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南亚科技股份有限公司专利技术
南亚科技股份有限公司共有2444项专利
半导体结构的制备方法技术
本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括以下步骤:提供一基底;形成多个第一核心特征在该基底上方,且该第一核心特征彼此间隔开;形成一间隙层在该第一核心特征上方,且形成该间隙层覆盖每个该第一核心特征的侧壁与其顶表面;形成多个第二核...
动态随机存取存储器及其操作方法技术
本公开提供一种动态随机存取存储器DRAM及其操作方法。该DRAM包括一存储器阵列及一控制元件。该存储器阵列包括多个字元线。所述字元线经配置以控制记忆胞。该控制元件经配置以操作所述多个字元线的至少一字元线、得到关于操作该至少一字元线的一信...
动态随机存取存储器及其操作方法技术
本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一第一更新单元、一第二更新单元、一控制元件。该第一更新单元具有一第一数量的有效数据。该第二更新单元具有一第...
挥发性储存器的数据保存系统及方法技术方案
本发明公开了一种挥发性储存器的数据保存系统及方法,应用于挥发性储存器,其中挥发性储存器包含用以储存数据的多个字节线。数据保存系统包含存取单元,存取单元用以侦测第一字节线被频繁存取的锤效应指示是否发生,当侦测到锤效应指示发生时,存取单元将...
半导体元件的精细线图案形成方法技术
本发明公开了一种半导体元件的精细线图案形成方法,包含:在设置于目标层上的至少一个下硬遮罩层上形成多个下线性核心结构;在下硬遮罩层上形成间隔层以覆盖下线性核心结构;在间隔层上形成上硬遮罩层;薄化上硬遮罩层以暴露间隔层的部位;以及移除间隔层...
半导体元件的精细线图案形成方法技术
本发明公开了一种半导体元件的精细线图案形成方法,包含:在设置于目标层上的至少一个硬遮罩层上形成多个线性核心结构;在线性核心结构的侧壁上形成多个第一间隔物;移除线性核心结构;在第一间隔物的侧壁上形成多个第二间隔物;蚀刻硬遮罩层由第一间隔物...
熔丝烧断方法及熔丝烧断系统技术方案
本发明公开了一种熔丝烧断方法及熔丝烧断系统。此熔丝烧断方法包含以下步骤:侦测多个字线的多个电压;当多个电压中的其中一个低于电压阈值时,传送致能信号至熔丝电路,其中多个电压中的其中一个对应于多个字线中的其中一个;以及烧断熔丝,其中熔丝连接...
挥发性储存器的数据保存系统及方法技术方案
本发明公开了一种挥发性储存器的数据保存系统及方法,应用于挥发性储存器,其中挥发性储存器包含用以储存数据的多个字节线。数据保存系统包含存取侦测单元,存取侦测单元用以侦测第一字节线被频繁存取的锤效应指示是否发生,当侦测到锤效应指示发生时,存...
动态随机存取存储器及其操作方法技术
本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory,DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一普通区、一热区、一控制元件。该普通区包括多个记忆胞,并可受控于一普通字元线。该热区包括多个记忆胞,并可受...
动态随机存取存储器及其电源管理方法技术
本公开提供一种动态随机存取存储器(DRAM)及其电源管理方法。该DRAM包括多个存储库、一电源、一控制元件。所述存储库各包括多个次阵列。该控制元件经配置以获得一信息。该信息涉及所述次阵列中被操作的次阵列的数量。该控制元件基于该信息产生一...
半导体结构及其制造方法技术
本公开提供一种半导体结构及其制造方法,该半导体结构包含一基板,该基板具有一存储器阵列区与一周边电路区;多个第一线图案位于该存储器阵列区中且沿着一第一方向延伸;多个第二线图案位于该存储器阵列区中的所述第一线图案上方;以及多个线性元件位于该...
动态随机存取存储器及其电力管理方法技术
本公开提供一种动态随机存取存储器及其电力管理方法。该动态随机存取存储器包括一存储器阵列、一控制元件以及一电荷帮浦电路。该存储器阵列包括多个存储器单元;该控制元件经配置以取得与一指令相关的一信息,且该控制元件基于该信息,决定是否提供大于、...
电压系统及其操作方法技术方案
本公开提供一种电压系统及其操作方法。该电压系统包含一帮浦装置。该帮浦装置包含一第一充电路径、一第二充电路径、以及一负载电容器。该负载电容器以一交替方式结合该第一充电路径与该第二充电路径而为可充电的。当该帮浦装置的一供应电压的一电压位准大...
熔丝烧断方法及熔丝烧断系统技术方案
本发明公开了一种熔丝烧断方法及熔丝烧断系统,熔丝烧断方法包含以下步骤:接收数量信号,其中数量信号包含数量值;依据数量信号触发多个熔丝泵中的数量值个熔丝泵;以及产生电流以烧断熔丝。本实施可加速熔丝烧断时间。
熔丝烧断系统及其操作方法技术方案
本公开涉及一种动态随机存取存储器DRAM的熔丝烧断系统。该熔丝烧断系统包含一熔丝元件与一映射元件。该映射元件与该熔丝元件一起整合在该DRAM中;该映射元件经配置以使能该熔丝元件并且对于该熔丝元件提供一实体位址;其中使能的该熔丝元件仅响应...
电压系统及其操作方法技术方案
本公开涉及一种电压系统以及一种电压系统的操作方法。该电压系统包含一振荡器与一泵装置。该振荡器经配置以当一供应电压的一电压电平大于一参考电压电平时,提供一第一频率的一振荡信号,以及当该供应电压的该电压电平小于该参考电压电平时,提供大于该第...
电压系统及其操作方法技术方案
本公开涉及一种DRAM的电压系统及其操作方法。该电压系统包含一第一调节器、一第二调节器与一控制单元。该控制单元基于该DRAM经指示操作的一操作模式而判定所需要的调节器的数量,以及基于该判定,使能该第一调节器与该第二调节器的一或多个调节器...
电压切换装置及方法制造方法及图纸
本发明公开了一种电压切换装置及方法,电压切换装置包括接收器、电压控制开关、第一电压产生电路、电压检测器与第一开关电路。电压控制开关连接在输入数据端与接收器之间,第一电压产生电路提供第一电压。当检测到第一电压高于预定电压时,电压检测器输出...
DRAM的帮浦系统及其操作方法技术方案
本揭露是关于一种DRAM(dynamic random access memory)的帮浦系统及其操作方法。该帮浦系统包含一帮浦元件与一备用帮浦组件。该帮浦元件响应一正常指令且在没有其他备用帮浦元件的情况下,提供足以使得该DRAM的一储...
图案化方法技术
本发明公开了一种图案化方法,其包含以下步骤。在基板上依序形成底层、硬罩幕层、缓冲罩幕层和罩幕层。图案化罩幕层与缓冲罩幕层,以形成第一柱状体。在第一柱状体中移除部分缓冲罩幕层。在第一柱状体之间的第一间隙中填入牺牲介电材料。以第一柱状体的罩...
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