半导体结构的制备方法、半导体结构技术

本公开涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构，涉及半导体制造技术领域，方法包括：提供衬底，衬底上包括栅极结构及位于栅极结构沿第一方向相对两侧衬底内的第一掺杂区；于栅极结构的外侧壁形成覆盖部分第一掺杂区的保护侧墙；将第一掺杂区热氧化处理为牺牲氧化层；清洗去除牺牲氧化层，得到暴露出保护侧墙底面的初始凹槽；通过调整刻蚀离子的刻蚀参数刻蚀初始凹槽暴露的衬底，得到开口于栅侧墙正下方的基准凹槽；利用第四主族元素离子调整基准凹槽的开口拐角处的晶向；经由基准凹槽湿法选择性刻蚀并去除部分衬底，得到西格玛凹槽后，于西格玛凹槽内形成顶面不低于衬底顶面的应力层，至少能够精准控制应力层与沟道区之间水平间距。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体制造，特别是涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构。

技术介绍

1、在互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)集成电路工艺中，应力工程至关重要。在cmos器件的沟道上施加拉应力能提高电子的迁移率，而施加压应力(compressive stress)则能提高空穴的迁移率。沟道中的空穴在应力的作用下，迁移速率会大大加快，从而增大器件的工作饱和电流(idsat)以及响应速度。

2、其中，外延锗硅层与沟道区的距离直接决定其作用于沟道区的应力大小，进而影响晶体管性能。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种至少能够精准控制应力层与沟道区之间水平间距的半导体结构的制备方法、半导体结构。

2、为了解决上述技术问题及其他问题，根据一些实施例，本公开的一方面提供了一种半导体结构的制备方法，方法包括：提供衬底，衬底上包括栅极结构及位于栅极结构沿第一方向相对两侧衬底内的第一掺杂区；栅极结构包本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底的晶向为<110>；所述利用第四主族元素离子调整所述基准凹槽的开口拐角处的晶向包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述经由所述基准凹槽湿法选择性刻蚀并去除部分所述衬底，包括：

4.如权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述选择性刻蚀工艺的刻蚀剂包括四甲基氢氧化铵溶液。

5.如权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下特征中至少一个：

...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底的晶向为<110>；所述利用第四主族元素离子调整所述基准凹槽的开口拐角处的晶向包括：

3.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述经由所述基准凹槽湿法选择性刻蚀并去除部分所述衬底，包括：

4.如权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述选择性刻蚀工艺的刻蚀剂包括四甲基氢氧化铵溶液。

5.如权利要求1-3任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下特征中至少一个：

6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶磊，刘文彬，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：