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本公开涉及集成电路设计及制造技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法、背照式图像传感器，半导体结构包括衬底、阻挡层、第二隔离结构及功能层；衬底具有第一表面及第二表面，衬底内形成间隔排布的第一隔离结构，第一隔离结构经由衬底的第一表面朝向...
该专利属于合肥新晶集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥新晶集成电路有限公司授权不得商用。

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