【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别是涉及一种晶圆清洗方法和晶圆清洗机。
技术介绍
1、随着半导体技术制备工艺的发展，半导体器件的特征尺寸越来越小，高深宽比结构中defect（颗粒等缺陷）的清洗越来越重要，清洗不充分的高深宽比结构会严重影响器件的结构和性能。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种晶圆清洗方法和晶圆清洗机，可以优化高深宽比结构的清洗，得到充分清洗的高深宽比结构。
2、本公开提供一种晶圆清洗方法，包括：
3、提供形成有沟槽的待清洗晶圆，沟槽中具有待清洗颗粒；
4、将化学清洗剂喷射到沟槽中，待清洗颗粒分散至化学清洗剂中，以形成混合溶剂；
5、将有机溶剂喷射至沟槽中，以去除沟槽中的混合溶剂；
6、其中，有机溶剂的密度大于化学清洗剂的密度。
7、上述晶圆清洗方法，通过密度大于化学清洗剂的有机溶剂去除沟槽中分散有待清洗颗粒的混合溶剂，从而达到减少沟槽中的待清洗颗粒，充分清洗沟槽，提高待清洗晶圆上形成的半导体器件的结构和
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1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述有机溶剂和所述化学清洗剂的极性差异大于预设值。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述化学清洗剂包括亲水性溶剂，所述有机溶剂包括疏水性溶剂。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述化学清洗剂包括含NH4OH和H2O2的溶液、含H2SO4和H2O2的溶液中的一种；所述有机溶剂包括苯基溶剂、CCl4中的一种。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述将有机溶剂喷射至所述沟槽中之后还包括
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【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述有机溶剂和所述化学清洗剂的极性差异大于预设值。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述化学清洗剂包括亲水性溶剂，所述有机溶剂包括疏水性溶剂。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述化学清洗剂包括含nh4oh和h2o2的溶液、含h2so4和h2o2的溶液中的一种；所述有机溶剂包括苯基溶剂、ccl4中的一种。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述将有机溶剂喷射至所述沟槽中之后还包括：
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比值大于或...
【专利技术属性】
技术研发人员：李政，曹平，杨昱霖，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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