用于厚金电镀的光刻工艺方法技术

本发明专利技术公开了用于厚金电镀的光刻工艺方法，具体包括对准标靶制作，然后进行溅射导电层，最后进行电镀光刻工艺；本发明专利技术在电镀光刻工艺去边过程中，不需要引入其它设备配置以及化学溶剂，可以简单高效的解决去边光刻胶的问题，大幅度节省成本的一种高效手段。大幅度节省成本的一种高效手段。大幅度节省成本的一种高效手段。

【技术实现步骤摘要】
用于厚金电镀的光刻工艺方法


[0001]本专利技术属于半导体芯片工艺
，涉及用于厚金电镀的光刻工艺方法。

技术介绍

[0002]化学金属电镀工艺是半导体芯片至关重要的一种工艺方法，通常电镀工艺需要对晶圆边缘的光刻胶进行去边工艺，以保证电镀过程中导电环对晶圆进行电流注入，实现导通；传统的去边工艺一般会采用机械喷涂光刻胶溶解液(EBR)或晶圆边缘曝光(WEE)的方式去进行去边工艺，从而达到目的，其存在成本高、操作难、效率低的问题；
[0003]其中采用机械喷涂光刻胶溶解液(EBR)是在匀胶过程中，对边缘精确喷涂，从而使光刻胶去除；而边缘曝光(WEE)技术是在匀胶自动显影机中使用汞灯对边缘进行曝光，后在显影中进行光刻胶去除；
[0004]边胶去除主要是由匀胶显影机台去控制，在这两种技术手段的影响下提出一种新的技术手段；借助对电镀光刻版的优化，不使用光刻胶溶解剂(EBR)以及匀胶显影机(WEE)的情况下对晶圆去边，满足电镀工艺需求。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是提供用于厚金电镀的光刻工艺方法，解决了现有技术中存在成本高、操作难、效率低的问题。
[0006]本专利技术所采用的技术方案是，用于厚金电镀的光刻工艺方法，具体包括对准标靶制作，然后进行溅射导电层，最后进行电镀光刻工艺。
[0007]本专利技术的特点还在于：
[0008]其中用于厚金电镀的光刻工艺方法，具体按以下步骤实施：
[0009]步骤1，涂胶：将晶圆进行涂胶操作；
[0010]步骤2，曝光：将经步骤1涂胶后的晶圆进行曝光，将第一层图形转移至负性光刻胶表面；
[0011]步骤3，显影：将经步骤2处理后的晶圆进行显影；
[0012]步骤4，蒸镀：将经步骤3显影后的晶圆送入电子束蒸镀机，蒸镀金属从内到外依次为钛、铂、金；
[0013]步骤5，剥离：经步骤4蒸镀完金属后将晶圆放入lift
‑
off机台，进行有机溶液金属剥离；
[0014]步骤6，溅射：将步骤5中剥离完的晶圆放入磁控溅射机台中，溅射金属TIW/AU；
[0015]步骤7，二次涂胶：将步骤6溅射完的晶圆进行涂胶工作；
[0016]步骤8，二次曝光：将步骤7中完成涂胶工艺的晶圆进行曝光，将电镀层图形转移至正性光刻胶表面；
[0017]步骤9，二次显影：将步骤8曝光后的晶圆进行显影；
[0018]步骤10，电镀：将步骤9完成显影的晶圆坚膜，再进行金属电镀；
[0019]步骤11，去胶：将经步骤10电镀完的晶圆送入化学清洗机台中去胶；
[0020]其中步骤1中的涂胶过程具体为：将晶圆放置在匀胶自动显影机卡塞中，进行RPN
‑
1150系列负性光刻胶涂胶工艺，后在热板上90℃～110℃的条件下进行软烘90s，即涂胶工艺完成；
[0021]其中步骤2的曝光过程具体为：将经步骤1涂胶后的晶圆放置在SUSS
‑
MA6光刻机载台上，将晶圆noch与光刻机载台上的定位销紧密贴合，再在能量为180mj/cm2条件下进行曝光，将第一层图形转移至负性光刻胶表面；
[0022]其中步骤3的显影具体过程为：将经步骤2处理后的晶圆放置在匀胶自动显影机卡塞中，在热板115℃条件下烘烤，完成曝后烤工艺后，使用显影液进行显影30s～40s；
[0023]其中步骤7中的二次涂胶具体为：将步骤6溅射完的晶圆放置在匀胶自动显影机卡塞中，进行光刻胶涂胶工艺，后在热板上110℃条件下进行软烘120s～150s，即涂胶工艺完成；
[0024]其中步骤8中二次曝光具体为：将步骤7中完成涂胶工艺的晶圆放置在SUSS
‑
MA6光刻机载台上，将晶圆noch与光刻机载台上的定位销紧密贴合，再在能量为180mj/cm2～200mj/cm2条件下使用优化后的光刻版进行套刻并完成曝光，将电镀层图形转移至正性光刻胶表面；
[0025]其中步骤9的二次显影具体为：将步骤8曝光后的晶圆放置在匀胶自动显影机卡塞中，在热板90℃条件下烘烤90s～110s，完成曝后烤工艺后，使用显影液进行显影40s～110s。
[0026]本专利技术的有益效果是
