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一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括基底以及位于所述基底上的待刻蚀层;在所述衬底上形成初始冰刻胶;采用电子束刻蚀工艺对所述初始冰刻胶进行图形化处理,形成冰刻胶和位于所述冰刻胶内的若干图形化开口,所述图形化开口暴露出所述衬底...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构的形成方法,包括:提供衬底,所述衬底包括基底以及位于所述基底上的待刻蚀层;在所述衬底上形成初始冰刻胶;采用电子束刻蚀工艺对所述初始冰刻胶进行图形化处理,形成冰刻胶和位于所述冰刻胶内的若干图形化开口,所述图形化开口暴露出所述衬底...