开孔，其中该第三开孔形成于该第二区上，且该第三开孔的形状不同于该第一开孔的形状；
在该第三开孔中形成一第三掩模图案；
以该第二光刻制作工艺于该掩模层中形成一第四开孔，其中该第四开孔形成于该第二区上，且该第四开孔的形状不同于该第二开孔的形状；
在该第四开孔的内壁上形成一第二间隙壁；
在形成该第二间隙壁之后，在该第四开孔中形成一第四掩模图案，其中该第二间隙壁于该第四开孔中围绕该第四掩模图案；
移除该第二间隙壁；以及
以该蚀刻制作工艺将该第三掩模图案以及该第四掩模图案的图形转移至该材料层。


5.如权利要求4所述的图案化方法，其中该第四开孔的宽度大于该第三开孔的宽度。

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰溢，李甫哲，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71