[0027]本专利技术提供了一种可行性高、易操作、成本低、高效率的电镀光刻工艺方法，通过将电镀光刻版图形区域面积设计为需要电镀芯片区域的面积，其余根据正胶或负胶分别设计为透光或遮光，进行此优化后不需要借助其它工艺手段，在显影过程中边缘光刻胶会被去除，从而达到电镀去边工艺的目的。
附图说明
[0028]图1是本专利技术的用于厚金电镀的光刻工艺方法中电镀光刻版图；
[0029]图2是本专利技术的用于厚金电镀的光刻工艺方法中实施例中电镀光刻工艺一中的步骤8曝光具体效果图；
[0030]图3是本专利技术的用于厚金电镀的光刻工艺方法实施例电镀光刻工艺二中步骤8的曝光具体效果图。
具体实施方式
[0031]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行详细说明。
[0032]本专利技术提供了用于厚金电镀的光刻工艺方法，具体按以下步骤实施：
[0033]对准标靶制作：
[0034]步骤1，涂胶：将晶圆放置在匀胶自动显影机卡塞中，进行RPN
‑
1150系列负性光刻胶涂胶工艺，后在热板上(90℃～110℃)进行软烘90s，即涂胶工艺完成；
[0035]步骤2，曝光：将步骤1晶圆放置在SUSS
‑
MA6光刻机载台上，将晶圆noch与光刻机载
台上的定位销紧密贴合，再在能量为180mj/cm2条件下进行曝光，将第一层图形转移至负性光刻胶表面；
[0036]步骤3，显影：将步骤2晶圆放置在匀胶自动显影机卡塞中，在热板115℃下烘烤，完成曝后烤工艺后，使用显影液进行显影30s～40s；
[0037]步骤4，蒸镀：将显影后的晶圆送入电子束蒸镀机，蒸镀金属从内到外为钛、铂、金；
[0038]步骤5，剥离：蒸镀完金属后将晶圆放入lift
‑
off机台，进行有机溶液金属剥离；
[0039]溅射导电层：
[0040]步骤6，溅射：将步骤5中剥离完的晶圆放入磁控溅射机台中，溅射金属TIW/AU；
[0041]电镀光刻工艺：
[0042]步骤7，涂胶：将步骤6溅射完的晶圆放置在匀胶自动显影机卡塞中，进行光刻胶涂胶工艺，后在热板上110℃进行软烘120s～150s，即涂胶工艺完成；
[0043]步骤8，曝光：将步骤7中完成涂胶工艺的晶圆放置在SUSS
‑
MA6光刻机载台上，将晶圆noch与光刻机载台上的定位销紧密贴合，再在能量为180mj/cm2～200mj/cm2条件下使用优化后的光刻版进行套刻并完成曝光，将电镀层图形转移至正性光刻胶表面；光刻版图如图1所示；
[0044]步骤9，显影：将步骤8曝光后的晶圆放置在匀胶自动显影机卡塞中，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于厚金电镀的光刻工艺方法，其特征在于，具体包括对准标靶制作，然后进行溅射导电层，最后进行电镀光刻工艺。2.根据权利要求1所述的用于厚金电镀的光刻工艺方法，其特征在于，具体按以下步骤实施：步骤1，涂胶：将晶圆进行涂胶操作；步骤2，曝光：将经步骤1涂胶后的晶圆进行曝光；步骤3，显影：将经步骤2处理后的晶圆进行显影；步骤4，蒸镀：将经步骤3显影后的晶圆送入电子束蒸镀机，蒸镀金属从内到外依次为钛、铂、金；步骤5，剥离：经步骤4蒸镀完金属后将晶圆放入lift
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off机台，进行有机溶液金属剥离；步骤6，溅射：将步骤5中剥离完的晶圆放入磁控溅射机台中，溅射金属TIW/AU；步骤7，二次涂胶：将步骤6溅射完的晶圆进行涂胶工作；步骤8，二次曝光：将步骤7中完成涂胶工艺的晶圆进行曝光；步骤9，二次显影：将步骤8曝光后的晶圆进行显影；步骤10，电镀：将步骤9完成显影的晶圆坚膜，再进行金属电镀；步骤11，去胶：将经步骤10电镀完的晶圆送入化学清洗机台中去胶。3.根据权利要求2所述的用于厚金电镀的光刻工艺方法，其特征在于，所述步骤1中的涂胶过程具体为：将晶圆放置在匀胶自动显影机卡塞中，进行RPN
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1150系列负性光刻胶涂胶工艺，后在热板上90℃～110℃的条件下进行软烘90s，即涂胶工艺完成。4.根据权利要求2所述的用于厚金电镀的光刻工艺方法，其特征在于，所述步...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞，赵涛，
申请(专利权)人：陕西光电子先导院科技有限公司，
类型：发明
国别省市：