薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法技术

本发明专利技术公开了薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法，步骤1，准备大小不一的两个实验载片将其贴合，然后整面贴蓝膜将两个实验载片固定；步骤2，在步骤1的小实验载片上开孔蓝膜，并去除掉蓝膜；步骤3，将小实验载片替换成薄片晶圆并将蓝膜贴重新贴上；步骤4，将薄片晶圆边缘的蓝膜碾压至无气泡为止；步骤5，将步骤4中大实验载片使用匀胶机匀胶后，取下大实验载片，将蓝膜从边缘撕掉，取下薄片晶圆进行热板烘烤，后即完成薄片晶圆匀胶工艺，本发明专利技术提供了薄片晶圆在进行光刻工艺过程中，如何进行匀胶的技术手段，解决了现有的匀胶过程中晶圆易破碎的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法


[0001]本专利技术属于半导体光刻
，涉及一种薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法。

技术介绍

[0002]随着半导体芯片制造技术的日益发展，芯片厚度不断的减小，在这过程中也随之引发了很多的技术难题，其中关键的一点是薄片晶圆在后道工艺制作过程中存在很大的破碎风险，从而导致芯片制造良率大幅度降低甚至无法进行工艺；
[0003]光刻工艺是目前制作半导体芯片制造过程中最为普遍的一种技术方法，主要包含匀胶、光刻、显影等工艺，其中未薄片的晶圆在匀胶过程中是通过真空吸力将晶圆吸附在载台上高速旋转成膜；但是目前很多产品设计需要在薄片后的晶圆背面进行光刻图形，而实际上薄片晶圆在设备能力有限的情况下是无法完成匀胶工艺的，是由于薄片后的晶圆无法承受载台真空的吸力，往往会造成破片；本专利技术提供一种新的加固方法，是通过借助载片作为支撑实现薄片晶圆匀胶的工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法，解决了现有技术中存在的薄片晶圆在匀胶过程中易破碎的问题。
[0005]本专利技术所采用的技术方案是，薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法，具体按以下步骤实施：
[0006]步骤1，准备大小不一的两个实验载片将其贴合，然后整面贴蓝膜将两个实验载片固定；
[0007]步骤2，在步骤1的小实验载片上开孔蓝膜，并去除掉蓝膜；
[0008]步骤3，将小实验载片替换成薄片晶圆并将蓝膜贴重新贴上；
[0009]步骤4，将薄片晶圆边缘的蓝膜碾压至无气泡为止；
[0010]步骤5，将步骤4中大实验载片使用匀胶机匀胶后，取下大实验载片，将蓝膜从边缘撕掉，取下薄片晶圆进行热板烘烤，后即完成薄片晶圆匀胶工艺。
[0011]本专利技术的特点还在于：
[0012]其中步骤1中大小不一的两个实验载片中小实验载片的尺寸与薄片晶圆尺寸相同，将小实验载片放置在大实验载片中央；
[0013]其中步骤2中开孔形状根据薄片晶圆形状而定，开孔尺寸为实际薄片晶圆边缘2mm～3mm以内；
[0014]其中步骤3中的替换过程具体为：将开孔后的蓝膜撕开至小实验载片可完全取出后停止撕蓝膜，标记小实验载片的位置，将小实验载片取下，将薄片晶圆匀胶面朝上放置于标记位置并与其重合，将蓝膜贴重新贴上；
[0015]其中步骤3中薄片晶圆厚度在不大于200μm且尺寸不大于Φ4"。
[0016]本专利技术的有益效果是
[0017]本专利技术的薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法相比于常规的晶圆匀胶工艺，是借助外力来支撑晶圆，确保其不发生碎裂，同时借助蓝膜遮盖晶圆边缘以外的区域，防止其区域在匀胶过程中被光刻胶糊住，从而保证匀胶后晶圆顺利能从载片上取下来的可行性。
附图说明
[0018]图1是本专利技术的薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法中步骤2的晶圆工艺示意图；
