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本发明的目的是提供一种用于在半导体制造工艺中体现大纵横比的微细硅图案的工艺，涉及一种处理得在有机碳膜层选择地附着耐氟酸性物质后，使用含氟酸水溶液，以湿式蚀刻形成图案的新型湿式蚀刻方法，本发明的以湿式蚀刻形成图案的方法在形成CD小的图案时，不...
该专利属于荣昌化学制品株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过荣昌化学制品株式会社授权不得商用。

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