温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构，涉及半导体制造技术领域，方法包括：提供衬底，衬底上包括栅极结构及位于栅极结构沿第一方向相对两侧衬底内的第一掺杂区；于栅极结构的外侧壁形成覆盖部分第一掺杂区的保护侧墙；将第一掺杂区热氧化处理为牺...
该专利属于合肥新晶集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥新晶集成电路有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。