[0019]图2是本专利技术的薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法中实施例2中的晶圆工艺示意图。
具体实施方式
[0020]下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行详细说明。
[0021]本专利技术提供了薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法，具体按以下步骤实施：
[0022]步骤1，首先找一片与薄片晶圆尺寸相同、一片大于薄片晶圆尺寸的实验载片，将小实验载片放置在大载片中央，整面贴蓝膜将两个实验载片固定在一起；
[0023]步骤2，在步骤1的小实验载片上用美工刀开孔蓝膜，并去除掉，开孔形状根据薄片晶圆形状而定，开孔尺寸为实际薄片晶圆边缘2mm～3mm以内，如图1所示；
[0024]步骤3，将开孔后的蓝膜撕开至小实验载片完全可以去放出来后停止撕蓝膜，用细马克笔标记好小实验载片的位置，将小实验载片取下，将薄片晶圆厚度在200μm以下的规则或不规则(尺寸不大于Φ4")的晶圆匀胶面朝上放置于标记位置并与其重合，将蓝膜贴重新贴上；
[0025]步骤4，使用平头或圆头棉签将薄片晶圆边缘的蓝膜轻轻碾压至无气泡为止；
[0026]步骤5，将步骤4大实验载片使用匀胶机匀胶后，取下载片，将蓝膜从边缘轻轻撕掉，取下薄片晶圆进行热板烘烤，后即完成薄片晶圆匀胶工艺。
[0027]实施例1(一片薄片至100μm厚度的Φ2"Inp晶圆进行匀胶工艺)
[0028]步骤1，找一片Φ4"硅片与Φ2"硅片，将小硅片放置在大硅片中央，整面贴蓝膜将两个硅片固定在一起；
[0029]步骤2，在步骤1的Φ2"硅片上用美工刀开孔蓝膜，并去除掉，开孔形状为圆形带平边，开孔尺寸为边缘2mm以内；
[0030]步骤3，将开孔后的蓝膜撕开至Φ2"硅片完全露出来停止撕蓝膜，用细马克笔标记好Φ2"硅片的位置，将Φ2"硅片取下，将薄片至100μm厚度的Φ2"Inp晶圆匀胶面朝上放置于标记位置并与其重合，将蓝膜贴重新贴上；
[0031]步骤4，使用平头棉签将薄片晶圆边缘的蓝膜轻轻碾压至无气泡为止；
[0032]步骤5，将步骤4Φ4"硅片使用匀胶机匀胶后，取下载片，将蓝膜从边缘轻轻撕掉，取下薄片晶圆进行热板烘烤，后即完成薄片晶圆匀胶工艺。
[0033]实施例2(一片薄片至200μm厚度的Φ3"GaAs异形晶圆进行匀胶工艺)
[0034]步骤1，找一片Φ4"硅片与Φ3"硅片，将小硅片放置在大硅片中央，整面贴蓝膜将两个硅片固定在一起；
[0035]步骤2，在步骤1的Φ3"硅片上用美工刀开孔蓝膜，并去除掉，开孔形状为圆形带平边，开孔尺寸为边缘2mm以内；
[0036]步骤3，将开孔后的蓝膜撕开至Φ3"硅片完全露出来停止撕蓝膜，用细马克笔标记好Φ3"硅片的位置，将Φ3"硅片取下，将薄片至100μm厚度的Φ3"Inp异形晶圆匀胶面朝上放置于标记位置并与其重合，将蓝膜贴重新贴上；
[0037]步骤4，使用平头棉签将薄片晶圆边缘的蓝膜轻轻碾压至无气泡为止；如图2所示：
[0038]步骤5，将步骤4Φ4"硅片使用匀胶机匀胶后，取下载片，将蓝膜从边缘轻轻撕掉，取下薄片晶圆进行热板烘烤，后即完成薄片晶圆匀胶工艺。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法，其特征在于，具体按以下步骤实施：步骤1，准备大小不一的两个实验载片将其贴合，然后整面贴蓝膜将两个实验载片固定；步骤2，在步骤1的小实验载片上开孔蓝膜，并去除掉蓝膜；步骤3，将小实验载片替换成薄片晶圆并将蓝膜贴重新贴上；步骤4，将薄片晶圆边缘的蓝膜碾压至无气泡为止；步骤5，将步骤4中大实验载片使用匀胶机匀胶后，取下大实验载片，将蓝膜从边缘撕掉，取下薄片晶圆进行热板烘烤，后即完成薄片晶圆匀胶工艺。2.根据权利要求1所述的薄片晶圆在匀胶过程中的加固方法，其特征在于，所述步骤1中大小不一的两个实验载片中小实验载片的尺寸与薄片晶圆尺寸相同，将小实验载...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨飞，赵涛，
申请(专利权)人：陕西光电子先导院科技有限公司，
类型：发明
国别省市：