侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法技术

本发明专利技术公开的侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法，包括以下步骤：步骤1，选取晶圆，采用ICP刻蚀对晶圆表层进行处理；步骤2，在晶圆表面蒸镀氧化铝，形成氧化铝层；步骤3，在氧化铝层上旋涂正性光刻胶，并对旋涂后的正性光刻胶进行软烤处理；步骤4，在正性光刻胶表面遮挡图形掩膜版后，依次对正性光刻胶进行曝光、显影处理；步骤5，采用氧化铝腐蚀液对所述氧化铝层进行刻蚀，形成刻蚀图形后，继续进行湿法刻蚀，对刻蚀图形边缘的氧化铝层进行腐蚀处理；本发明专利技术解决了现有扩散阻挡层带图形腐蚀工艺中侧壁存在毛刺孔洞的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法。

技术介绍

1、平面介质光波导是最简单的光波导，它是用折射率为n2的硅/砷化镓/玻璃作基片，用微电子工艺在它上面镀一层折射率为n1的介质膜，再加上折射率为n3的覆盖层制成；通常n1>n2>n3，以便将光波局限在介质膜内传播。条形介质光波导是在折射率为n2的基体中产生一个折射率为n1的长条，取n1>n2，以便将光波局限在长条内传播。这种光波导常用作光的分路器、耦合器、开关等功能器件。

2、玻璃中的na、k离子在高温下成为可迁移的离子，可从外部与其他离子相互扩散/交换使组成产生变化。要使折射率提高，可通过与极化率大的k+、rb+、cs+、t1+、ag+或离子半径小的li+进行离子交换。

3、为在折射率为n2的基体中产生一个折射率为n1的长条需要经离子扩散，为了减少光传播过程的损耗就要求扩散后n1的侧边平滑，然而现有技术在制备扩散阻挡层时直接在干净的晶圆上采用电子束蒸镀的方式蒸镀氧化铝，未对晶圆表面进行细化处理，导致在蒸镀成膜过程中岛状现象明显，在后面腐蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，步骤1中所述ICP刻蚀具体采用ICP刻蚀机进行刻蚀处理，所述ICP刻蚀机的腔室真空度为0.1Pa～10Pa；RF功率为100w～1000w；Ar气流量为10sccm～100sccm；刻蚀时间为1s～60s。

3.根据权利要求1所述的侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，步骤2中在晶圆(1)表面蒸镀氧化铝采用电子束蒸镀机进行蒸镀，先将电子束蒸镀机的腔室真空度维持在1.0E-3Pa～9.0E-3Pa之间，再将腔室内温度加热至100℃...

【技术特征摘要】

1.侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，步骤1中所述icp刻蚀具体采用icp刻蚀机进行刻蚀处理，所述icp刻蚀机的腔室真空度为0.1pa～10pa；rf功率为100w～1000w；ar气流量为10sccm～100sccm；刻蚀时间为1s～60s。

3.根据权利要求1所述的侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，步骤2中在晶圆(1)表面蒸镀氧化铝采用电子束蒸镀机进行蒸镀，先将电子束蒸镀机的腔室真空度维持在1.0e-3pa～9.0e-3pa之间，再将腔室内温度加热至100℃～300℃，维持氧化铝的蒸发速率在

4.根据权利要求3所述的侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，所述氧化铝层(2)的厚度为50nm～500nm。

5.根据权利要求1所述的侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法，其特征在于，所述正性光刻胶(3)的厚度为1μm～2μm。

6.根据权利要求1所述的侧边平滑的扩散阻挡层的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜士义，刘阿娟，
申请(专利权)人：陕西光电子先导院科技有限公司，
类型：发明
国别省市：