晶圆涂胶方法技术

本申请涉及一种晶圆涂胶方法，该方法包括：将晶圆放置于反应腔内；对晶圆进行至少两个阶段的喷胶；其中，奇数个阶段中，晶圆的转速为第一转速，反应腔的排气压力第一压力；偶数个阶段中，晶圆的转速为第二转速，反应腔的排气压力为第二压力；第一转速大于第二转速，第一压力大于第二压力。在晶圆涂胶过程中，通过设置相邻两个阶段晶圆的转速和反应腔的排气压力不同，能够在相邻的两个阶段分别将光刻胶累积在晶圆的中心处和边缘处，保证晶圆中心处和边缘处都能均匀涂覆上光刻胶，从而改善晶圆表面的光刻胶的均匀性，并且无需增加RRC的用量，因此不会增加生产成本。因此不会增加生产成本。因此不会增加生产成本。

【技术实现步骤摘要】
晶圆涂胶方法


[0001]本申请涉及半导体制造
，特别是涉及一种晶圆涂胶方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件制造过程中，光刻胶涂敷工艺常采用旋涂胶法，具体是指将晶圆放入涂胶装置中，涂胶装置在晶圆上滴落定量的光刻胶，同时旋转承载晶圆的装载盘。通过高速旋转时产生的离心力将光刻胶均匀地分布在晶圆上，多余的胶被甩出晶圆之外。但是由于光刻胶的粘滞系数过高，光刻胶旋涂在晶圆表面上时，光刻胶不易推到晶圆边缘，使得晶圆边缘的涂胶效果不佳，从而晶圆表面上的光刻胶的均匀性较差。
[0003]相关技术中，通常在光刻胶中加入光刻胶稀释剂(英文：Reduced Resist Consumption，简称：RRC)，并相应增加光刻胶的用量。由于RRC的主要成分与光刻胶中的溶剂成分一致，因此RRC的加入可以改善光刻胶的流动性，推进光刻胶向晶圆边缘扩展，从而改善晶圆表面的光刻胶的均匀性。
[0004]然而，利用光刻胶中加入光刻胶稀释剂的方法改善晶圆表面的光刻胶的均匀性，往往增加了生产成本。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够改善晶圆表面的光刻胶的均匀性并同时不增加生产成本的晶圆涂胶方法。
[0006]为了实现上述目的，本申请提供了一种晶圆涂胶方法。
[0007]一种晶圆涂胶方法，所述晶圆涂胶方法包括：
[0008]将晶圆放置于反应腔内；
[0009]对所述晶圆进行至少两个阶段的喷胶；
[0010]其中，奇数个阶段中，所述晶圆的转速为第一转速，所述反应腔的排气压力第一压力；偶数个阶段中，所述晶圆的转速为第二转速，所述反应腔的排气压力为第二压力；所述第一转速大于所述第二转速，所述第一压力大于所述第二压力。
[0011]在其中一个实施例中，所述第一转速为所述第二转速的3倍～5倍。
[0012]在其中一个实施例中，所述第一压力为所述第二压力的3.5倍～6.5倍。
[0013]在其中一个实施例中，所述阶段的数量为奇数。
[0014]在其中一个实施例中，最后一个阶段的持续时间大于其它阶段的持续时间。
[0015]在其中一个实施例中，所述晶圆涂胶方法还包括：
[0016]在喷胶前，控制所述晶圆的转速为所述第二转速，所述反应腔的排气压力为所述第二压力，于所述晶圆的表面涂布一层光刻胶稀释剂。
[0017]在其中一个实施例中，所述晶圆涂胶方法还包括：
[0018]在喷胶后，控制所述晶圆的转速为所述第二转速，所述反应腔的排气压力为所述第二压力，对所述晶圆进行匀胶。
[0019]在其中一个实施例中，所述方法应用于涂胶设备，所述涂胶设备包括反应腔、承载台和胶管，所述承载台可旋转地设置于所述反应腔内，所述胶管延伸至所述反应腔内且位于所述承载台的上方，所述反应腔的顶部朝向所述承载台的区域设有进气口，所述反应腔的底部位于所述承载台的外侧设有排气口。
[0020]在其中一个实施例中，所述胶管在喷胶时一端正对所述晶圆的中心，并在喷胶后位于所述反应腔的一侧。
[0021]在其中一个实施例中，排气的气体从所述反应腔的顶部正对所述晶圆的中心区域的位置通入所述反应腔，并从所述晶圆的边缘流向所述反应腔的底部。
