半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的待刻蚀层；在所述衬底上形成初始冰刻胶；采用电子束刻蚀工艺对所述初始冰刻胶进行图形化处理，形成冰刻胶和位于所述冰刻胶内的若干图形化开口，所述图形化开口暴露出所述衬底的顶部表面；在所述冰刻胶的顶部表面形成掩膜层；以所述掩膜层和所述冰刻胶为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，直至暴露出所述基底的顶部表面为止，形成图形化结构。利用所述掩膜层能够为所述冰刻胶提供很好的保护作用，减少在刻蚀过程中对所述冰刻胶造成损伤，进而有效提升图形化传递的精度。精度。精度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造工艺中，通过一系列的工序，例如淀积、光刻、刻蚀等，在半导体衬底上形成半导体结构。其中，光刻工艺是为了在光刻胶中形成所需图案，得到图形化的光刻胶，定义出待刻蚀区域。刻蚀工艺用于将图形化的光刻胶中的图案转移至待刻蚀层中。
[0003]然而，在现有技术的图形化传递仍存在诸多问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，以提升图形化传递的精度。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的待刻蚀层；在所述衬底上形成冰刻胶，所述冰刻胶暴露出所述衬底的部分顶部表面；在所述冰刻胶的顶部表面形成掩膜层；以所述掩膜层和所述冰刻胶为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，直至暴露出所述基底的顶部表面为止，形成图形化结构。
[0006]可选的，所述冰刻胶的形成方法包括：在所述衬底上形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底以及位于所述基底上的待刻蚀层；在所述衬底上形成冰刻胶，所述冰刻胶暴露出所述衬底的部分顶部表面；在所述冰刻胶的顶部表面形成掩膜层；以所述掩膜层和所述冰刻胶为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，直至暴露出所述基底的顶部表面为止，形成图形化结构。2.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述冰刻胶的形成方法包括：在所述衬底上形成初始冰刻胶；对所述初始冰刻胶进行图形化处理，形成所述冰刻胶。3.如权利要求2所述半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成初始冰刻胶的方法包括：对所述衬底进行低温处理；向经过低温处理后的所述衬底顶部表面通入冰刻胶气体，以形成所述初始冰刻胶。4.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述低温处理的温度范围为：
‑
20摄氏度～0摄氏度。5.如权利要求3所述半导体结构的形成方法，其特征在于，所述冰刻胶气体包括：H2O、C7H8O、C8H
18
、C9H
20
、C
11
H
24
以及C
14
H
30
；气体流量为：由气体喷射系统的蒸汽压降控制，蒸汽压降的范围为0.01托～0.5托；通入时间：5分钟～20分钟。6.如权利要求1所述半导体结构的形成方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，谭程，殷立强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：