半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底；第一介质层，位于所述衬底上，且具有沿第一方向延伸的第一沟槽；测试垫，填充所述第一沟槽；第二介质层，覆盖所述测试垫与所述第一介质层，所述第二介质层具有沿第二方向延伸的第二沟槽，所述第二沟槽底部暴露所述测试垫，且所述测试垫在多个所述第二沟槽底部连续，所述第一方向与所述第二方向交叉。本发明专利技术的半导体结构及其制备方法具有如下有益效果：测试垫沿第一方向延伸，第二沟槽沿第二方向延伸，使得第二沟槽的底部暴露出测试垫，在第二沟槽的底部形成周期性图案，提高了OCD量测技术的准确性。术的准确性。术的准确性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制备方法


[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，常使用光学关键尺寸（Optical Critical Dimension，OCD）量测技术测量沟槽的深度。OCD量测技术是利用光对晶圆或掩模上非常小的周期性结构进行测量的光学计量方法。通过将单波长或宽带光入射到周期性结构，受结构和材料的影响，反射光与入射光信号存在较大差异，通过分析反射光谱信息，对立体结构的各维度的尺寸进行量测。
[0003]但是，在实际量测过程中，沟槽下方的膜层中常设有其他结构（如：导电接触插塞）。这些结构的周期或关键尺寸与沟槽的周期或关键尺寸不同，导致沟槽无法精确对准这些结构，从而无法形成周期性量测结构。这样使得在OCD量测设会收集到杂乱的光谱，无法准确分辨沟槽，进而无法进行OCD建模和OCD数据库建立，影响对沟槽深度的量测。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对现有技术中量测沟槽深度时准确度不高的问题提供一种半导体结构及其制备方法。
[0005]为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种半导体结构，包括：衬底；第一介质层，位于所述衬底上，且具有沿第一方向延伸的第一沟槽；测试垫，填充所述第一沟槽；第二介质层，覆盖所述测试垫与所述第一介质层，所述第二介质层具有沿第二方向延伸的第二沟槽，所述第二沟槽底部暴露所述测试垫，且所述测试垫在多个所述第二沟槽底部连续，所述第一方向与所述第二方向交叉。
[0006]在其中一个实施例中，所述测试垫在所述第一方向上横向贯穿所述第一介质层。
[0007]在其中一个实施例中，所述第一方向与所述第二方向形成的夹角包括直角。
[0008]在其中一个实施例中，所述半导体结构具有切割道区与芯片区，所述测试垫位于所述切割道区，位于所述芯片区的所述第一介质层内具有接触孔，所述接触孔内填充有导电接触结构。
[0009]在其中一个实施例中，所述半导体结构包括扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述第一沟槽内，所述测试垫位于所述扩散阻挡层表面。
[0010]本专利技术还提供了一种半导体结构制备方法，包括：提供衬底；于所述衬底上形成具有第一沟槽的第一介质层，所述第一沟槽沿第一方向延伸；于所述第一沟槽内填充测试垫；于所述测试垫与所述第一介质层上形成具有第二沟槽的第二介质层，所述第二沟槽沿第二方向延伸，所述第二沟槽底部暴露所述测试垫，且所述测试垫在多个所述第二沟
槽底部连续，所述第一方向与所述第二方向交叉。
[0011]在其中一个实施例中，所述于所述衬底上形成具有第一沟槽的第一介质层，包括：于所述衬底上形成第一介质材料层；于所述第一介质材料层内形成横向贯穿所述第一介质材料层的所述第一沟槽，剩余所述第一介质材料层形成所述第一介质层。
[0012]在其中一个实施例中，所述第一方向与所述第二方向形成的夹角包括直角。
[0013]在其中一个实施例中，所述衬底具有切割道区与芯片区；所述于所述衬底上形成具有第一沟槽的第一介质层，包括：于所述衬底上形成第一介质材料层；于所述第一介质材料层内形成位于所述切割道区的所述第一沟槽以及位于所述芯片区的接触孔；所述于所述第一沟槽内填充测试垫的同时，还于所述接触孔内形成导电接触结构。
[0014]在其中一个实施例中，所述填充所述第一沟槽，形成测试垫之前，包括：于所述第一沟槽底部和侧壁形成扩散阻挡层；所述填充所述第一沟槽，形成测试垫，包括：于所述扩散阻挡层表面形成所述测试垫。
[0015]本专利技术的半导体结构及其制备方法具有如下有益效果：测试垫沿第一方向延伸，第二沟槽沿第二方向延伸，使得第二沟槽的底部暴露出测试垫，在第二沟槽的底部形成周期性图案，提高了OCD量测技术的准确性。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1为一实施例中提供的半导体结构的制备方法的流程图；图2为一实施例中提供的半导体结构的截面示意图；图3为一实施例中提供的半导体结构的立体示意图；图4为一实施例中提供的第二介质层的俯视图；图5为一实施例中提供的测试垫的俯视图；图6为一实施例中提供的传统技术制备得到的半导体结构的示意图；图7为另一实施例中提供的传统技术制备得到的半导体结构的示意图。
[0018]附图标记说明：半导体结构
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100；衬底
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110；第一介质层120；衬垫氧化层
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121；氮化硅层
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122；二氧化硅层
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123；测试垫
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130；第一沟槽
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131；扩散阻挡层
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132；第二介质层
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140；第一刻蚀阻挡层
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141；粘合层
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142；中间介质层
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143；应力缓冲层
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144；第二刻蚀阻挡层
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145；掩膜层146；第二沟槽
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150；接触结构
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200；接触层
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300。
具体实施方式
[0019]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
[0020]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0021]应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“连接到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“直接连接到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、 第二、第三等描述各种区、层，这些区、层不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个区、层分与另一个部件、区、层。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的部件、区、层可表示为部件、区、层。
[0022]空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；第一介质层，位于所述衬底上，且具有沿第一方向延伸的第一沟槽；测试垫，填充所述第一沟槽；第二介质层，覆盖所述测试垫与所述第一介质层，所述第二介质层具有沿第二方向延伸的第二沟槽，所述第二沟槽底部暴露所述测试垫，且所述测试垫在多个所述第二沟槽底部连续，所述第一方向与所述第二方向交叉。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述测试垫在所述第一方向上横向贯穿所述第一介质层。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向形成的夹角包括直角。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构具有切割道区与芯片区，所述测试垫位于所述切割道区，位于所述芯片区的所述第一介质层内具有接触孔，所述接触孔内填充有导电接触结构。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述第一沟槽内，所述测试垫位于所述扩散阻挡层表面。6.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；于所述衬底上形成具有第一沟槽的第一介质层，所述第一沟槽沿第一方向延伸；于所述第一沟槽内填充测试垫；于所述测试垫与所述第一介质层上形成具有第二沟槽的第二介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈磊，姚怡雯，高志杰，方小婷，牛苗苗，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：