半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器技术

本公开涉及集成电路设计及制造技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器，半导体结构包括衬底、阻挡层、第二隔离结构及功能层；衬底具有第一表面及第二表面，衬底内形成间隔排布的第一隔离结构，第一隔离结构经由衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；阻挡层沿第一方向延伸，且覆盖第一隔离结构靠近衬底的第二表面的表面；第二隔离结构形成于衬底内，且沿第一方向间隔排布，第二隔离结构经由衬底的第二表面朝向衬底的第一表面至少延伸至阻挡层靠近衬底的第二表面的表面；功能层形成于衬底内，且位于沿第一方向相邻的第二隔离结构之间。能够加强功能层周围的绝缘效果，避免串扰等不理想效应，从而提升输出图像的质量。提升输出图像的质量。提升输出图像的质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器


[0001]本申请涉及集成电路设计及制造
，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器。

技术介绍

[0002]互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS）图像传感器，是一种将光学图像转换成电信号的设备，其广泛应用于智能手机、监控安防、汽车电子及机器安防等领域。与电荷耦合元件（Charge Coupled Device，简称CCD）图像传感器相比，CMOS图像传感器具有低功耗、体积小等优点。例如，背照式入射（Back Side Illumination，BSI）CMOS图像传感器能够通过改变光线入射的方向，提高光线利用率与暗光成像质量。
[0003]然而，传统的背照式图像传感器中，入射光线会直接照射至光电二极管附近的基底材料上，由于传统的背照式图像传感器的像素单元周围的绝缘效果不佳，在基底材料背面的光线可能漫射至邻近的像素单元，漫射光线与入射光线重新汇合，导致串扰不理想效应，降低输出图像的质量。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有沿其厚度方向相对的第一表面及第二表面，所述衬底内形成有沿第一方向间隔排布的第一隔离结构，所述第一隔离结构经由所述第一表面朝向所述第二表面延伸；所述第一方向与所述厚度方向垂直；阻挡层，沿所述第一方向延伸，且覆盖所述第一隔离结构靠近所述第二表面的表面；第二隔离结构，形成于所述衬底内，且沿所述第一方向间隔排布，所述第二隔离结构经由所述第二表面朝向所述第一表面至少延伸至所述阻挡层靠近所述第二表面的表面；功能层，形成于所述衬底内，且位于沿所述第一方向相邻的所述第二隔离结构之间。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层包括沿所述厚度方向依次层叠的第一阻挡层及第二阻挡层，所述第一阻挡层位于所述第二阻挡层与所述功能层之间；以及所述第二隔离结构至少延伸至所述第一阻挡层靠近所述第二表面的表面。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述功能层沿所述厚度方向在所述第一表面的正投影，位于相邻的所述第一隔离结构之间。4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括介质层，所述介质层形成于所述第二表面，且覆盖所述第二隔离结构以及所述功能层靠近所述第二表面的表面。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述功能层包括感光元件；所述半导体结构还包括感光电极，所述感光电极形成于所述介质层靠近所述第二表面的表面，且沿所述厚度方向的正投影位于所述第二隔离结构内。6.如权利要求2
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5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离结构包括第一隔离层及第二隔离层；所述第一隔离层...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：