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本发明供一种沟槽型VDMOS器件的制造方法及其制造方法，该制造方法包括在对具有掩膜的N型外延层形成的第一沟槽进行栅极氧化层、N型多晶硅的沉积处理；采用湿法工艺去除掩膜；形成体区，在N型多晶硅侧面形成掩膜侧墙，并对N型外延层进行第二沟槽刻蚀；...
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