【技术实现步骤摘要】
背侧金属栅格及金属垫简化
[0001]分案申请的相关信息
[0002]本申请为专利技术名称为“背侧金属栅格及金属垫简化”、申请号为201711343632.8、申请日为2017年12月14日的中国专利技术专利申请的分案申请。
[0003]本专利技术大体上涉及半导体制造，且特定来说(但非排他性地)，涉及金属栅格制造。
技术介绍
[0004]图像传感器已变得无处不在。它们广泛应用于数字静态相机、蜂窝电话、安全摄像机，以及医疗、汽车及其它应用中。用于制造图像传感器的技术持续以迅猛的速度进步。举例来说，对更高分辨率及更低功耗的需求已促进这些装置的进一步微型化及集成化。
[0005]为区分颜色，图像传感器可使用彩色滤光器。彩色滤光器按照波长范围过滤入射在图像传感器上的光，使得图像传感器中的每一光电二极管仅接收特定波长范围内的图像光。由图像传感器捕获的原始数据通过针对各种彩色滤光器而调整的去马赛克算法被转换为全色图像。
[0006]尽管制造彩色图像传感器有多种方法，但减少半导体处理应用中的步骤数目总是重要...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其包括：半导体材料，其包含安置在所述半导体材料中的多个光电二极管；第一绝缘材料和第二绝缘材料，其中所述第一绝缘材料安置成靠近所述半导体材料的前侧，其中所述第二绝缘材料安置成靠近所述半导体材料的背侧，且其中所述背侧与所述前侧相对；互连件，其安置在靠近所述半导体材料的所述前侧的所述第一绝缘材料中；金属垫，其侧延伸穿过所述第一绝缘材料并接触所述互连件；金属接触件，其安置成靠近所述半导体材料的所述背侧，所述金属接触件延伸穿过所述第二绝缘材料以接触所述半导体材料，其中所述金属垫的第一表面与所述金属接触件的第二表面共面；以及金属栅格，其安置成靠近所述半导体材料的所述背侧，其中所述半导体材料安置在所述金属栅格与所述第一绝缘材料之间；且其中所述金属接触件耦合到包括在所述金属栅格中的第一金属区段。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属垫的所述第一表面和所述金属接触件的所述第二表面另外与所述第二绝缘材料的第三表面共面。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括：保护层，其安置在所述金属栅格与所述第二绝缘材料之间，其中所述保护层安置在包括在所述金属栅格中的所述第一金属区段与所述金属接触件之间。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述保护层的第一组成不同于所述金属接触件的第二组成。5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述金属接触件的所述第二组成和所述金属垫的第三组成包括第一金属。6.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述保护层在所述金属接触件的所述第二表面处与所述金属接触件接界，所述金属接触件的所述第二表面与所述金属垫的所述第一表面共面。7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一金属区段比所述金属接触件宽，其中所述第一金属区段比包括在所述金属栅格中的所述第一金属区段以外的金属区段宽，且其中所述第一金属区段以外的金属区段不延伸穿过所述第二绝缘材料。8.根据权利要求1所述的图像传感器，其进一步包括逻辑电路，其中包括在所述金属栅格中的所述第一金属区段与安置在所述第一金属区段下面的所述逻辑电路经光学对准。9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述金属垫包括宽区段和均比所述宽区段窄的至少两个连接区段，其中所述至少两个连接区段将所述宽区段耦合到所述互连件，且其中所述第一绝缘材料安置在所述至少两个连接区段之间。10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一绝缘材料和所述第二绝缘材料具有相同的化学组成。11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一金属区段和所述金属接触件安置成靠近所述半导体材料的侧边缘。12.一种图像传感器制造方法，其包括：形成安置在半导体材料中的多个光电二极管，所述半导体材料具有前侧和与所述前侧
相对的背侧，其中第一绝缘材料安置成靠近所述半导体材料的所述前侧且第二半导体材料安置成靠近所述半导体材料的所述背侧，其中互连件安置在靠近所述半导体材料的所述前侧的所述第一绝缘材料中；通过蚀刻所述第一绝缘材料形成从靠近所述背侧延伸至所述互连件的第一沟槽；通过蚀刻所述第二绝缘材料形成从靠近所述背侧延伸至所述半导体材料的第二沟槽；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中沉积第一金属，以分别形成金属垫和金属接触件，其中所述金属垫延伸穿过所述第一绝缘材料直至接...
【专利技术属性】
技术研发人员：王沁，陈刚，毛杜立，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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