[0022]上述晶圆涂胶方法，将晶圆放置于反应腔内后，对晶圆进行至少两个阶段的喷胶。在奇数个阶段中，将晶圆的转速设为较大的第一转速，反应腔的排气压力设为较大的第一压力，此时滴落至晶圆中心处的光刻胶受到较高的离心力而向边缘扩展，同时晶圆中心处的光刻胶受到从晶圆中心处排出的高压气体施加的压力而向边缘扩展，使得光刻胶边缘上累积足够光刻胶。在偶数个阶段中，晶圆的转速设为较小的第二转速，反应腔的排气压力设为较小的第二压力，此时晶圆边缘处的光刻胶受到的离心力小于奇数个阶段的晶圆边缘处的光刻胶受到的离心力，并且晶圆中心处的光刻胶受到排出的气体施加的压力较小，使得偶数个阶段滴落的光刻胶主要累积在晶圆的中心处。在晶圆涂胶过程中，通过设置相邻两个阶段晶圆的转速和反应腔的排气压力不同，能够在相邻的两个阶段分别将光刻胶累积在晶圆的中心处和边缘处，保证晶圆中心处和边缘处都能均匀涂覆上光刻胶，从而改善晶圆表面的光刻胶的均匀性。这样通过调整晶圆涂胶时晶圆的转速和反应腔的排气压力来改善晶圆表面的光刻胶的均匀性，无需增加光刻胶和RRC的用量，不会增加生产成本。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为一实施例中晶圆涂胶方法的应用环境图；
[0025]图2为一实施例中提供的晶圆涂胶方法的流程示意图；
[0026]图3为一实施例中提供的晶圆涂胶方法中的反应腔的侧面示意图；
[0027]图4为不同晶圆涂胶转速与晶圆表面各个位置上光刻胶厚度的关系图。
具体实施方式
[0028]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0029]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0030]可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种参数，
但这些参数不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个参数与另一个参数区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一转速称为第二转速，且类似地，可将第二转速称为第一转速。第一转速和第二转速两者都是晶圆的转速值，但其不是同一晶圆的转速值。
[0031]可以理解，以下实施例中的“电连接”，如果被电连接的电路、模块、单元等相互之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电电连接”、“通信电连接”等。
[0032]在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
[0033]正如
技术介绍
所述，在光刻胶旋涂在晶圆表面上时，由于光刻胶的粘滞系数过高，因此光刻胶不易被推到晶圆边缘，从而导致晶圆表面上的光刻胶的均匀性较差。而单一地加快晶圆转速会导致大部分光刻胶被甩出晶圆，同样不能解决晶圆表面上的光刻胶的均匀性较差的问题。
[0034]为了改善光刻胶在晶圆表面上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆涂胶方法，其特征在于，所述晶圆涂胶方法包括：将晶圆放置于反应腔内；对所述晶圆进行至少两个阶段的喷胶；其中，奇数个阶段中，所述晶圆的转速为第一转速，所述反应腔的排气压力第一压力；偶数个阶段中，所述晶圆的转速为第二转速，所述反应腔的排气压力为第二压力；所述第一转速大于所述第二转速，所述第一压力大于所述第二压力。2.根据权利要求1所述的晶圆涂胶方法，其特征在于，所述第一转速为所述第二转速的3倍～5倍。3.根据权利要求1所述的晶圆涂胶方法，其特征在于，所述第一压力为所述第二压力的3.5倍～6.5倍。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的晶圆涂胶方法，其特征在于，所述阶段的数量为奇数。5.根据权利要求4所述的晶圆涂胶方法，其特征在于，最后一个阶段的持续时间大于其它阶段的持续时间。6.根据权利要求4所述的晶圆涂胶方法，其特征在于，所述晶圆涂胶方法还包括：在喷胶前，控制所述晶圆的转速为所述第二转速，所述反应腔的排气压力为所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张祥平，林士程，古哲安，李海峰，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：